14.第VA族元素及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應用
(1)砷的電子排布式為[Ar]3d104s24p3,N、P、As三種元素的最常見氫化物沸點由高到低的順序為NH3>AsH3>PH3,高純度砷可用于生產(chǎn)半導體材料GaAs,在GaAs晶體,Ga、As原子最外電子層均達到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則GaAs晶體中砷的配位數(shù)為4.
(2)對硝基苯酚水合物是一種具有特殊功能的物質(zhì),其結(jié)構(gòu)簡式為.該物質(zhì)中幾種元素的第一電離能由大到小的順序是N>O>C>H,該物質(zhì)的晶體中肯定不存在的作用力是d.
a.氫鍵    b.極性鍵    c.范德華力    d.離子鍵    e.σ鍵
(3)科學家將NaNO3和Na2O在一定條件下反應得到一種白色晶體,已知其中陰離子與SO42-
為等電子體,則該陰離子的化學式是NO43-
(4)PM2.5富含大量的有毒、有害物質(zhì),易引發(fā)二次光化學煙霧污染,光化學煙霧中含有NOx、O3、CH2=CHCHO、HCOOH、CH3COOONO2 (PAN)等二次污染物.
①N2O結(jié)構(gòu)式可表示為N=N=O,N2O中氮原子的雜化軌道類型為sp2、sp,1mol PAN中含σ鍵數(shù)目為10NA
②測定大氣中PM2.5的濃度方法之一是β-射線吸收法,β-射線放射源可用85Kr.Kr晶體為面心立方晶體,若晶體中與每個Kr原子相緊鄰的Kr原子有m個,晶胞中含Kr原子為n個,則$\frac{m}{n}$=3(填數(shù)字).已知Kr晶體的密度為ρg/cm3,摩爾質(zhì)量為Mg/mol,阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示,列式表示Kr晶胞參數(shù)a=$\root{3}{\frac{4M}{p{N}_{A}}}$×107nm.

分析 (1)根據(jù)構(gòu)造原理書寫核外電子排布式;NH3分子間存在氫鍵,沸點最高,分子的相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,分子晶體的沸點越高;由晶體中鎵、砷原子最外層電子數(shù)目知,鎵與砷之間形成了四個共價鍵(其中有一個為配位鍵),晶體中每個鎵原子、砷原子均與另外四個原子成鍵;
(2)同一周期元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素;同一主族元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈減;陰陽離子之間存在離子鍵,非金屬元素之間存在共價鍵,不同分子間還存在范德華力,氧原子和氫原子間存在氫鍵;
(3)原子個數(shù)相等價電子數(shù)相等的微粒屬于等電子體,且等電子體結(jié)構(gòu)相似,陰離子與SO42-互為等電子體,則該離子是NO4 3-;
(4)①根據(jù)氮原子的價層電子對數(shù)判斷雜化方式,一個單鍵就是一個σ鍵,一個雙鍵中含有一個σ鍵,一個π鍵;
②以頂點為計算,與之相鄰的最近的Kr位于三個面心上,而頂點的原子為8個立方體共有,每個面心上的Kr為兩個立方體共有,故與每個Kr原子相緊鄰的Kr原子有3×4=12,晶胞中含Kr原子為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,然后求出比值;根據(jù)V=$\frac{m}{ρ}$求得晶胞的體積,進而可求得晶胞邊長.

解答 解:(1)砷的原子序數(shù)為33,為第四周期元素,電子排布式為:[Ar]3d104s24p3;由于NH3分子間存在氫鍵,所以NH3的沸點最高,由于AsH3的相對分子質(zhì)量大于PH3,故AsH3的沸點高于PH3,所以沸點:NH3>AsH3>PH3;由晶體中鎵、砷原子最外層電子數(shù)目知,鎵與砷之間形成了四個共價鍵(其中有一個為配位鍵),晶體中每個鎵原子、砷原子均與另外四個原子成鍵,故配位數(shù)為4;
故答案為:[Ar]3d104s24p3;NH3>AsH3>PH3;4;
(2)同一周期元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素,所以第一電離:N>O>C;同一主族元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈減小,所以第一電離:N>O>C>H;由對硝基苯酚水合物的組成知其晶體為分子晶體,苯酚中的羥基與結(jié)晶水之間存在氫鍵,不同分子間還存在范德華力,氧與氫原子間形成的化學鍵是極性鍵也是σ鍵,但沒有離子鍵;
故答案為:N>O>C>H;d;
(3)根據(jù)等電子體知識可知,該離子的化學式為NO43-
故答案為:NO43-;
(4)①在N=N=O中,邊上的氮原子的價層電子對數(shù)為$\frac{5+1}{2}$=3,所以是sp2雜化,中間氮原子的價層電子對數(shù)為$\frac{5-1}{2}$=2,所以是sp雜化,根據(jù)的結(jié)構(gòu)可知,每個分子中含有10個σ鍵,所以1mol PAN中含σ鍵數(shù)目為10NA,
故答案為:sp2、sp;10NA
②以頂點為計算,與之相鄰的最近的Kr位于三個面心上,而頂點的原子為8個立方體共有,每個面心上的Kr為兩個立方體共有,故與每個Kr原子相緊鄰的Kr原子有3×4=12,晶胞中含Kr原子為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,所以m:n=12:4=3;根據(jù)V=$\frac{m}{ρ}$可知晶胞的體積為$\frac{\frac{4M}{{N}_{A}}}{ρ}$cm3=$\frac{4M}{ρ{N}_{A}}$cm3,所以晶胞邊長a=$\root{3}{\frac{4M}{p{N}_{A}}}$cm=$\root{3}{\frac{4M}{p{N}_{A}}}$×107nm,
故答案為:3;$\root{3}{\frac{4M}{p{N}_{A}}}$×107

點評 本題考查物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),注重對電子排布式、氫化物沸點比較、第一電離能、等電子體、原子雜化方式、晶胞的計算等知識,難度中等,注重基礎(chǔ)知識的考查,側(cè)重于考查學生的分析能力和對基礎(chǔ)知識的綜合應用考查.

練習冊系列答案
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②20℃時,0.1mol•L-1NH4Al(SO42中2c(SO42-)-c(NH4+)-3c(Al3+)=10-3mol•L-1mol•L-1+(填精確值)
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