(2)設(shè)電場強(qiáng)度為.離子在電場中運(yùn)動過程有: 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(12分)在電視機(jī)的設(shè)計(jì)制造過程中,要考慮到地磁場對電子束偏轉(zhuǎn)的影響,可采用某種技術(shù)進(jìn)行消除.為確定地磁場的影響程度,需先測定地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,在地球的北半球可將地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度分解為水平分量B1和豎直向下的分量B2,其中B1沿水平方向,對電子束影響較小可忽略,B2可通過以下裝置進(jìn)行測量.如圖11所示,水平放置的顯像管中電子(質(zhì)量為m,電荷量為e)從電子槍的熾熱燈絲上發(fā)出后(初速度可視為0),先經(jīng)電壓為U的電場加速,然后沿水平方向自南向北運(yùn)動,最后打在距加速電場出口水平距離為L的屏上,電子束在屏上的偏移距離為d.

(1)試判斷電子束偏向什么方向;
(2)試求地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的豎直分量B2.

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(12分)在電視機(jī)的設(shè)計(jì)制造過程中,要考慮到地磁場對電子束偏轉(zhuǎn)的影響,可采用某種技術(shù)進(jìn)行消除.為確定地磁場的影響程度,需先測定地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,在地球的北半球可將地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度分解為水平分量B1和豎直向下的分量B2,其中B1沿水平方向,對電子束影響較小可忽略,B2可通過以下裝置進(jìn)行測量.如圖11所示,水平放置的顯像管中電子(質(zhì)量為m,電荷量為e)從電子槍的熾熱燈絲上發(fā)出后(初速度可視為0),先經(jīng)電壓為U的電場加速,然后沿水平方向自南向北運(yùn)動,最后打在距加速電場出口水平距離為L的屏上,電子束在屏上的偏移距離為d.

(1)試判斷電子束偏向什么方向;

(2)試求地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的豎直分量B2.

 

 

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(12分)在電視機(jī)的設(shè)計(jì)制造過程中,要考慮到地磁場對電子束偏轉(zhuǎn)的影響,可采用某種技術(shù)進(jìn)行消除.為確定地磁場的影響程度,需先測定地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,在地球的北半球可將地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度分解為水平分量B1和豎直向下的分量B2,其中B1沿水平方向,對電子束影響較小可忽略,B2可通過以下裝置進(jìn)行測量.如圖11所示,水平放置的顯像管中電子(質(zhì)量為m,電荷量為e)從電子槍的熾熱燈絲上發(fā)出后(初速度可視為0),先經(jīng)電壓為U的電場加速,然后沿水平方向自南向北運(yùn)動,最后打在距加速電場出口水平距離為L的屏上,電子束在屏上的偏移距離為d.

圖11

(1)試判斷電子束偏向什么方向;

(2)試求地磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的豎直分量B2.

 

 

 

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利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。

如圖所示的矩形區(qū)域ABCDAC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂于磁場的方向射入磁場,運(yùn)動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集,整個裝置內(nèi)部為真空。

已知被加速度的兩種正離子的質(zhì)量分別是,電荷量均為。加速電場的電勢差為U,離子進(jìn)入電場時的初速度可以忽略,不計(jì)重力,也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質(zhì)量為的離子進(jìn)入磁場時的速率;

(2)當(dāng)感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點(diǎn)的間距s;

(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實(shí)際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點(diǎn)區(qū)域受疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離。

    設(shè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處;離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度。

 

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利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運(yùn)動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進(jìn)入電場時的初速度可以忽略.不計(jì)重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進(jìn)入磁場時的速率v1;
(2)當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點(diǎn)的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實(shí)際裝置中狹縫具有一定寬度.若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點(diǎn)區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離.設(shè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處.離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場.為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度.
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