16．下列溶液中，陰離子濃度最大的是（　�。�
A．50mL 0.5mol•L-1H2SO4溶液B．35mL 0.6mol•L-1 Al2（SO4）3溶液
C．70mL 0.8 mol•L-1NaCl溶液D．60mL 0.7 mol•L-1 Na2CO3溶液

分析 根據(jù)溶液中陰離子的物質(zhì)的量濃度=鹽的濃度×化學(xué)式中陰離子個(gè)數(shù)，以及陰離子是否發(fā)生水解據(jù)此分析解答．

解答 解：A．0.5mol/L H2SO4溶液50mL，陰離子為硫酸根離子，離子濃度為0.5mol•L-1；
B．0.6mol/L Al2（SO4）3溶液35mL，陰離子為硫酸根離子，離子濃度為1.8mol•L-1；
C．0.8mol/L NaCl溶液70mL，陰離子為氯離子，離子濃度為0.8mol•L-1；
D．0.7mol/L Na2CO3溶液60mL，CO32-水解，使陰離子濃度稍增大：CO32-+H2O?HCO3-+OH-，HCO3-+H2O?H2CO3+OH-，水解程度微弱，略大于0.7mol/L，
所以陰離子濃度最大的為B，
故選B．

點(diǎn)評 本題考查了溶液中陰離子物質(zhì)的量濃度的計(jì)算，題目難度不大，需要注意的是能夠水解的離子．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

6．原子序數(shù)依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七種元素，核電荷數(shù)均小于36．已知X的 一種1：2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵，且所有原子共平面；Z的L層上有2個(gè)未成對電子；Q原子s原子軌道與p原子軌道電子數(shù)相等；R單質(zhì)是制造各種計(jì)算機(jī)、微電子產(chǎn)品的核心材料；T處于周期表的ds區(qū)，原子中只有一個(gè)未成對電子．
（1）Y原子核外共有7種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，T原子有7種不同原子軌道的電子．
（2）X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃＜O＜N（用元素符號(hào)表示）．
（3）Z與R能形成化合物甲，1mol甲中含4mol化學(xué)鍵，甲與氫氟酸反應(yīng)，生成物的分子空間構(gòu)型分別為正四面體形、V形；
（4）G、Q、R氟化物的熔點(diǎn)如下表，造成熔點(diǎn)差異的原因?yàn)镹aF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點(diǎn)低；Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數(shù)高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高；
氟化物G的氟化物Q的氟化物R的氟化物
熔點(diǎn)/K9931539183
（5）向T的硫酸鹽溶液中逐滴加入Y的氫化物的水溶液至過量，反應(yīng)的離子方程式為Cu2++2 NH3•H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

7．下列物質(zhì)分類正確的是（　�。�
A．SO2、SO3、CO2均為酸性氧化物
B．稀豆?jié){、氯化鐵溶液均為膠體
C．燒堿、冰醋酸、四氯化碳、氨氣均為電解質(zhì)
D．氨水、漂白粉、氫氟酸、小蘇打均為純凈物

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

4．短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次增大，A和C同主族，B和D同主族，原子半徑A小于B，四種元素原子最外層電子數(shù)之和為14．下列敘述正確的是（　　）
A．B和D、C和D組成的常見化合物中化學(xué)鍵的類型相同
B．同周期元素中D的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性最強(qiáng)
C．氫化物的熱穩(wěn)定性：HnB＜HnD
D．離子半徑的大小順序：rD＞rB＞rC＞rA

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

11．硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個(gè)有一個(gè)奇跡．
（1）新型陶瓷Si3N4的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定．工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法，在H2的保護(hù)下，使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl．
（2）一種工業(yè)用硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅．一種合成氮化硅的工藝主要流程如下：

①凈化N2和H2時(shí)，銅屑的作用是除去原料氣中的氧氣；硅膠的作用是除去生成的水蒸氣．
②在氮化爐中3SiO2（s）+2N2（g）=Si3N4（s）△H=-727.5kJ/mol，開始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟仍摲磻?yīng)為放熱反應(yīng)，防止局部過熱，導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán)，阻礙與N2的接觸；體系中要通入適量的氫氣是為了將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣，而易被除去（或?qū)⒄麄�(gè)體系中空氣排盡）．
③X可能是硝酸（選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）．
（3）工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅：

