Question

【題目】A、B、C、D、E是原子序數(shù)依次增大的前四周期的常見元素。己知:

A	原子半徑最小
B	核外3個(gè)能級上的電子數(shù)相等
C	其氫化物的沸點(diǎn)比同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高
D	2p軌道上成對電子數(shù)與未成對電子數(shù)相等
E	N 層電子數(shù)為1，內(nèi)層軌道全部排滿電子

(1)寫出E原子基態(tài)核外電子排布式_____________。比較B、C、D電負(fù)性的大小順序______ (按由小到大) 。

(2)與C2互為等電子體的分子有_______，離子有_________。

(3)E2+離子與氨基乙酸根離子(H2NCH2COO-)結(jié)合得到電中性的配合物(如圖)，畫出其中E2+離子與N、O原子間的化學(xué)鍵。________。

(4)E和金(Au)形成的合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，則該合金的化學(xué)式可表示為________________。

Answer 1

【答案】 1s22s22p63s23p63dl04s1 或[Ar] 3d104s1 C N O CO CN-或C22- Cu3Au

【解析】試題分析：由題意知，A原子半徑最小，則A為H；B核外3個(gè)能級上的電子數(shù)相等，其電子排布式為1s22s22p2，則B為C；D的2p軌道上成對電子數(shù)與未成對電子數(shù)相等，其電子排布式為1s22s22p4，則D為O；C的氫化物的沸點(diǎn)比同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高，則C為N，其氫化物可以形成分子間氫鍵，故沸點(diǎn)較高；E的N層電子數(shù)為1，內(nèi)層軌道全部排滿電子，則其價(jià)電子排布式為3d104s1，E為Cu。所以A、B、C、D、E分別為H、C、N、O、Cu等元素。

(1)Cu原子基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p63s23p63dl04s1或[Ar]3d104s1。比較C、N、O電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?/span>C N O 。

(2)與N2互為等電子體的分子有CO，離子有CN-或C22-。

(3)Cu2+離子與氨基乙酸根離子(H2NCH2COO-)結(jié)合得到電中性的配合物，其中Cu2+離子與N、O原子間的化學(xué)鍵可表示為。

(4)由Cu和金(Au)形成的合金的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，該晶胞中有1個(gè)Au原子（8個(gè)頂點(diǎn)，8）、3個(gè)Cu原子（6個(gè)面心，6），則該合金的化學(xué)式可表示為Cu3Au.