Question

下表列舉的各組事實(shí)中存在因果關(guān)系的是

選項(xiàng)	陳述Ⅰ	陳述Ⅱ
A	高純單質(zhì)硅具有半導(dǎo)體性能	高純單質(zhì)硅制成的光電池可將光能直接轉(zhuǎn)化為電能
B	鈉原子核外電子數(shù)比鋁少	鈉的金屬性比鋁強(qiáng)
C	氯的非金屬性比碘強(qiáng)	I2與KClO3反應(yīng)生成Cl2和KIO3
D	N2+3H2≒2NH3是放熱反應(yīng)	工業(yè)合成氨的反應(yīng)在高溫下進(jìn)行

1. A.
   A
2. B.
   B
3. C.
   C
4. D.
   D

Answer 1

A
分析：陳述Ⅰ和陳述Ⅱ相比較，如果存在因果關(guān)系，必須是陳述Ⅰ是陳述Ⅱ變化的原因，能解釋陳述Ⅱ的結(jié)論正確，分析各項(xiàng)性質(zhì)對(duì)比成因即可做出判斷．
解答：A、因?yàn)楦呒儐钨|(zhì)硅具有半導(dǎo)體性能，所以制成的光電池才可將光能直接轉(zhuǎn)化為電能，故A正確；
B、鈉原子核外電子數(shù)比鋁少，不是鈉的金屬性比鋁強(qiáng)的原因，失電子的難易是鈉的金屬性比鋁強(qiáng)的原因，故B錯(cuò)誤；
C、氯的非金屬性比碘強(qiáng)，說明氯氣氧化性比碘單質(zhì)強(qiáng)，但I(xiàn)₂與KClO₃反應(yīng)生成Cl₂和KIO₃，是利用了KClO₃的氧化性把I₂氧化為KIO₃，本身被還原為氯氣，此反應(yīng)中說明碘單質(zhì)的還原性比氯氣強(qiáng)，前后無因果關(guān)系，故C錯(cuò)誤；
D、N₂+3H₂≒2NH₃是放熱反應(yīng)，降低溫度有利于平衡正向進(jìn)行，生成更多的氨氣，但溫度低速率小，工業(yè)合成氨的反應(yīng)在高溫下進(jìn)行的原因是提高速率同時(shí)催化劑在此溫度下活性最大，所以前后無因果關(guān)系，故D錯(cuò)誤；
故選A．
點(diǎn)評(píng)：本題考查了元素化合物的性質(zhì)及原因，主要考查晶體硅的導(dǎo)電性應(yīng)用、金屬活潑性的比較依據(jù)、氧化還原反應(yīng)的規(guī)律應(yīng)用、工業(yè)合成氨條件選擇的原因．