5．艾滋病病毒(HIV)最初侵入人體時.人體免疫系統(tǒng)可以摧毀大多數(shù)病毒.經(jīng)一段時間的潛伏期可發(fā)展為艾滋病.下列表示HIV感染人體后.體液中HIV濃度和T細胞數(shù)的變化過程.正確的是( ) 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

艾滋病病毒（HIV）最初侵入人體時，人體免疫系統(tǒng)可以摧毀大多數(shù)病毒，經(jīng)過一段時間的潛伏期可發(fā)展成為艾滋病。下列表示HIV侵入人體后，體液中的HIV濃度和T細胞數(shù)的變化過程，正確的是

 

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艾滋病病毒（HIV）最初侵入人體時，人體免疫系統(tǒng)可以摧毀大多數(shù)病毒，經(jīng)過一段時間的潛伏期可發(fā)展成為艾滋病，下列表示HIV侵人人體后，體液中的HIV濃度和T細胞數(shù)的變化過程，正確的是（    ）

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艾滋病病毒（HIV）最初侵入人體時，人體免疫系統(tǒng)可以摧毀大多數(shù)病毒，經(jīng)過一段時間的潛伏期可發(fā)展成為艾滋病。下列表示HIV侵入人體后，體液中的HIV濃度和T細胞數(shù)的變化過程，正確的是

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艾滋病是一種免疫缺陷病,是由人類免疫缺陷病毒（HIV）引起的,死亡率極高。如圖表示HIV感染人體后，體液中HIV濃度和人體內(nèi)主要的免疫細胞——T細胞的數(shù)量變化過程。描述不正確的是（   ）

A．HIV最初侵入人體的時期（A階段）HIV濃度下降的原因是病毒適應(yīng)環(huán)境，不進行增殖

B．感染后的B階段，對人體產(chǎn)生的影響是T細胞被破壞，數(shù)量減少，細胞免疫和體液免疫能力均下降，各種感染機會增加

C．HIV侵入人體后，其表面的衣殼可以作為引起免疫反應(yīng)的抗原

D．由圖可知艾滋病患者如不進行治療，大約能生存9年

 

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艾滋病是一種免疫缺陷病,是由人類免疫缺陷病毒（HIV）引起的,死亡率極高。如圖表示HIV感染人體后，體液中HIV濃度和人體內(nèi)主要的免疫細胞——T細胞的數(shù)量變化過程。描述不正確的是（   ）

A．HIV最初侵入人體的時期（A階段）HIV濃度下降的原因是病毒適應(yīng)環(huán)境，不進行增殖

B．感染后的B階段，對人體產(chǎn)生的影響是T細胞被破壞，數(shù)量減少，細胞免疫和體液免疫能力均下降，各種感染機會增加

C．HIV侵入人體后，其表面的衣殼可以作為引起免疫反應(yīng)的抗原

D．由圖可知艾滋病患者如不進行治療，大約能生存9年

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第I卷

題號

1

2

3

4

5

 

答案

C

A

D

A

A

 

題號

6

7

8

9

10

11

12

13

答案

C

C

B

C

A

D

C

C

題號

14

15

16

17

18

19

20

21

答案

D

AD

C

BC

B

A

D

AC

第II卷

22．(18分) 【答案】 Ⅰ．

Ⅱ．① 乙；   ②見下圖;    ③    (或)

N1為電壓表V1指針?biāo)傅目潭葦?shù),U2為標(biāo)準(zhǔn)電壓表V2的讀數(shù).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

23．（14分）【解析】

（1）                    （7分）

 (2)                       （7分）

24．(18分) 【解析】

⑴ 靜止釋放后小球做自由落體運動到a，輕繩被拉緊時與水平方向成角，再繞O點向下做圓周運動，由機械能守恒定律得：（1分）

輕繩被拉緊瞬間，沿繩方向的速度變?yōu)?，沿圓周切線方向的速度為：  （1分）

小球由a點運動到最低點b點過程中機械能守恒： （2分）

設(shè)小球在最低點受到輕繩的拉力為F，則，  （2分）

聯(lián)立解得：N   （2分）

⑵ 小球與B碰撞過程中動量和機械能守恒，則

    （2分）

    （2分）

解得： v1=0，v2=vb=，碰撞后小球與B交換速度 （1分）

B在木板A上滑動，系統(tǒng)動量守恒，設(shè)B滑到木板A最右端時速度為v，則

     （2分）

B在木板A上滑動的過程中，系統(tǒng)減小的機械能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能，由能量守恒定律得　　      （2分）

