【題目】實驗室以空氣和鎂為原料制備 Mg3N2 的裝置如圖所示(夾持和加熱裝置略去):

下列說法正確的是( )

A. 裝置 A、B 中可依次加入濃硫酸、NaOH 溶液

B. 若去掉裝置 C,對產(chǎn)品純度無影響

C. 實驗時應先加熱 C,通入一段時間空氣后再加熱D

D. E 中堿石灰的作用是吸收尾氣

【答案】C

【解析】

A.要制備氮化鎂,需要除去空氣中的氧氣、CO2和水蒸氣,則裝置A. B 中可依次加入NaOH溶液、濃硫酸, 選項A錯誤;

B.若去掉裝置C ,鎂與氧氣反應生成氧化鎂,對產(chǎn)品純度有影響, 選項B錯誤;

C.實驗時,應先加熱C,通入一段時間空氣除去氧氣,然后再加熱D , 選項C正確;

D.裝置E中堿石灰的作用是吸收空氣中的水蒸氣和二氧化碳,避免進入D中干擾實驗,選項D錯誤;

答案選C。

練習冊系列答案
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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】在一定條件下,Na2S溶液中存在水解平衡:S2+H2OHS+OH,在溶液中加入少量CuSO4固體,HS濃度減小。下列說法正確的是

A. 稀釋溶液,水解平衡常數(shù)增大

B. Ksp(CuS)<Ksp[Cu(OH)2]

C. 升高溫度增大

D. 加入MgCl2固體,HS濃度減小

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】25℃時,向盛有50 mL pH=2的HA溶液的絕熱容器中加入pH=13的NaOH溶液,實驗測得加入NaOH溶液的體積(V)與所得混合溶液的溫度(T)的關(guān)系如下圖所示。下列敘述正確的是

A. HA溶液的物質(zhì)的量濃度為0.01 mol·L-1

B. b→c的過程中,溫度降低的原因是溶液中發(fā)生了吸熱反應

C. a→b的過程中,混合溶液中可能存在:c(A)=c(Na)

D. 25℃時,HA的電離常數(shù)K約為1.25×10-2

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】對于反應COg+H2OgCO 2g+ H 2g△H﹤0,在其他條件不變的情況下

A. 加入催化劑,改變了反應的途徑,反應的△H也隨之改變

B. 改變壓強,平衡不發(fā)生移動,反應放出的熱量不變

C. 升高溫度,反應速率加快,反應放出的熱量不變

D. 若在原電池中進行,反應放出的熱量不變

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】2 mL 10%的硫酸銅溶液中滴加452%的氫氧化鈉溶液,再加入2 mL 10%的葡萄糖溶液,加熱,未觀察到紅色沉淀,最主要的原因是(  )

A.加熱溫度太高

B.葡萄糖溶液中含有少量的果糖

C.生成了氧化亞銅

D.氫氧化鈉不足

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】A是由導熱材料制成的密閉容器,B是一耐化學腐蝕且易于傳熱的氣球.關(guān)閉K2,將等量且少量的NO2通過K1、K3分別充入A、B中,反應起始時,A、B的體積相同.(已知:2NO2(g) N2O4(g) ΔH<0)

(1)一段時間后,反應達到平衡,此時A、B中生成N2O4的速率是vA______vB(“>”、“<”“=”);若打開活塞K2,氣球B______(變大”、“變小不變”).

(2)關(guān)閉活塞K2,若在A、B中再充入與初始量相等的NO2,則達到平衡時,NO2的轉(zhuǎn)化率αA________(增大”、“減小不變”);若分別通入等量的氖氣,則達到平衡時,ANO2的轉(zhuǎn)化率將________,BNO2的轉(zhuǎn)化率將______(變大”、“變小不變”).

(3)室溫下,若A、B都保持體積不變,將A套上一個絕熱層,B與外界可以進行熱傳遞,則達到平衡時,______中的顏色較深.

(4)若在容器A中充入4.6 gNO2,達到平衡后容器內(nèi)混合氣體的平均相對分子質(zhì)量為57.5,則平衡時N2O4的物質(zhì)的量為___________________

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】短周期主族元素ABC、DE的原子序數(shù)依次增大,其中AD同主族,B、C、D、E同周期,A原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B是短周期元素中原子半徑最大的主族元素,C原子的質(zhì)子數(shù)比B原子的質(zhì)子數(shù)多2個。請回答下列問題:

1B元素的名稱為___________E的元素符號為___________

2A、B兩種元素可形成化學式為B2A、B2A2等化合物,則B2A2的電子式為_____。

3)將B2A2投入到B2D的水溶液中可生成D的單質(zhì),發(fā)生反應的離子方程式為:______________________

4DA2E元素的單質(zhì)在水中反應的離子方程式為:____________________。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等;卮鹣铝袉栴}:

(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式________________________。

(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga_____________As,第一電離能Ga____________As。(填“大于”或“小于”)

(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為___________,其中As的雜化軌道類型為_________。

(4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是_______________。

(5)GaAs的熔點為1238℃,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】下列物質(zhì)的分類正確的是( )

選項

單質(zhì)

酸堿

膠體

A

水銀

硝酸

純堿

蛋白質(zhì)溶液

B

溴水

硫酸

燒堿

C

C60

醋酸

熟石灰

D

臭氧

碳酸

氫氧化銅

氫氧化鐵沉淀

A.AB.BC.CD.D

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