A、B、C、D、E、F六種元素的原子序數(shù)依次遞增。
已知：①F的原子序數(shù)為25，其余的均為短周期元素；②元素A與元素B同周期，元素A與元素E同主族，且A、B、E三種原子p軌道上均有2個未成對電子；③元素C、D、E在同一周期，且C原子中沒有未成對電子。
請回答下列問題：
(1)元素A與元素B的電負(fù)性大小比較為：________>________；元素C與元素D的第一電離能的大小比較為：________>________(填入相應(yīng)的元素符號)
(2)F的核外電子排布式為________。
(3)元素B與元素E形成的晶體所屬的晶體類型為________晶體，在該晶體中原子間形成的共價鍵屬于________(從下列選項中選出正確類型)。
A．σ鍵　　　　B．π鍵　　　　C．既有σ鍵，又有π鍵
(4)由氫元素與A、B兩元素共同構(gòu)成的相對分子質(zhì)量為30的分子里，中心原子的雜化軌道類型為________，分子的空間構(gòu)型為________．
(5)根據(jù)等電子原理，寫出由元素A與元素B構(gòu)成的一種雙原子極性分子的結(jié)構(gòu)式：________。
(1)O；C；Mg；Al　(2)[Ar]3d54s2(或1s22s22p63s23p63d54s2)　(3)原子；A　(4)sp2；平面三角形　(5)C≡O(shè)
A、B是第二周期元素，C、D、E是第三周期元素。由題意，A原子的電子排布式為1s22s22p2，B原子的電子排布式為1s22s22p4；C原子中沒有未成對電子，則C原子的電子排布式為1s22s22p63s2，所以A是C(碳)，B是O，C是Mg，D是Al，E是Si。(1)電負(fù)性O(shè)>C。因為Mg原子3s軌道上排滿了2個電子，3p軌道上沒有電子，Al的3p軌道上有1個電子，所以Mg的第一電離能比Al的第一電離能大。(2)F是25Mn，因為能級交錯，E(3d)>E(4s)，其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2。(3)SiO2晶體是原子晶體，Si—O鍵是單鍵，單鍵是σ鍵。(4)該物質(zhì)是甲醛(HCHO)，甲醛是平面三角形結(jié)構(gòu)，C原子以sp2的方式雜化。(5)CO與N2是等電子體，結(jié)構(gòu)相似，CO是極性分子，分子中間的化學(xué)鍵是三鍵。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
有A、B、C、D、E、F、G、H原子序數(shù)遞增的前四周期八種元素。請根據(jù)下列信息，回答問題：
①A、B、C、D、E、F為短周期主族元素，原子半徑大小關(guān)系為A＜D＜C＜B＜F＜E；
②A與D形成的化合物常溫下為液態(tài)；
③B元素原子價電子（外圍電子）排布為nSnnPn
④F元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)多1；
⑤第一電子能：F＜E；
⑥G的基態(tài)原子核外有6個未成對電子；
⑦H能形成紅色（或磚紅色）的和黑色的HD兩種化合物。
（1）G元素基態(tài)原子的價電子排布圖為                        。
（2）中B原子采取的雜化軌道類型為                     。
（3）根據(jù)等電子體原理，推測分子的空間構(gòu)型為                  。
（4）下列有關(guān)E、F的敘述正確的是（   ）
a.離子半徑E＞F              b.電負(fù)性E＜F
c.單質(zhì)的熔點E＞F            d. E、F的單質(zhì)均能與氧化物發(fā)生置換
e. E的氧化物具有兩性         f. E、F均能與氯元素構(gòu)成離子晶體
（5）極易溶于,原因是                                             。
（6）E單質(zhì)的晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，晶胞如下圖丙所示。則E單質(zhì)的晶體堆積模型為                。
若已知E原子半徑為r pm，表示阿伏伽德羅常數(shù)，晶胞的邊長為a。晶胞的高為h，則晶胞的密度可表示為          g/cm3。（用只含r和代數(shù)式表示）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號元素，它們的原子序數(shù)依次遞增。已知B、D兩種元素原子的最外層電子數(shù)是最內(nèi)層電子數(shù)的兩倍，而C元素原子的最外層電子數(shù)等于B元素原子的核外電子數(shù)，E的價電子數(shù)為1．回答下列問題。
（1）畫出C元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖       。
（2）在1mol DC2中，有    mol D—C鍵。
（3）在化合物BC2的晶體中，每個BC2分子周圍與它距離最近的BC2分子有   個。
（4）原子序數(shù)介于B、C之間的元素X和B、C都可與A形成10e-的化合物。則X、B、C的第一電離能順序是      （填元素符號），三種10e-的化合物中沸點最低的   。
（5）已知高溫下C和E元素形成的晶體呈立方體結(jié)構(gòu)，晶體中元素C的化合價部分為0價，部分為－2價。如下圖所示為C和E元素形成的晶體的一個晶胞(晶體中最小的重復(fù)單元)，則下列說法中正確的是            。