①整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl．
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失，反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%，反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%．則在第二輪次的生產(chǎn)中，補(bǔ)充投入HCl 和H2的物質(zhì)的量之比是5：1．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

1．過氧化鈉是一種淡黃色固體，它能與二氧化碳反應(yīng)生成氧氣，在潛水艇中用作制氧劑，供人類呼吸之用．它與二氧化碳反應(yīng)的化學(xué)方程式為：2Na2O2+2CO2═2Na2CO3+O2．某學(xué)生為了驗(yàn)證這一實(shí)驗(yàn)，以足量的大理石、足量的鹽酸和1.95g過氧化鈉樣品為原料，制取O2，設(shè)計(jì)出如下實(shí)驗(yàn)裝置：


（1）A中制取CO2的裝置，應(yīng)從下列圖中選哪個(gè)圖：②

B裝置的作用是吸收A裝置中產(chǎn)生的鹽酸酸霧，C裝置內(nèi)可能出現(xiàn)的現(xiàn)象是白色固體變藍(lán)色．如何檢驗(yàn)E中收集到的氣體帶火星復(fù)燃．
（2）若E中的石灰水出現(xiàn)出現(xiàn)輕微白色渾濁，請說明原因：未反應(yīng)的二氧化碳與石灰水反應(yīng)所致．
（3）若D中的1.95g過氧化鈉樣品接近反應(yīng)完畢時(shí)，你預(yù)測E裝置內(nèi)有何現(xiàn)象？E中石灰水的白色渾濁明顯增加，瓶內(nèi)液面的下降接近停止．
（4）反應(yīng)完畢時(shí)，若測得E中的集氣瓶收集到的氣體為250mL，又知氧氣的密度為1.43g/L，當(dāng)裝置的氣密性良好的情況下，實(shí)際收集到的氧氣體積比理論計(jì)算值相差30mL（取整數(shù)值，所用數(shù)據(jù)均在標(biāo)準(zhǔn)狀況下測定），這是由于Na2O2可能含有其它雜質(zhì)，D裝置可能有氧氣未被排出．
（5）你認(rèn)為上述A-E的實(shí)驗(yàn)裝置中，E部分是否安全、合理？E是否需要改為下列四項(xiàng)中的哪一項(xiàng)：不安全，不合理；乙．（用甲、乙、丙、丁回答）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

8．下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（　　）
A．過氧化氫酶、酚醛樹脂、尼龍、有機(jī)玻璃、PVC都是高分子化合物
B．分子篩、青花瓷、黏土、硅藻土的主要成分都是硅酸鹽
C．植物秸稈發(fā)酵制沼氣、玉米制乙醇、城市與工業(yè)有機(jī)廢棄物的再利用都涉及生物質(zhì)能
D．酸堿質(zhì)子理論進(jìn)一步擴(kuò)大了人們對酸堿的認(rèn)識(shí)，可以解釋一些非水溶液中進(jìn)行的酸堿反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

5．X元素原子的第二層比Y元素原子的第二層少3個(gè)電子，X元素原子核外電子總數(shù)比Y元素原子核外電子總數(shù)少5個(gè)，則X和Y可能形成的化合物是（　�。�
A．離子化合物Y（XO3）2B．離子化合物Y2X3C．共價(jià)化合物Y3X2D．共價(jià)化合物XY2

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

6．已知連二次硝酸（H2N2O2）是一種二元酸，25℃時(shí)，用0.01mol．L-1的鹽酸滴定10mL0.01mol．L-1Na2N2O2溶液，溶液的pH與鹽酸體積[V（HCl）]的關(guān)系如圖所示．下法說法正確的是（　　）
A．M點(diǎn)的溶液中加人少量水，溶液的pH增大
B．N點(diǎn)溶液中：c（N2O22-）+c（OH-）＞c（H2N2O2）
C．P點(diǎn)溶液中，H2O不發(fā)生電離
D．溶液中$\frac{c（{H}^{+}）}{c（H{N}_{2}{{O}_{2}}^{-}）}$：N＞P＞Q．

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