Question

【題目】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）寫(xiě)出基態(tài)As原子的核外電子排布式________________________。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_____________As，第一電離能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為___________，其中As的雜化軌道類(lèi)型為_________。

（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是_______________。

（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類(lèi)型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。

Answer 1

【答案】[Ar]3d104s24p3大于小于三角錐形sp3GaF3為離子晶體，GaCl3為分子晶體原子晶體共價(jià)

【解析】

（1）根據(jù)核外電子排布規(guī)律，基態(tài)As原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p3。

（2）根據(jù)元素周期律，Ga和As為同一周期的兩種元素，且Ga的原子序數(shù)小于As，因此原子半徑Ga大于As，第一電離能Ga小于As。

（3）AsCl3分子中砷原子價(jià)電子有4對(duì)，其中3個(gè)成鍵電子對(duì)、1個(gè)孤電子對(duì)，因此其分子的立體構(gòu)型為三角錐形，As的雜化軌道類(lèi)型為sp3雜化。

（4）由題意可知GaF3的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于GaCl3，其原因?yàn)镚aF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，離子晶體GaF3熔沸點(diǎn)更高。

（5）GaAs晶體的熔點(diǎn)很高，可以判斷該晶體類(lèi)型為原子晶體；Ga與As以極性共價(jià)鍵鍵合。