Question

【題目】Ⅰ. 硒化鋅是一種透明半導體,也可作為紅外光學材料,熔點是1 520 ℃。

（1）基態(tài)鋅原子的價電子排布式是_______。

（2）根據(jù)元素周期律,電負性Se____S,第一電離能Se____As(填“>”或“<”)。

（3）H2Se的分子構型是____,其中硒原子的雜化軌道類型是____。

（4）H2O的沸點高于H2Se的沸點(-42 ℃),其原因是________________。

（5）晶體Zn為六方最密堆積,其配位數(shù)是____。

Ⅱ 氮及其化合物與人類生產、生活息息相關�；卮鹣铝袉栴}:

（1）C、N、O三種元素第一電離能從大到小的順序是________。

（2）1 mol N2F2含有____ mol σ鍵。

（3）NH4BF4(氟硼酸銨)是合成氮化硼納米管的原料之一。1 mol NH4BF4含____ mol配位鍵。

（4）安全氣囊打開時發(fā)生的化學反應為10NaN3+2KNO3 = K2O+5Na2O+16N2↑。

①寫出與N2互為等電子體的分子________。

②Na2O的晶胞結構如圖所示,晶胞邊長為566 pm,晶胞中氧原子的配位數(shù)為____,Na2O晶體的密度為______(只要求列算式,不必計算出結果)，Na+ 與O2－間的最短距離為_____pm。

Answer 1

【答案】 3d104s2 < < V形 sp3 水分子間存在氫鍵、H2Se分子間無氫鍵 12 N>O>C 3 2 CO 8 245

【解析】Ⅰ. （1）Zn是30號元素，其原子核外有30個電子，其3d、4s電子為其價電子，其價電子排布式為3d104s2；（2）同一主族元素，元素電負性隨著原子序數(shù)增大而減小，所以電負性Se＜S；同一周期元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能Se＜As；（3）H2Se價層電子對個數(shù)是4且含有2個孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷該分子空間構型及Se原子雜化方式分別為V形、sp3；（4）含有氫鍵的氫化物熔沸點較高，H2O含有氫鍵、H2Se不含氫鍵，導致H2O的沸點（100℃）高于H2Se的沸點（-42℃）；（5）鋅單質晶體是六方最密堆積，原子按“ABABAB”方式堆積，晶體中Zn原子的配位數(shù)為12；

Ⅱ. （1）同周期隨原子序數(shù)增大，元素第一電離能呈增大趨勢，氮元素2p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故第一電離能：N＞O＞C；（2）N2F2分子結構式為F-N=N-F，因此l mol N2F2含有3molσ鍵；（3）NH4BF4 中銨根離子中含有1個配位鍵，B原子與F之間形成1個配位鍵，l mol NH4BF4含有2mol配位鍵；（4）①原子數(shù)和價電子數(shù)分別都相等的互為等電子體，則與氮氣互為等電子體的分子為CO；②晶胞中白色球數(shù)目為8×1/8+6×1/2=4、黑色球數(shù)目為8，Na原子與氧原子數(shù)目之比為2：1，則白色球為氧原子、黑色球為Na原子，黑色球配位數(shù)為4，則白色球配位數(shù)為8。晶胞質量為4×62/6.02×1023g，則晶胞密度為（4×62/6.02×1023g）÷（566×10-10 cm）3=；Na+與O2－間的最短距離為體對角線的1/4，即為。