A．該晶體化學(xué)式為EC2（KO2），每個晶胞含有個4個E＋和4個C2-
B．晶體中每個E＋周圍有8個C2-，每個C2-周圍有8個E＋
C．晶體中與每個E＋距離最近的E＋有8個
D．晶體中，0價C與－2價C的數(shù)目比為3:1
E．C2-與N2互為等電子體

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Ⅰ.下列說法中正確的是       。
A．SO2和O3、PO43-和ClO4-互為等電子體
B．甲烷分子失去一個H＋，形成CH3-，其碳原子的雜化類型發(fā)生了改變
C．Ti原子的核外電子排布式為[Ar]3d34s2
D．CS2、H2O、C2H2都是直線形分子
E．CH4、BCl3、CO2都是含有極性鍵的非極性分子
Ⅱ.立方氮化硼是一種自然界不存在的人工合成超硬材料，硬度僅次于金剛石，是超硬材料領(lǐng)域的最重要成就之一。請回答下列問題：
(1)在第二周期，原子的第一電離能一般隨核電荷數(shù)的增大而逐漸       ，比較下列原子的第一電離能：Be       B，N       O(填“＞”“<”)，其原因是               。
(2)如圖為立方氮化硼的晶胞，則氮化硼的化學(xué)式為       ，該晶體中B原子填充N原子的       空隙。若該晶胞的邊長為a cm，那么該晶體的密度為       g/cm3(只要求列出算式)。

(3)立方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似，但其熔點比金剛石的低，試分析其原因：                                               。
(4)立方氮化硼由六方氮化硼在高溫高壓下制備，六方氮化硼又稱“白石墨”，結(jié)構(gòu)和許多性質(zhì)與石墨相似，六方氮化硼中N原子的雜化軌道類型為       ，請畫出六方氮化硼的平面結(jié)構(gòu)示意圖(用“○”代表N原子，用“●”代表B原子，每種原子不少于7個)。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列對一些實驗事實的理論解釋正確的是(　　)。
選項
實驗事實
理論解釋
A
氮原子的第一電離能大于氧原子
氮原子2p能級半充滿
B
CO2為直線形分子
CO2分子中C—O是極性鍵
C
金剛石的熔點低于石墨
金剛石是分子晶體，石墨是原子晶體
D
HF的沸點高于HCl
HF的相對分子質(zhì)量小于HCl
 

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E都是元素周期表中前20號元素，原子序數(shù)依次增大，B、C、D同周期，A、D同主族，E和其他元素既不在同周期也不在同主族，B、C、D的最高價氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應(yīng)生成鹽和水。根據(jù)以上信息，回答下列問題：

（1）A和D的氫化物中，沸點較低的是________（填“A”或“D”）；A和B的離子中，半徑較小的是________（填離子符號）。
（2）C在元素周期表中的位置是______________。
（3）A和E可形成離子化合物，其晶胞（晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復(fù)單元）結(jié)構(gòu)如上圖所示，陽離子（用“.”表示）位于該正方體的頂點或面心，陰離子（用“�！北硎荆┚挥谛≌襟w的中心。該化合物的電子式是___________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

