向Ba(OH)2溶液中逐滴滴入稀H2SO4,則溶液的導電能力,下列敘述,描述正確的是
A.開始時,導電能力肯定最強 B.當沉淀為最大值時,導電性最弱
C.先變強,后變?nèi)酢 .逐漸變?nèi)?/p>
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下面有關(guān)氧化還原反應(yīng)的敘述正確的是( )。
A.金屬單質(zhì)在反應(yīng)中只作還原劑
B.非金屬單質(zhì)在反應(yīng)中只作氧化劑
C.金屬原子失電子越多其還原性越強
D.Cu2+比Fe2+的氧化性強,F(xiàn)e比Cu的還原性強
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1鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕時,正極發(fā)生反應(yīng)的電極反應(yīng)式為
A.Fe-2e-=Fe2+ B. Fe-3e-=Fe3+ C.O2+2H2O+4e-=4OH- D.2H++2e-= H2 ↑
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相同條件下,0.1mol/L Na2S2O3溶液和0.1mol/L H2SO4溶液各5mL,與10mL水混合,反應(yīng)時間為t1 s;0.2mol/L Na2S2O3溶液和0.2mol/L H2SO4溶液各5mL,與30mL水混合,反應(yīng)時間為t2 s,則t1和t2的關(guān)系是(忽略體積變化)
A. t1>t2 B. t1<t2 C. t1=t2 D.不能肯定
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現(xiàn)有陽離子交換膜、陰離子交換膜、石墨電極,請用氯堿工業(yè)中的膜技術(shù)原理,回答下列問題。
(1)寫出氯堿工業(yè)中電解飽和食鹽水的離子方程式 ;
(2)請利用交換膜技術(shù),根據(jù)上圖框架,設(shè)計一個電解硫酸鈉溶液制氫氧化鈉溶液和硫酸溶液的裝置,標出進出物質(zhì)的化學式:
A_________;C_________; E_________;膜b為 離子交換膜(填“陽”或“陰”)。
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在電解質(zhì)溶液的導電性裝置(如右圖所示)中,若向某一電解質(zhì)溶液中逐滴加入另一溶液,則燈泡由亮變暗至熄滅,后又逐漸變亮的是
A.鹽酸中逐滴加入食鹽溶液
B.硫酸中逐滴加入NaOH溶液
C.硫酸中逐滴加入Ba(OH)2溶液
D.硫酸銅溶液中逐滴加入NaOH溶液
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已知5KCl+KClO3+3H2SO4=3Cl2↑+3K2SO4+3H2O,下列說法不正確的是
A.KClO3是氧化劑
B.被氧化與被還原的氯元素的質(zhì)量比為5:1
C.H2SO4既不是氧化劑又不是還原劑
D.1mol KClO3參加反應(yīng)時有10mol電子轉(zhuǎn)移
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將10 g鐵碳合金放入氧氣中高溫灼燒,反應(yīng)后的氣體通入過量石灰水中得到沉淀1.4 g。則此鐵碳合金是( )。
A.生鐵 B.高碳鋼 C.中碳鋼 D.低碳鋼
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用Cr3+摻雜的氮化鋁是理想的LED用熒光粉基質(zhì)材料,氮化鋁(其晶胞如圖8所示)可由氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得。
(1)基態(tài)Cr的價電子排布式可表示為 ▲ 。
(2)氮化鋁的化學式為 ▲ ,距離鋁原子最近且距離相等的氮原子數(shù)目為 ▲ 個。
(3)氯化鋁易升華,其雙聚物Al2Cl6結(jié)構(gòu)如圖9所示。在Al2Cl6中存在的化學鍵有 ▲ (填字母)。
a.離子鍵 b.共價鍵 c.配位鍵 d.金屬鍵
(4)一定條件下用Al2O3和CCl4反應(yīng)制備AlCl3的反應(yīng)為:Al2O3+3CCl4===2AlCl3+3COCl2。其中COCl2分子的空間構(gòu)型為 ▲ 。一種與CCl4互為等電子體的分子的化學式為 ▲ 。
(5)AlCl3在下述反應(yīng)中作催化劑。分子③中碳原子的雜化類型為 ▲ 。
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