9.在同溫同壓下,下列各組熱化學(xué)方程式中,△H2>△H1的是( 。
A.2H2(g)+O2(g)═2H2O(g)△H1 2H2(g)+O2(g)═2H2O(l)△H2
B.S(g)+O2(g)═SO2(g)△H1 S(s)+O2(g)═SO2(g)△H2
C.C(s)+$\frac{1}{2}$O2(g)═CO(g)△H1 C(s)+O2(g)═CO2(g)△H2
D.2HCl(g)═H2(g)+Cl2(g)△H1
$\frac{1}{2}$H2(g)+$\frac{1}{2}$Cl2(g)═HCl(g)△H2

分析 A、液態(tài)水變?yōu)闅鈶B(tài)水的過程是吸熱過程;
B、固體硫變?yōu)闅鈶B(tài)硫需要吸收熱量;
C、碳單質(zhì)完全燃燒放熱多于不完全燃燒放的熱.
D、化合反應(yīng)是放熱反應(yīng),焓變是負(fù)值;分解反應(yīng)是吸熱反應(yīng),焓變是正值;

解答 解:A、物質(zhì)的燃燒反應(yīng)是放熱的,焓變是負(fù)值,液態(tài)水變?yōu)闅鈶B(tài)水的過程是吸熱的,故△H1>△H2,故A錯誤;
B、物質(zhì)的燃燒反應(yīng)是放熱的,所以焓變是負(fù)值,固體硫變?yōu)闅鈶B(tài)硫需要吸收熱量,故△H1<△H2,故B正確;
C、碳單質(zhì)完全燃燒生成二氧化碳放熱多于不完全燃燒生成一氧化碳放的熱,反應(yīng)的焓變是負(fù)值,故△H1>△H2,故C錯誤;
D、化合反應(yīng)是放熱反應(yīng),焓變是負(fù)值;分解反應(yīng)是吸熱反應(yīng),焓變是正值,所以△H1>△H2,故D錯誤;
故選B.

點評 本題考查熱化學(xué)反應(yīng)方程式,比較反應(yīng)熱及熱量時注意正負(fù)號,并能注意隱含的常識是物質(zhì)的狀態(tài)不同能量也不同來解答即可,題目難度不大.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

19.下列有機物命名正確的選項為( 。
A.3,3-甲基丁烷B.2,2-二甲基戊烷
C.2-甲基乙烷D.2,3,3-三甲基丁烷

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20.將足量的SO2通入BaCl2溶液中,無明顯現(xiàn)象,當(dāng)加入(或通入)某試劑(或氣體)X后有沉淀生成.此試劑(或氣體)X 可能是(  )
①NaOH溶液  ②NaCl溶液   ③氨水溶液  ④新制氯水   ⑤H2S⑥CO2
A.①②④B.①③④⑤C.②③⑤⑥D.④⑤⑥

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17.下列關(guān)于鈉的敘述中,正確的是( 。
A.鈉是銀白色金屬,熔點低,硬度大
B.鈉放置于空氣中,會迅速被氧化而生成淡黃色的氧化鈉
C.在氧氣中加熱時,金屬鈉劇烈燃燒,黃色火焰
D.金屬鈉著火可以用水滅火

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4.某單烯烴和氫氣完全加成后得到的飽和烴是,該烯烴可能有的結(jié)構(gòu)有( 。
A.2種B.3種C.4種D.5種

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14.某有機化合物,關(guān)于該化合物下列說法不正確的是( 。
A.該有機物的分子式是C15H14O
B.1mol該有機物最多可以與7molH2發(fā)生加成反應(yīng)
C.該有機物分子中最多有7個碳原子共直線
D.該有機物既能使溴的四氯化碳溶液褪色,又能使酸性KMnO4溶液褪色

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1.下列說法中錯誤的是( 。
A.煤中含有苯及苯的同系物,可以通過干餾得到
B.煤是由有機物和無機物組成的復(fù)雜的混合物
C.乙烯是石油裂解后的產(chǎn)物
D.石油含有C5~C11的烷烴,可通過分餾得到汽油

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

18.晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HCl$\frac{\underline{\;300℃\;}}{\;}$SiHCl3+H2;
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅已知SiHCl3,能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中易自燃.
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為2C+SiO2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2CO+Si.
(2)粗硅與HCl反映完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為蒸餾.進行此實驗時,需要的儀器有蒸餾燒瓶、溫度計、冷凝管、錐形瓶(加熱和夾持儀器除外).
(3)為了保證第③步反應(yīng)能安全、順利進行,在操作上除檢查實驗 的氣密性、控制好溫度外,還應(yīng)注意將氫氣干燥、先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡.
(4)請寫出硅的一種重要用途半導(dǎo)體或硅芯片或硅太陽能電池板.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

19.除去下表內(nèi)各物質(zhì)中含有的少量雜質(zhì),寫出除雜試劑,并填寫分離方法.
序號物質(zhì)雜質(zhì)所加試劑分離方法
(1)NONO2
(2)Fe粉Al粉
(3)氯化鈉固體氯化銨固體/

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