Question

x、Y、Z、W是元素周期表前四周期中常見的元素，其相關信息如下表

元素	相關信息
X	X存在質量數(shù)為24，中子數(shù)為12的核素
Y	Y的單質是常用的半導體材料
Z	Z的單質是一種不溶于水的淡黃色固體，易溶于CS2
W	價電子排布式3d104s1

（1）X、Y、Z、W中屬于主族元素，且原子半徑最小的元素在周期表中的位置是

 

．
（2）Y原子的最外層電子排布式是

 

；Y的最高價氧化物與NaOH溶液反應的化學方程式是

 

．
（3）與X同周期相鄰元素的第一電離能由大到小的順序是

 

（填元素符號）．
（4）X、Y的最高價氧化物中熔點較高的是

 

（填化學式）．
（5）根據(jù)W的價電子排布式，推出W的氧化物有2種，其化學式分別是

 

；將一種氧化物加入稀硫酸中，溶液變藍色，且析出紫紅色固體，寫出有關的離子方程式

 

．

Answer 1

考點：位置結構性質的相互關系應用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：X存在質量數(shù)為24，中子數(shù)為12的核素，則其質子數(shù)為12，為Mg元素；
Y的單質是常用的半導體材料，則Y為Si元素；
Z的單質是一種不溶于水的淡黃色固體，易溶于CS₂，則Z為S元素；
W的價電子排布式3d¹⁰4s¹，則W為Cu元素；據(jù)此解答．

解答： 解：X存在質量數(shù)為24，中子數(shù)為12的核素，則其質子數(shù)為12，為Mg元素；Y的單質是常用的半導體材料，則Y為Si元素；Z的單質是一種不溶于水的淡黃色固體，易溶于CS₂，則Z為S元素；W的價電子排布式3d¹⁰4s¹，則W為Cu元素；
（1）X、Y、Z、W中屬于主族元素，且原子半徑最小的元素是S元素，S在周期表中的位置是第三周期、第VIA族；
故答案為：第三周期、第VIA族；
（2）Y為Si元素，其原子的最外層電子排布式是3s²3p²；二氧化硅與氫氧化鈉反應生成硅酸鈉和水，其反應的化學方程式為：SiO₂+2NaOH═Na₂SiO₃+H₂O；
故答案為：3s²3p²；SiO₂+2NaOH═Na₂SiO₃+H₂O；
（3）同周期從左到右第一電離能遞增，但是第IIA與第IIIA族反常，第VA與第VIA族反常，X為Mg元素，則與Mg同周期相鄰元素的第一電離能由大到小的順序是Mg＞Al＞Na；
故答案為：Mg＞Al＞Na；
（4）一般原子晶體的熔點大于離子晶體的熔點，X、Y的最高價氧化物分別為MgO、SiO₂，SiO₂屬于原子晶體，MgO屬于離子晶體，則SiO₂的熔點較高；
故答案為：SiO₂；
（5）Cu的化合價有+1、+2價，其氧化物為Cu₂O、CuO，Cu₂O與氫離子反應生成銅離子和Cu，其反應的離子方程式為：Cu₂O+2H⁺=Cu²⁺+Cu+H₂O；
故答案為：Cu₂O、CuO；Cu₂O+2H⁺=Cu²⁺+Cu+H₂O．

點評：本題考查了元素的推斷和元素的性質，側重于考查元素在周期表中的位置、電子排布式、第一電離能、晶體熔點的比較方程式的書寫等知識點，正確推斷元素是解本題的關鍵，注意把握同周期第一電離能的變化規(guī)律，題目難度中等．