現(xiàn)有aA、bB、cC、dD、eE、gG六種短周期元素，a+b=c，a+c=d，a+d=e，d+e=g，B、C、E、G的單質(zhì)均有多種同素異形體，請回答下列問題：
Ⅰ．（1）C、D、E元素的第一電離能由大到小的關(guān)系為____________。（用相應(yīng)的元素符號表示）
（2）請比較C2A4、D2A4、G2A4三種化合物的沸點由高到低的順序為    ____________________。（用化學(xué)式表示）
（3）有某種分子式為C4D4E8的物質(zhì)（該物質(zhì)中同種原子的化學(xué)環(huán)境完全相同，不含碳碳雙鍵）是一種威力極強(qiáng)的炸藥，則可推知其結(jié)構(gòu)簡式為____________。
Ⅱ．BG是一種耐磨材料，其與金剛石結(jié)構(gòu)相似，右圖為其結(jié)構(gòu)中的最小重復(fù)單元，它可由B的三溴化物和G的三溴化物于高溫下在氫氣的氛圍中合成。

（1）指出B的三溴化物中B的雜化方式為___________；G的三溴化物分子的結(jié)構(gòu)為_________型。
（2）寫出合成BG的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______________________________。
（3）已知晶體中B與G原子的最近距離為a pm，則該晶體的密度的表達(dá)式為__________g/cm3。（不需化簡）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、E、F為原子序數(shù)依次增大的六種元素，其中A、B、C、D、E為短周期元素，F(xiàn)為第四周期元素，F(xiàn)還是前四周期中電負(fù)極最小的元素。
已知：
A原子的核外電子數(shù)與電子層數(shù)相等；
B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個；
C原子的第一至第四電離能為I1＝738 kJ/mol，I2＝1451 kJ/mol，I3＝7733 kJ/mol，I4＝10540 kJ/mol；
D原子核外所有p軌道為全充滿或半充滿；
E元素的族序數(shù)與周期序數(shù)的差為4；
(1)寫出E元素在周期表位置：________；D元素的原子的核外電子排布式：____________________。
(2)某同學(xué)根據(jù)題目信息和掌握的知識分析C的核外電子排布為

該同學(xué)所畫的軌道式違背了________。

(3)已知BA5為離子化合物，寫出其電子式：______________。
(4)DE3中心原子雜化方式為__________________，其空間構(gòu)型為______________。
(5)某金屬晶體中原子堆積方式如圖甲，晶胞特征如圖乙，原子相對位置關(guān)系如圖丙，則晶胞中該原子配位數(shù)為________；空間利用率為________；該晶體的密度為________。(已知該金屬相對原子質(zhì)量為m，原子半徑為a cm)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

鈦是20世紀(jì)50年代發(fā)展起來的一種重要的結(jié)構(gòu)金屬，鈦合金因具有強(qiáng)度高、耐蝕性好、耐熱性高等特點而被廣泛用于各個領(lǐng)域。
（1）與鈦同周期的所有元素的基態(tài)原子中，未成對電子數(shù)與鈦相同的元素有      （填元素符號）。
（2）[Ti(OH)2(H2O)4]2+中的化學(xué)鍵有        。
A．σ鍵B．π鍵C．離子鍵D．配位鍵
（3）納米TiO2是一種應(yīng)用廣泛的催化劑，納米TiO2催化的一個實例如下圖所示。

化合物甲的分子中采取sp2雜化方式的碳原子個數(shù)為        ，化合物乙中采取sp3雜化的原子的第一電離能由小到大的順序為        。
（4）有一種氮化鈦晶體的晶胞如圖所示，該晶體的化學(xué)式為    ，該晶體中Ti原子周圍與它距離最近且相等的N原子的個數(shù)______。

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