用元素符號填空：
(1)第四周期中，原子的4p軌道半充滿的元素是________，3d軌道半充滿的元素是________。
(2)第三周期中有兩個成單電子的元素是________。

As    Cr、Mn    Si、S
(1)4p軌道半充滿，則4s全充滿，因此外圍電子排布式為4s24p3，所以為As；3d軌道半充滿，外圍電子排布式為3d54s1或3d54s2，所以為Cr、Mn。(2)第三周期中，有兩個成單電子，外圍電子排布為3s23p2或3s23p4，所以為Si、S。
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用元素符號填空：

(1)第四周期中，原子的4p軌道半充滿的元素是______________，3d軌道半充滿的元素是______________。

(2)第三周期中有兩個成單電子的元素是______________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用元素符號填空。

(1)原子半徑最小的元素是__________。

(2)第一電離能最大的元素是__________。

(3)電負(fù)性最大的元素是__________。

(4)原子半徑最大的元素是__________。

(5)第四周期中，第一電離能最小的元素是__________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用元素符號填空。

(1)原子半徑最小的元素是___________。

(2)第一電離能最大的元素是___________。

(3)電負(fù)性最大的元素是___________。

(4)原子半徑最大的元素是___________。

(5)第四周期中，第一電離能最小的元素是___________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用元素符號填空：

(1)第四周期中，原子的4p軌道半充滿的元素是______________，3d軌道半充滿的元素是______________。

(2)第三周期中有兩個成單電子的元素是______________。

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆山西省高二3月月考化學(xué)試卷 題型：填空題

(4分)用元素符號填空：

(1)原子半徑最小的元素是________。

 (2)第一電離能最大的元素是________。

(3)電負(fù)性最大的元素是________。

(4)第四周期中，第一電離能最小的元素是________。

 

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