計(jì)算機(jī)是現(xiàn)代非常重要的一種通訊工具,用于制造計(jì)算芯片的材料是
A．Na2CO3B．SiC．CaCO3D．SiO2
B
硅是良好的半導(dǎo)體材料，可用來(lái)制造元器件、晶體管等，答案為B
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

生態(tài)溶液涉及農(nóng)家肥料的綜合利用，某種肥料經(jīng)發(fā)酵得到一種含有甲烷、二氧化碳、氮?dú)獾幕旌蠚怏w。2．016L（標(biāo)準(zhǔn)狀況）該氣體通過(guò)盛有紅色CuO粉末的硬質(zhì)玻璃管，發(fā)生的反應(yīng)為：CH4＋4CuOCO2＋2H2O＋4Cu。當(dāng)甲烷完全反應(yīng)后，硬質(zhì)玻璃管的質(zhì)量減輕4．8g。將反應(yīng)后產(chǎn)生的氣體通過(guò)過(guò)量的澄清石灰水，充分吸收，生成沉淀8．5g。試計(jì)算：
（1）原混合氣體中甲烷的物質(zhì)的量是____________；二氧化碳的質(zhì)量是          。
（2）原混合氣體中氮?dú)獾捏w積分?jǐn)?shù)為                  。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列有關(guān)物質(zhì)的用途（括號(hào)內(nèi)為用途）說(shuō)法不正確的是
A．硅（半導(dǎo)體材料）B．二氧化硅（制光導(dǎo)纖維）
C．水玻璃（黏合劑）D．硅酸（作耐火材料）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（10分）工業(yè)生產(chǎn)粗硅的反應(yīng)有：
SiO2＋2CSi(粗)＋2CO↑；SiO2＋3C SiC＋2CO↑。
（1）若產(chǎn)品中粗硅與碳化硅的物質(zhì)的量之比為1∶1，則參加反應(yīng)的C 和SiO2的質(zhì)量比為_(kāi)_____________。
（2）粗硅進(jìn)一步制備純硅的原理如下：
Si(粗)＋2Cl2(g) SiCl4(l)；     SiCl4＋2H2 Si(純)＋4HCl。
若上述反應(yīng)中Si(粗)和SiCl4的利用率均為80%，制粗硅時(shí)有10%的SiO2轉(zhuǎn)化為SiC，則生產(chǎn)25.2噸純硅需純度為75%石英砂_______________噸。
（3）工業(yè)上還可以通過(guò)如下圖所示的流程制取純硅：

若反應(yīng)①為：Si(粗)＋3HCl(g)SiHCl3(l)＋H2(g)；
則反應(yīng)②的化學(xué)方程式為_(kāi)__________________________________ 。
假設(shè)每一輪次生產(chǎn)過(guò)程中，硅元素沒(méi)有損失，反應(yīng)①中HCl的利用率為α1，反應(yīng)②中H2的利用率為α2,，若制備1mol純硅，在第二輪次的生產(chǎn)中，現(xiàn)補(bǔ)充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是5∶1。則α1與α2的代數(shù)關(guān)系式為_(kāi)___________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

光導(dǎo)纖維的主要成分是(     )
A．SiB．SiO2C．SiCD．Na2SiO3

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（15分）硅酸鈉被國(guó)家列為“我國(guó)優(yōu)先發(fā)展的精細(xì)化學(xué)品”和“今后我國(guó)無(wú)機(jī)化工產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn)”之一。下圖是某種品位的石英砂礦石（主要成分是SiO2,還含有一定量的Fe2O3、Na2SO4、Na2CO3等雜質(zhì)）制備硅酸鈉的工藝流程示意簡(jiǎn)圖：


閱讀上述資料，回答下列問(wèn)題
（1）作為“我國(guó)優(yōu)先發(fā)展的精細(xì)化學(xué)品”，硅酸鈉用途很多，請(qǐng)列舉一個(gè)硅酸鈉的用途
                      
（2）石英礦粉用水淋洗，檢驗(yàn)洗出液中含有SO42—的實(shí)驗(yàn)操作和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象分別是：用膠頭滴管取2ml洗出液I于試管中，                                     
（3）在操作I得到的濾渣中加入燒堿溶液，請(qǐng)寫(xiě)出反應(yīng)的離子方程式
                                                              
（4）“操作I”的名稱為             
“操作II”包含“蒸發(fā)濃縮、冷卻結(jié)晶、過(guò)濾”系列操作，其中“蒸發(fā)濃縮”所用到的硅酸鹽
材料的儀器有                                                             
（5）“取樣分析”的目的是確保濾渣II中不含有雜質(zhì)離子，簡(jiǎn)述“取樣分析”的操作和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象：用膠頭滴管取2ml洗出液II于試管中，                                 
（6）下列關(guān)于Si、SiO2、Na2SiO3等物質(zhì)的說(shuō)法，不正確的是         
A．硅在周期表的位置是第三周期第IVA族
B．原子半徑大小關(guān)系：Na > Si > C > O
C．二氧化硅是酸性氧化物，能與強(qiáng)堿反應(yīng)，不與任何酸反應(yīng)
D．實(shí)驗(yàn)室燒熔燒堿固體采用的儀器有酒精燈、玻璃棒、石英坩堝
E．Na2SO4、Na2CO3、Na2SiO3、SiO2均屬于離子化合物

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)中，主要成分屬于硅酸鹽的是
A．陶瓷B．石灰C．膽礬D．純堿

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

2010年11月14日，全球超級(jí)計(jì)算機(jī)500強(qiáng)排行榜在美國(guó)公布，中國(guó)天河一號(hào)超級(jí)計(jì)算機(jī)以每秒2570萬(wàn)億次的實(shí)測(cè)運(yùn)算速度，成為世界運(yùn)算最快的超級(jí)計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)芯片的主要材料是硅，下列有關(guān)硅及化合物的說(shuō)法正確的是
A．單質(zhì)硅具有良好的導(dǎo)電性能
B．光導(dǎo)纖維的主要成份是二氧化硅
C．二氧化硅是H2SiO3的酸酐，因此能與水反應(yīng)，也能與堿溶液反應(yīng)
D．硅酸鹽是由二氧化硅與金屬氧化物組成的混合物

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮氦化硅，常見(jiàn)的方法有：
方法一 直接氦化法：在1300~1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氦氣化合，其反應(yīng)方程式為
                                                                           
方法二 化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應(yīng)生成氦化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氦化硅純度較高，其原因是            。
方法三  Si（NH­2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH­2）4和一種氣體
         （填分子式）；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為             。
II．（1）氨化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氨化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有                 。
（2）已知：25℃，101kPa條件下的熱化學(xué)方程式：
3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s）  △H=—750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g）  △H=—609.6kJ/mol
H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol
請(qǐng)寫(xiě)出四氯化硅氣體與氮?dú)�、氫氣反�?yīng)的熱化學(xué)方程式：
                                                                     。
III．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色。
（1）原料B的主要成分是              。
（2）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                 。
（3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu？  （填“能”或“不能”）。
寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：
陽(yáng)極：                     ；陰極：                   。

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