如圖所示，虛線表示某電場(chǎng)中一簇等勢(shì)面，相鄰等勢(shì)面之間電勢(shì)差相等，一帶正電的粒子以一定的初速度進(jìn)入電場(chǎng)中，只在電場(chǎng)力作用下從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)，此過(guò)程中電場(chǎng)力對(duì)該粒子做負(fù)功，則由此可知（     ）

A．M點(diǎn)的電勢(shì)要比N點(diǎn)的高

B．此帶電粒子在M點(diǎn)受到的電場(chǎng)力比在N點(diǎn)要大

C．帶電粒子在M點(diǎn)的電勢(shì)能比在N點(diǎn)要小

D．帶電粒子經(jīng)過(guò)M點(diǎn)時(shí)的速率比經(jīng)過(guò)N點(diǎn)的要小

如圖所示，虛線表示某電場(chǎng)中一簇等勢(shì)面，相鄰等勢(shì)面之間電勢(shì)差相等，一帶正電的粒子以一定的初速度進(jìn)入電場(chǎng)中，只在電場(chǎng)力作用下從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)，此過(guò)程中電場(chǎng)力對(duì)該粒子做負(fù)功，則由此可知

1. A.
   M點(diǎn)的電勢(shì)要比N點(diǎn)的高
2. B.
   此帶電粒子在M點(diǎn)受到的電場(chǎng)力比在N點(diǎn)要大
3. C.
   帶電粒子在M點(diǎn)的電勢(shì)能比在N點(diǎn)要小
4. D.
   帶電粒子經(jīng)過(guò)M點(diǎn)時(shí)的速率比經(jīng)過(guò)N點(diǎn)的要小

圖3

圖4

靜電透鏡是利用靜電場(chǎng)使電子束匯聚或發(fā)散的一種裝置，其中某部分靜電場(chǎng)的分布如圖所示.虛線表示這個(gè)靜電場(chǎng)在xOy平面內(nèi)的一簇等勢(shì)線，等勢(shì)線形狀相對(duì)于Ox軸、Oy軸對(duì)稱.等勢(shì)線的電勢(shì)沿x軸正向增加，且相鄰兩等勢(shì)線的電勢(shì)差相等.一個(gè)電子經(jīng)過(guò)P點(diǎn)（其橫坐標(biāo)為-x₀）時(shí)，速度與Ox軸平行.適當(dāng)控制實(shí)驗(yàn)條件，使該電子通過(guò)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)僅在Ox軸上方運(yùn)動(dòng).在通過(guò)電場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中，該電子沿y方向的分速度v_y隨位置坐標(biāo)x變化的示意圖可能是圖中  (     )