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現(xiàn)有兩個電阻元件,其中一個是由金屬材料制成的,它的電阻隨溫度的升高而增大,另一個是由半導體材料制成的,其電阻隨溫度的升高而減小,F(xiàn)對其中一個電阻元件R0進行測試,測得其電流與加在它兩端的電壓值,測試數(shù)據(jù)如下表:
次數(shù) 物理量 | 第一次 | 第二次 | 第三次 | 第四次 | 第五次 | 第六次 | 第七次 | 第八次 |
U/V | 0.40 | 0.60 | 0.80 | 1.00 | 1.20 | 1.40 | 1.60 | 1.80 |
I/A | 0.20 | 0.45 | 0.80 | 1.25 | 1.80 | 2.45 | 3.20 | 4.05 |
(1)請根據(jù)表中數(shù)據(jù),判斷元件R0可能是由上述哪類材料制成的?并說明理由。
(2)把定值電阻R和元件R0接入如圖所示的電路中,閉合開關后,電流表讀數(shù)為1.8A。已知電路中電源電壓恒為3V,此時定值電阻R的電功率為多大?
(3)分析表中數(shù)據(jù),寫出通過元件R0的電流I和元件R0兩端的電壓U之間的關系式。
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物理學中,磁場的強弱用磁感應強度B(單位是T)表示,B越大,磁場越強調B=0,表示沒有磁場。如圖電阻的大小隨磁場的強弱變化而變化,則這種電阻叫磁敏電阻。
(1)圖甲是某物理興趣小組的同學測出的某磁敏電阻R的阻值隨磁感應強度B變化的圖像。根據(jù)此圖像分析可知,磁敏電阻的阻值隨磁感應強度B的增大而 (選填“增大”或“減小”)。
(2)小明同學將該磁敏電阻R放在磁場外(磁感應強度B=0),接入圖乙所示電路,閉合開關后,電流表示數(shù)如圖丙所示,則流過磁敏電阻R的電流為 mA,此時磁敏電阻R兩端電壓表為 V。
(3)只要在圖乙中再連入一個電壓表,就可測量磁敏電阻的阻值,利用圖甲,可知道相應位置的磁感應強度大小。請你幫助小明同學在答題卡第27題圖上將電壓表連入電路。
(4)小明同學正確接線后,將磁敏電阻R置于磁場中的A點,然后接通電路,并調節(jié)滑動變阻器,此時電壓表和電流表的示數(shù)分別為7V和20mA,則A事業(yè)的磁感應強度B= T。改變磁敏電阻R在A處放置的方向,發(fā)現(xiàn)電壓表和電流表的示數(shù)都不變,則表明該磁敏電阻的阻值與磁場方向 (選填“有關”或“無關”)。
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小亮同學利用“替代法”測量一;ㄉ椎拿芏龋瑢嶒炦^程中如下圖所示。在下列空格中填寫適當內容:
(1)如圖甲,選擇一粒飽滿的花生米放入裝有適量水的透明燒杯中,發(fā)現(xiàn)花生米下沉至杯底,則花生米完全浸沒在水中下沉時所受的浮力 重力(選填“大于”、“等于”或“小于”)。
(2)如圖乙,往燒杯中逐漸加鹽并充分攪拌,直至觀察到花生米處于 狀態(tài),隨即停止加鹽。
(3)如圖丙示,取出花生米,用調好的天平測出燒杯和鹽水的總質量為 g;
(4)將燒杯中的鹽水全部倒入量筒中,用天平測出空燒杯的質量為59g,如圖丁示,用量筒測出鹽水的體積為 mL。
(5)通過公式計算出鹽水的密度即可知花生米的密度,本實驗中花生米的密度為 g/cm3(結果小數(shù)點后保留兩位數(shù)字)。
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小明同學在“探究凸透鏡成像規(guī)律”的實驗中,選用了焦距未知的凸透鏡:
(1)將凸透鏡安裝在光具座上,用平行光作光源,移動光屏,在光屏上得到一個最小最亮的光斑,如圖所示,則該凸透鏡的焦距為 cm。
(2)正確安裝調節(jié)好實驗裝置后,小明同學進一步實驗,當把燭焰放在凸透鏡25cm處時,在凸透鏡另一側前后移動光屏,會在光屏上得到一個倒立 (選填“放大”或“縮小”)的清晰的實像。
(3)應用(2)中描述的凸透鏡成像原理,可以制成 (選填“放大鏡”、“投影儀”或“照相機”)。
(4)當燭焰通過凸透鏡在光屏上成一實像時,小明用不透明的紙擋住透鏡下半部分,則光屏上 所成的像 (選填“完整”或“不完整”)。
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