請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:
①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式: ____________________________________。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)__________________________;還原過(guò)程中若混入可能引起的后果是____________________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是_________ (填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥 |
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承 |
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維 |
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高 |
(1)①Si+3HCl
②↑ 發(fā)生爆炸
(2)BC
(3)有白色膠狀沉淀生成,反應(yīng)原理為 Na2SiO3 + 2HNO3 = H2SiO3↓+ 2NaNO3
解析試題分析:(1)①根據(jù)原子守恒即質(zhì)量守恒可以寫出SiHCl3與H2反應(yīng)的化學(xué)方程式。
②SiHCl3和H2O劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),分析它們化合價(jià)的變化可知, ,而Cl的化合價(jià)未發(fā)生變化,因此另一種元素即H元素的化合價(jià)必定降低,即另一種物質(zhì)是H2。
(2)SiC和Si3N4均為原子晶體,熔點(diǎn)高,性質(zhì)穩(wěn)定,A、B正確。光導(dǎo)纖維的材料為SiO2,C正確。玻璃是一種玻璃態(tài)物質(zhì),無(wú)固定的熔點(diǎn)。鹽酸不能與硅反應(yīng),而HCl在573 K以上的溫度下可與硅發(fā)生反應(yīng)。因此D、E都不正確。
(3)有白色膠狀沉淀生成,HNO3的酸性大于硅酸,所以發(fā)生反應(yīng):Na2SiO3 + 2HNO3 = H2SiO3↓+ 2NaNO3。
考點(diǎn):本題考查硅單質(zhì)及其化合物的性質(zhì)及其應(yīng)用、化學(xué)方程式的書寫、實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的描述。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
離子化合物AB2的陰、陽(yáng)離子的電子層結(jié)構(gòu)相同,1 mol AB2中含54 mol電子,且有下列反應(yīng):
①H2+B2C
②B2+X→Y+AB2+H2O
③Y+C→AB2+Z,Z有漂白作用。
根據(jù)上述條件回答下列問(wèn)題:
(1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式:AB2__________,X________,Y________,Z________。
(2)用電子式表示AB2的形成過(guò)程:_____________________________________________。
(3)寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式:______________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
硅及其化合物對(duì)人類現(xiàn)代文明的發(fā)展具有特殊貢獻(xiàn)。請(qǐng)回答下列有關(guān)問(wèn)題:
(1)硅原子的結(jié)構(gòu)示意圖:________。
(2)下列物品或設(shè)備所用的材料屬于硅酸鹽的是________。
①長(zhǎng)江三峽水泥大壩 ②石英光導(dǎo)纖維、厶沾邵釄
④普通玻璃 ⑤硅太陽(yáng)能電池
A.①②⑤ | B.③④⑤ | C.②③④ | D.①③④ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
“蛇紋石石棉”主要成分有二氧化硅、氧化鎂和結(jié)晶水,它的化學(xué)式是Mg6[(OH)4Si2O5]2。
(1)“蛇紋石石棉”的氧化物形式為_(kāi)_____________________,其中原子半徑最大的元素
在周期表中的位置是______________________。
(2)Si原子的最外層的電子排布式為_(kāi)____________,SiO2與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式
為_(kāi)_______________________________________________。
(3) SiCl4比SiO2的熔點(diǎn)_____(填“低”、“高”),原因是__________________________。
