Question

下面的排序不正確的是（　　）

• A、晶體熔點(diǎn)由低到高：CH₄＜SiH₄＜GeH₄＜SnH₄
• B、熔點(diǎn)由高到低：Rb＞K＞Na
• C、硬度由大到�。航饎偸�＞碳化硅＞晶體硅
• D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI

Answer 1

考點(diǎn)：晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系,晶格能的應(yīng)用

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A．碳族元素氫化物中，晶體的熔點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比；
B．堿金屬單質(zhì)中，其熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)的增大而減��；
C．原子晶體中，化學(xué)鍵的鍵長(zhǎng)與其鍵能成反比，鍵能與其硬度成正比；
D．離子晶體中晶格能大小與原子半徑成反比、與電荷成正比．

解答： 解：A．碳族元素氫化物中，晶體的熔點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比，所以碳族元素氫化物的相對(duì)分子質(zhì)量隨著原子序數(shù)的增大而增大，所以其晶體熔點(diǎn)由低到高：CH₄＜SiH₄＜GeH₄＜SnH₄，故A正確；
B．堿金屬單質(zhì)中，其熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)的增大而減小，所以熔點(diǎn)由高到低：Rb＜K＜Na，故B錯(cuò)誤；
C．原子晶體中，化學(xué)鍵的鍵長(zhǎng)與其鍵能成反比，鍵能與其硬度成正比，鍵長(zhǎng)C-C＜C-Si＜Si-Si，所以硬度由大到�。航饎偸�＞碳化硅＞晶體硅，故C正確；
D．離子晶體中晶格能大小與原子半徑成反比、與電荷成正比，鹵族元素中，離子半徑隨著原子序數(shù)的增大而增大，所以晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故D正確；
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了晶體熔點(diǎn)及硬度、晶格能的變化規(guī)律，根據(jù)晶體類型結(jié)合元素周期律分析解答，概念總結(jié)有關(guān)元素周期律知識(shí)，靈活運(yùn)用知識(shí)解答問(wèn)題，題目難度不大．