【題目】信息時(shí)代產(chǎn)生的大量電子垃圾對環(huán)境造成了極大的威脅.某變廢為寶學(xué)生探究小組將一批廢棄的線路板簡單處理后,得到含、、及少量Au、Pt等金屬的混合物,并設(shè)計(jì)出如下制備硫酸銅晶體的路線:

回答下列問題:

Cu與酸反應(yīng)的離子方程式為 ______ ;得到濾渣1的主要成分為 ______

步加入的作用是 ______ ,使用的優(yōu)點(diǎn)是 ______ ;調(diào)節(jié)pH的目的是使 ______ 生成沉淀.

由濾渣2制取,探究小組設(shè)計(jì)了三種方案:

上述三種方案中, ______ 方案不可行,原因是 ______ ;

探究小組用滴定法測定含量.取ag試樣配成100mL溶液,每次取,消除干擾離子后,用c標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定至終點(diǎn),平均消耗EDTA溶液b滴定反應(yīng)如下:寫出計(jì)算質(zhì)量分?jǐn)?shù)的表達(dá)式 ______

【答案】 AuPt 氧化為 不引入雜質(zhì),產(chǎn)物對環(huán)境無污染 、 濾渣中只加硫酸會生成硫酸鐵和硫酸鋁,冷卻、結(jié)晶、過濾得到的硫酸鋁晶體中混有大量硫酸鐵雜質(zhì)

【解析】

金屬的混合物與稀硫酸、濃硝酸混合后加熱,Cu、Al、Fe發(fā)生反應(yīng)生成Cu2+、Al3+、Fe2+,而Au、Pt不反應(yīng),所以濾渣1 的成分是PtAu,濾液1中的離子是Cu2+Al3+、Fe2+、Fe3+,第②步加H2O2的作用是把Fe2+氧化為Fe3+,該氧化劑的優(yōu)點(diǎn)是不引入雜質(zhì),產(chǎn)物對環(huán)境物污染,調(diào)溶液PH的目的是使Fe3+Al3+形成沉淀.所以濾液2的成分是Cu2+,經(jīng)蒸發(fā)結(jié)晶可得到CuSO45H2O晶體,濾渣2的成分為氫氧化鐵和氫氧化鋁,在濾渣中加NaOH,和AlOH3反應(yīng)生成NaAlO2,再在濾液中加H2SO4生成Al2SO43,蒸發(fā)、冷卻、結(jié)晶、過濾可得硫酸鋁晶體。

稀硫酸、濃硝酸混合酸后加熱,Cu、Al、Fe發(fā)生反應(yīng)生成、;所以濾渣1的成分是PtAu,濾液1中的離子是、;第Cu與酸反應(yīng)的離子方程式為:Au、Pt和酸不反應(yīng),所以是濾渣;

故答案為:,AuPt;

步加的作用是將氧化為,過氧化氫做氧化劑不引入雜質(zhì),對環(huán)境無污染,調(diào)節(jié)溶液PH鐵離子和鋁離子全部沉淀后過濾得到氫氧化鐵、氫氧化鋁沉淀和濾液硫酸銅,故答案為:將氧化為,不引入雜質(zhì),產(chǎn)物對環(huán)境無污染,生成沉淀;

制備硫酸鋁晶體的甲、乙、丙三種方法中,甲方案在濾渣中只加硫酸會生成硫酸鐵和硫酸鋁,冷卻、結(jié)晶、過濾得到的硫酸鋁晶體中混有大量硫酸鐵雜質(zhì),方法不可行,故答案為:甲,濾渣中只加硫酸會生成硫酸鐵和硫酸鋁,冷卻、結(jié)晶、過濾得到的硫酸鋁晶體中混有大量硫酸鐵雜質(zhì);

試樣配成100mL溶液,每次取,消除干擾離子后,用標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定至終點(diǎn),平均消耗EDTA溶液滴定反應(yīng)如下:銅離子物質(zhì)的量和標(biāo)準(zhǔn)液物質(zhì)的量相同;依據(jù)元素守恒得到:

20ml溶液中含有的物質(zhì)的量為100ml溶液中含;

所以質(zhì)量分?jǐn)?shù)的表達(dá)式;故答案為:

練習(xí)冊系列答案
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【題目】25 ℃時(shí),分別向20.00 mL 0.100 0 mol·L1的氨水、醋酸銨溶液中滴加0.100 0 mol·L1的鹽酸,溶液pH與加入鹽酸體積的變化關(guān)系如圖所示。下列說法正確的是( )

A.M點(diǎn)溶液中:c(OH)>c(NH4+)>c(NH3·H2O)>c(H)

