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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
高溫 |
c4(HCl) |
c(SiCl4)?c2(H2) |
c4(HCl) |
c(SiCl4)?c2(H2) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
高溫 |
c12(HCl) |
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2) |
c12(HCl) |
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g) Si3N4(s)+12HCl(g)+Q(Q>0)
完成下列填空:
31.在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2 L,3 min后達(dá)到平衡,測得固體的質(zhì)量增加了2.80 g,則H2的平均反應(yīng)速率___ mol/(L·min);該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=_____
32.上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說法正確的是_。
a.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
c.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量平衡向左移動
d.其他條件不變,增大HCl物質(zhì)的量平衡向左移動
33.一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是__。
a.3v逆(N2)=v正(H2) b.v正(HCl)=4v正(SiCl4)
c.混合氣體密度保持不變 d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
34.若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為,保持其它條件不變,降低溫度后達(dá)到新的平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比___(填“>”、“=”或“<”)。
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年上海市黃浦區(qū)高三上學(xué)期期末教學(xué)質(zhì)量調(diào)研化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
工業(yè)上高純硅可以通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+ 2H2(g) Si (s) + 4HCl(g) -236kJ
完成下列填空:
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,H2的平均反應(yīng)速率為0.1mol/(L·min),3min后達(dá)到平衡,此時(shí)獲得固體的質(zhì)量 g。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K= ?梢酝ㄟ^_______使K增大。
(3)一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是 。
a.2v逆(SiCl4)=v正(H2)
b.?dāng)嚅_4molSi-Cl鍵的同時(shí),生成4molH-Cl鍵
c.混合氣體密度保持不變
d.c(SiCl4):c(H2):c(HCl)=1:2:4
(4)若反應(yīng)過程如圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時(shí)間(min),若整個(gè)反應(yīng)過程沒有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是______,第3分鐘改變的條件是__________,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時(shí)間段是_____________ 。
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