為表示一個(gè)原子在第三電子層上有10個(gè)電子,可以寫成(   )

A.310               B.3d10              C.3s23p63d2         D.3s23p64s2

 

【答案】

C

【解析】

試題分析:根據(jù)構(gòu)造原理可知和電子的運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)可知,要表示一個(gè)原子在第三電子層上有10個(gè)電子,則應(yīng)該寫成3s23p63d2,答案選C。

考點(diǎn):考查核外電子的排布

點(diǎn)評:該題是基礎(chǔ)性試題的考查,試題基礎(chǔ)性強(qiáng),兼顧能力的培養(yǎng)和訓(xùn)練。該題的關(guān)鍵是熟練記住構(gòu)造原理,然后靈活運(yùn)用即可。

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素.
a
b c d e f
g h i j k l m
n o

試回答下列問題:
(1)請寫出字母O代表的元素符號
Fe
Fe
,該元素在周期表中的位置
第四周期第 VIII族
第四周期第 VIII族

(2)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如右圖,其中序號“8”代表
Si
Si
(填元素符號);其中電負(fù)性最大的是
2
2
(填如圖1中的序號).
(3)由j原子跟c原子以1:1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶型與晶體j相同.兩者相比熔點(diǎn)更高的是
SiC
SiC
(填化學(xué)式),試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋:
因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高
因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高

(4)k與l形成的化合物kl2的電子式是
,它在常溫下呈液態(tài),形成晶體時(shí),屬于
分子
分子
晶體.
(5)i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖2(甲)所示,其晶胞特征如圖2(乙)所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖2(丙)所示.若已知i的原子半徑為d,NA代表阿伏加德羅常數(shù),i的相對原子質(zhì)量為M,請回答:
一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為
4
4
,該晶體的密度_
2
M
8NAd3
2
M
8NAd3
(用M、NA、d表示).
(6)a與d構(gòu)成的陽離子和i的陽離子可與硫酸根形成一種復(fù)鹽,向該鹽的濃溶液中逐滴加入濃氫氧化鋇溶液,產(chǎn)生的現(xiàn)象有:①溶液中出現(xiàn)白色沉淀并伴有有刺激性氣味氣體放出,②沉淀逐漸增多后又逐漸減少直至最終沉淀的量不變.寫出沉淀的量不變時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式
NH4++Al3++5OH-+2SO42-+2Ba2+=NH3↑+3H2O+AlO2-+2BaSO4
NH4++Al3++5OH-+2SO42-+2Ba2+=NH3↑+3H2O+AlO2-+2BaSO4

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下表為部分短周期元素化合價(jià)及相應(yīng)氫化物沸點(diǎn)的數(shù)據(jù):
元素性質(zhì) 元素編號
A B C D E F G H
氫化物的沸點(diǎn)(℃) -60.7 -33.4 -111.5 100 -87.7 19.54 -84.9 -161.5
最高化合價(jià) +6 +5 +4 +5 +7 +4
最低化合價(jià) -2 -3 -4 -2 -3 -1 -1 -4
已知:①A與D可形成化合物AD2、AD3,可用于制備強(qiáng)酸甲;②B與D可形成化合物BD、BD2,可用于制備強(qiáng)酸乙.
請回答:
(1)表中屬于第三周期元素的是
ACEG
ACEG
(用表中元素編號填寫).
(2)寫出H的最高價(jià)氧化物的電子式:
,比較A、D、G三種簡單陰離子的半徑大小:
r(
S2-
S2-
)>r(
Cl-
Cl-
)>r(
O2-
O2-
) (用元素符號表示)
(3)由表中D元素和氫元素的原子按1:1組成的常見液態(tài)化合物的稀溶液易被催化分解,可使用的催化劑為(填序號)
ab
ab

a.MnO2b.FeCl3        c.Na2SO3      d.KMnO4
(4)分子組成為ADG2的物質(zhì)在水中會強(qiáng)烈水解,產(chǎn)生使品紅溶液褪色的無色氣體和一種強(qiáng)酸.該反應(yīng)的化學(xué)方程式是:
SOCl2+H2O=SO2+2HCl
SOCl2+H2O=SO2+2HCl

(5)工業(yè)生產(chǎn)強(qiáng)酸乙時(shí)可用純堿溶液處理尾氣,該反應(yīng)如下:BD+BD2+Na2CO3=2
NaNO2
NaNO2
+CO2
①橫線上某鹽的化學(xué)式應(yīng)為
NaNO2
NaNO2
;②每產(chǎn)生44.8L(標(biāo)準(zhǔn)狀況)CO2,被吸收尾氣的質(zhì)量是
152
152
g.
(6)請?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)方案,使得銅和稀的強(qiáng)酸甲反應(yīng),得到藍(lán)色溶液和氫氣,在答題卡指定位置繪出實(shí)驗(yàn)裝置圖,標(biāo)出必要的說明即可

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013年遼寧實(shí)驗(yàn)中學(xué)分校高二下學(xué)期階段性測試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題

為表示一個(gè)原子在第三電子層上有10個(gè)電子,可以寫成(   )

A.310B.3d10C.3s23p63d2D.3s23p64s2

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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年三校上海市)高三聯(lián)考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

部分中學(xué)化學(xué)常見元素原子結(jié)構(gòu)及性質(zhì)如表所示

序 號

元素

結(jié)構(gòu)及性質(zhì)

A

A在第三周期中簡單離子半徑最小

B

B原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的1/5

C

C是常用化肥的主要元素,單質(zhì)常溫下呈氣態(tài)

D            

通常情況下,D沒有正化合價(jià),A、B、C都能與D形成化合物

E

E在周期表中可以排在IA族,也可以排在ⅦA族

(1)A原子中的電子占有______個(gè)軌道,最外層有______種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。這五種元素的原子半徑由大到小的順序?yàn)開________________(用元素符號表示)。

(2)E與D可以按原子個(gè)數(shù)比2:1、1:1形成兩種化合物X、Y,區(qū)別X、Y這兩種物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)方法為______________________________________。E與C組成的兩種化合物M、N,所含電子數(shù)分別與X、Y相等,M的空間構(gòu)型為___________,N的結(jié)構(gòu)式為___________。

(3)C與D都是較活潑的非金屬元素,用一個(gè)有關(guān)的化學(xué)方程式說明兩種單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱_____________________________________。

(4)有人認(rèn)為A、B的單質(zhì)用導(dǎo)線連接后插入NaOH溶液中可形成原電池,你認(rèn)為是否可行,若可以,寫出負(fù)極的電極反應(yīng)式(若認(rèn)為不行可不寫)________________________。

 

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