B.N點(diǎn)溶液中:c(NH4+)>c(Cl)>c(NH3·H2O)>c(OH)

C.P點(diǎn)溶液中: c(NH4+)c(NH3·H2O)<c(CH3COO) c(CH3COOH)

D.Q點(diǎn)溶液中:2c(Cl)c(CH3COOH)c(NH4+)

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【題目】某化學(xué)研究小組探究外界條件對化學(xué)反應(yīng)mA(g)+n(B)(g) pC(g)的速率和平衡的影響圖像如下,下列判斷正確的是(

A.由圖1可知,T1<T2,該反應(yīng)正反應(yīng)為吸熱反應(yīng)

B.由圖2可知,該反應(yīng)m+n<p

C.3中,表示反應(yīng)速率v()>v()的是點(diǎn)3

D.4中,若m+n=p,則a曲線一定使用了催化劑

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【題目】可逆反應(yīng)①X(g)2Y(g)2Z(g)②2M(g)N(g)P(g)分別在密閉容器的兩個(gè)反應(yīng)室中進(jìn)行,反應(yīng)室之間有無摩擦、可滑動(dòng)的密封隔板。反應(yīng)開始和達(dá)到平衡狀態(tài)時(shí)有關(guān)物理量的變化如圖所示:

下列判斷正確的是(  )

A.反應(yīng)的正反應(yīng)是吸熱反應(yīng)

B.達(dá)平衡(Ⅰ)時(shí)體系的壓強(qiáng)與反應(yīng)開始時(shí)體系的壓強(qiáng)之比為1415

C.達(dá)平衡(Ⅱ)時(shí),X的轉(zhuǎn)化率為

D.在平衡(Ⅰ)和平衡(Ⅱ)中,M的體積分?jǐn)?shù)相等

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【題目】一定條件下,發(fā)生可逆反應(yīng):4NH3(g)5O2(g) 4NO(g)6H2O(g),下列敘述中,不能作為此可逆反應(yīng)已經(jīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的標(biāo)志的是

A.NH3的消耗速率等于NO的生成速率

B.NH3的消耗速率等于NO的消耗速率

C.NH3的濃度和NO的濃度都不發(fā)生改變

D.密閉容器內(nèi)的壓強(qiáng)不發(fā)生改變

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明礬可用于水的消毒凈化;碳酸鋇不可用于鋇餐透視

氮氧化物和碳?xì)浠衔锸菢?gòu)成光化學(xué)煙霧的重要物質(zhì)

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硅的提純與應(yīng)用,促進(jìn)了半導(dǎo)體元件與集成芯片的發(fā)展,可以說硅是信息技術(shù)革命的催化劑

(5)SiCl4在戰(zhàn)爭中常用作煙霧彈,是因?yàn)樗鈺r(shí)生成白色煙霧

通電時(shí),溶液中溶質(zhì)粒子分別向兩極移動(dòng),膠體中膠粒向某一極移動(dòng)

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高純度的二氧化硅廣泛用于制作光導(dǎo)纖維,光導(dǎo)纖維遭遇強(qiáng)堿會斷路

可用稀鹽酸、碳酸鈉溶液、硅酸鈉溶液設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證元素的非金屬性

同主族元素的簡單陰離子還原性越強(qiáng),水解程度越大

(11)Al2O3在工業(yè)上用于制作耐高溫材料,也用于電解法治煉鋁.

A.3B.4C.5D.6

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(1)請?jiān)谏蠄D中用實(shí)線畫出區(qū)、區(qū)、區(qū)、區(qū)的邊界線,并分別用陰影表示區(qū)和區(qū)________。

(2)有的同學(xué)受這種劃分的啟發(fā),認(rèn)為區(qū)內(nèi)第6、7縱行的部分元素可以排在另一區(qū),你認(rèn)為應(yīng)排在______區(qū)。

(3)請?jiān)谏鲜鲈刂芷诒碇杏迷胤枠?biāo)出軌道處于半充滿狀態(tài)的元素________。

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【題目】某溫度下,在固定容積的容器中,可逆反應(yīng)A(g)+3B(g) 2C(g)達(dá)到平衡,此時(shí)測得n(A)∶n(B)∶n(C)=2∶2∶1。若保持溫度不變,以n(A)∶n(B)∶n(C)=2∶2∶1的比例向該容器中再充入A、B和C,下列敘述正確的是

A. 剛充入時(shí)反應(yīng)速率υ減少,υ增大 B. 平衡不發(fā)生移動(dòng)

C. 平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng),A的物質(zhì)的量濃度減小 D. 物質(zhì)C的質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大

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