聯(lián)立解得

代入數(shù)據(jù)解得L=2.5m       （1分）

25．（22分）【解析】

（1）設(shè)兩板間電壓為時，帶電粒子剛好從極板邊緣射出電場，

則有 （2分）

代人數(shù)據(jù)，解得：（2分）

在電壓低于100 V時，帶電粒子才能從兩板間射出，電壓高于100 V時，帶電粒子打在極板上，不能從兩板間射出．粒子剛好從極板邊緣射出電場時，速度最大，設(shè)最大速度為

則有：（2分）

解得：（2分）

（2）設(shè)粒子進入磁場時速度方向與夾角為，則速度大小（2分）

粒子在磁場中做圓周運動的軌道半徑（2分）

粒子從磁場中飛出的位置與進入磁場的位置之間的距離（2分）

代入數(shù)據(jù)，解得與無關(guān)，即射出電場的任何一個帶電粒子進入磁場的入射點與出射點間距離恒為定值  （2分）

（3）粒子飛出電場進入磁場，在磁場中按逆時針方向做勻速圓周運動．粒子飛出電場時的速度方向與的最大夾角為

（2分）

當(dāng)粒子從下板邊緣飛出電場再進入磁場時，在磁場中運動時間最長，

（2分）

當(dāng)粒子從上板邊緣飛出電場再進入磁場時，在磁場中運動時間最短

     （2分）

26．（每空2分，共14分）

（1）略，  （2）Na+[:H] -

（3）促進，NH4++H2ONH3•H2O+ H+， 負

（4）A、D、E

（5）3Na2O2+2Fe2++4H2O=2Fe(OH)3+O2↑+6Na++2OH-

27．（每空3分，共15分）

（1）　      （3分）

（2）Cu＋4H+＋2NO3－＝Cu2＋＋2NO2↑＋2H2O�。�3分）

（3）2H2O－4e－＝4H+＋O2↑或4OH－－4e－＝2H2O +O2↑  （3分）

（4）3CuO＋2NH33Cu＋N2＋3H2O（3分）　

（5）1∶2（3分）

28.（共17分，除標(biāo)明的外，每空2分）

（1）Cu+H2O2+2H+=Cu2++2H2O

作圖：以銅為陽極，以鹽酸為電解質(zhì)溶液的電解池裝置。

 

 

 

 

 

（2）原電池；Cu―2e―= Cu2+；4OH――4e―=2H2O+O2；1.8g

（3）不同意；等質(zhì)量的銅片與等體積、過量的濃硝酸、稀硝酸反應(yīng)，所得溶液中Cu2+的濃度基本相等。

29.(每空2分，共14分)

⑴166g/mol(不寫單位不給分)

①②③(有錯不給分)

 

⑵

                                                                                   

 

⑶

 

 

 

 

 

                                                                            

⑷6

30．（共24分，每空2分，第Ⅱ題（4）圖解6分）

Ⅰ．（1）AABB、AaBB、AABb、AaBb  （2）AaBb×AaBB或AaBB×AaBB  （3）青色殼:灰白色殼:花斑色殼 =9:2:3

Ⅱ．（1）限制性內(nèi)切   （2）有絲  減數(shù)   （3）Bb×bb  測交     （4）2   遺傳圖解如下：

31．（共18分，每空2分）

（1）CO2   （2）B處O2多于D處，D處CO2多于B處   （3）減少  增加  上升  （4）裝置中CO2量越來越少，暗反應(yīng)速率下降，導(dǎo)致ATP和NADPH積累，進而使光反應(yīng)速率下降  乳酸   （5）15N2→15NH3→氨基酸及蛋白質(zhì)（或含15N的有機物）  根瘤菌、大豆 

 

 

 

 


同步練習(xí)冊答案