Question

【題目】N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多，具有重要的研究價值和應用價值。請回答下列問題：
（1）N元素與Al、Si等元素在一定條件下生成AlN和Si3N4 ， 實驗測得二者在真空條件下的穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料。請推測它們屬于晶體類型。
（2）PCl3和PCl5是磷元素形成的兩種重要化合物，請根據(jù)價電子互斥理論推測PCl3的空間構型。
（3）As的核外電子排布式中不同類型(s、p、d、f等)的電子比是 。
（4）Cr元素價電子排布式為。
（5）砷化鎵以第三代半導體著稱，性能比硅更優(yōu)良，廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術中已知砷化鎵的晶胞結(jié)構如右圖所示，則砷化鎵晶胞結(jié)構與NaCl晶胞(填“相同”或“不同”)。

（6）根據(jù)As和Ga在元素周期表中的位置判斷，第一電離能AsGa(填“＜”“＞”或“=”)。
（7）(CH3)3Ga中鎵原子的雜化類型為。

Answer 1

【答案】
（1）原子
（2）三角錐形
（3）s電子：p電子：d電子=8：15：10
（4）3d54s1
（5）不同
（6）＞
（7）sp2雜化；
【解析】（1）根據(jù)AlN和Si3N4 ， 穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料等性質(zhì)推測它們屬于原子晶體；
（2）PCl3 中P原子價層電子對個數(shù)是3且含有一個孤電子對，P采取sp3雜化，空間構型為三角錐形；
（3）As為33號元素，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3 ， 不同類型的電子比為s電子：p電子：d電子=8：15：10；
（4）Cr是24號元素，價電子排布式為3d54s1；
（5）GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點和面心，而NaCl中陰陽離子分別位于晶胞的頂點、面心以及棱和體心，二者結(jié)構不同；
（6）同周期元素從左到右第一電離呈增大趨勢，但第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以則第一電離能：As＞Ga；
（7）(CH3)3Ga中Ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp2雜化；
所以答案是：（1）原子；（2）三角錐形；（3）s電子：p電子：d電子=8：15：10；（4）3d54s1；（5）不同；（6）＞；（7）sp2雜化；
【考點精析】利用原子晶體對題目進行判斷即可得到答案，需要熟知相鄰原子間以共價鍵相結(jié)合而形成空間網(wǎng)狀結(jié)構的晶體叫原子晶體．