Question

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計，到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：①SiO₂+2C 

高溫  .

Si+2CO     ②Si+2Cl₂

點(diǎn)燃  .

SiCl₄③SiCl₄+2H₂Si+4HCl．回答下列問題：
（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是

①②③

（填序號）．
（2）反應(yīng)①和③屬于

C

．
A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)
（3）下列描述正確的是

B

．
A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是否有化合價的升降
C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)．

Answer 1

分析：（1）有化合價變化的反應(yīng)是氧化還原反應(yīng)；
（2）一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成鋅的單質(zhì)和化合物的反應(yīng)是置換反應(yīng)；
（3）根據(jù)氧化還原反應(yīng)和四大基本反應(yīng)類型之間的關(guān)系來回答．

解答：解：（1）反應(yīng)①②③中有化合價變化的元素，該反應(yīng)是氧化還原反應(yīng)，故答案為：①②③；
（2）反應(yīng)①和③是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成新的單質(zhì)和化合物的反應(yīng)，是置換反應(yīng)，故選C；
（3）A、置換反應(yīng)均為氧化后還原反應(yīng)，故A錯誤；
B、氧化還原反應(yīng)的特征是有化合價的升降，故B正確；
C、部分化合反應(yīng)是氧化還原反應(yīng)，故C錯誤；
D、復(fù)分解反應(yīng)全部都是非氧化還原反應(yīng)，故D錯誤．
故選B．

點(diǎn)評：本題考查學(xué)生有關(guān)化學(xué)反應(yīng)類型的知識，是對基本知識的考查，較簡單．