(4)從哪些方面不能判斷Si和O的非金屬性強(qiáng)弱 。
A.利用Si和O在周期表中的位置 |
B.SiO2與水不發(fā)生反應(yīng) |
C.Si在一定條件下與氧氣反應(yīng),生成SiO2 |
D.H2SiO3的酸性比H2O的酸性強(qiáng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
噴泉是一種常見(jiàn)的自然現(xiàn)象,其產(chǎn)生的原因是存在壓強(qiáng)差。制取氨氣并完成噴泉實(shí)驗(yàn)(圖中夾持裝置均已略去)。
(1)寫出實(shí)驗(yàn)室制取氨氣的化學(xué)方程式: _________ 。
(2)收集氨氣應(yīng)使用 法。
(3)要得到干燥的氨氣可選用下列 做干燥劑。
A.濃硫酸 | B.堿石灰 | C.NaOH固體 | D.P2O5固體 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
硫元素有多種化合價(jià),可形成多種化合物。
(1)常溫下用1 mol·L﹣1 100 mL NaOH溶液恰好完全吸收0.1 mol SO2氣體,此反應(yīng)的離子方程式為 ;該溶液pH_______7(填“=”“>”或“<”)。
(2)某同學(xué)在常溫下設(shè)計(jì)如下實(shí)驗(yàn)流程探究Na2S2O3的化學(xué)性質(zhì)。
實(shí)驗(yàn)①可說(shuō)明________(填字母)
A.該Na2S2O3溶液中水電離的c(OH﹣)=10﹣8mol/L |
B.H2S2O3是一種弱酸 |
C.Na2S2O3是一種弱電解質(zhì) |
D.Na2S2O3水解方程式為S2O32﹣+2H2O=H2S2O3+2OH﹣ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
某化學(xué)興趣小組為探究SO2的性質(zhì),按下圖所示裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
請(qǐng)到答F列問(wèn)題:
(1)裝置A中盛放亞硫酸鈉的儀器名稱是 ,其中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ;
(2)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,裝置B、C中發(fā)生的現(xiàn)象分別是 、 ,這些現(xiàn)象分別說(shuō)明SO2具有的性質(zhì)是 和 ;裝置B中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 ;
(3)裝置D的目的是探究SO2與品紅作用的可逆性,請(qǐng)寫出實(shí)驗(yàn)操作及現(xiàn)象 ;
(4)尾氣可采用 溶液吸收。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
氯氣在科技、生產(chǎn)中應(yīng)用廣泛。
(1)工業(yè)上常用熟石灰和氯氣反應(yīng)制取漂白粉,化學(xué)方程式是 。
(2)實(shí)驗(yàn)室用MnO2與濃鹽酸反應(yīng)制取氯氣的原理如下:MnO2 + 4HClMnCl2 + Cl2↑+ 2H2O
①若制取11.2 L Cl2(標(biāo)準(zhǔn)狀況),則最少應(yīng)加入MnO2的質(zhì)量為_(kāi)_____g。
②用平衡移動(dòng)原理解釋可用排飽和食鹽水法收集氯氣的原因 。(結(jié)合必要的化學(xué)用語(yǔ)及文字回答)
③制備氯氣時(shí),可用NaOH溶液吸收尾氣,下列試劑也可用于吸收氯氣的是____(填字母)。
a. KI溶液 b. FeCl2溶液 c. KCl溶液
寫出你選擇的吸收試劑與Cl2反應(yīng)的離子方程式:_______。
④也可用濃氨水吸收氯氣,同時(shí)生成一種無(wú)污染的氣體,反應(yīng)的化學(xué)方程式是_______。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
氯氣是重要的化工原料。
(1)氯氣溶于水得到氯水,氯水中存在下列反應(yīng):Cl2 + H2O H++Cl-+ HClO,其平衡常數(shù)表達(dá)式為K= 。
(2)工業(yè)上常用熟石灰和氯氣反應(yīng)制取漂白粉,化學(xué)反應(yīng)方程式是 。流程如下圖所示,其主要設(shè)備是氯化塔,塔從上到下分四層。
將含有3%~6%水分的熟石灰從塔頂噴灑而入,氯氣從塔的最底層通入。這樣加料的目的是 。處理從氯化塔中逸出氣體的方法是 。
(3)某科研小組在實(shí)驗(yàn)室用較濃的KOH溶液直接吸收氯氣,研究發(fā)現(xiàn)反應(yīng)進(jìn)行一段時(shí)間后開(kāi)始出現(xiàn)KClO3并逐漸增多,產(chǎn)生KClO3的離子方程式是 ,其原因可能是 ,由此可知(2)中氯化塔設(shè)計(jì)為四層是為了減少生產(chǎn)中類似副反應(yīng)的發(fā)生。
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