如圖所示是電子工業(yè)中某原料的生產(chǎn)流程,其中反應(yīng)②③是你在課本習(xí)題中見過,其目的是為了提純B;物質(zhì)A-H均為短周期元素組成;G為五原子非極性分子;A-D均是單質(zhì)且元素原子的最外層電子數(shù)目的關(guān)系為C>A=B>D;H極易溶于水,且其水溶液為-種強(qiáng)酸.

請(qǐng)回答下列問題:
(1)B的電子排布式:
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
;固體E的晶體類型
原子晶體
原子晶體
;H中的鍵型為
δ
δ
(填“π”或“δ”);
(2)反應(yīng)①的化學(xué)方程式:
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(3)與反應(yīng)①類型相同,且兩種單質(zhì)分屬同一主族和不同主族的反應(yīng),用化學(xué)方程式各寫-例:
①單質(zhì)屬同-主族:
2H2S+O2=2S↓+2H2O
2H2S+O2=2S↓+2H2O
;②單質(zhì)屬不同主族:
2Mg+CO2
 點(diǎn)燃 
.
 
2MgO+C
2Mg+CO2
 點(diǎn)燃 
.
 
2MgO+C

(4)F在工業(yè)上有多種用途,寫出其中一種用途的化學(xué)方程式:
3CO+Fe2O3
  △  
.
 
2Fe+3CO2
3CO+Fe2O3
  △  
.
 
2Fe+3CO2
分析:最外層電子數(shù)A=B,可說明A→B的反應(yīng)為同主族的置換反應(yīng),根據(jù)題中“電子工業(yè)中某原料的生產(chǎn)流程”可知應(yīng)為提純硅的制備流程,題中A、B、C、D、E分別為C、Si、Cl2、H2、SiO2,F(xiàn)為CO,H為HCl,結(jié)合對(duì)應(yīng)物質(zhì)的性質(zhì)以及題目要求解答該題.
解答:解:最外層電子數(shù)A=B,可說明A→B的反應(yīng)為同主族的置換反應(yīng),根據(jù)題中“電子工業(yè)中某原料的生產(chǎn)流程”可知應(yīng)為提純硅的制備流程,則A為C,E為SiO2,B為Si,F(xiàn)為CO,G為五原子非極性分子,為SiCl4,C為Cl2,D為H2,H極易溶于水,且其水溶液為-種強(qiáng)酸,為HCl,符合題給信息,則
(1)B為Si,原子序數(shù)為14,電子排布式為1s22s22p63s23p2,E為SiO2,為原子晶體,H為HCl,含有δ鍵,故答案為:1s22s22p63s23p2;原子晶體;δ;
(2)反應(yīng)①為C和SiO2的反應(yīng),方程式為SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑,故答案為:SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑;
(3)與反應(yīng)①類型相同,應(yīng)為置換反應(yīng),且兩種單質(zhì)分屬同一主族的置換反應(yīng)有2H2S+O2=2S↓+2H2O等,不同主族的反應(yīng)有2Mg+CO2
 點(diǎn)燃 
.
 
2MgO+C等,
故答案為:2H2S+O2=2S↓+2H2O;2Mg+CO2
 點(diǎn)燃 
.
 
2MgO+C;
(4)F為CO,可用作工業(yè)熱還原法冶煉金屬的還原劑,如3CO+Fe2O3
  △  
.
 
2Fe+3CO2,故答案為:3CO+Fe2O3
  △  
.
 
2Fe+3CO2
點(diǎn)評(píng):本題考查無機(jī)物的推斷,側(cè)重于學(xué)生的分析能力和推斷能力的考查,為高考常見題型,注意根據(jù)題給信息,判斷該題為工業(yè)提純硅的流程為解答該題的關(guān)鍵,難度不大.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2008?鎮(zhèn)江二模)氧化物經(jīng)氯化作用生成氯化物是工業(yè)生產(chǎn)氯化物的常用方法,Cl2、CCl4是常用的氯化劑.如:
Na2O+Cl2═2NaCl+O2CaO+Cl2═CaCl2+O2
SiO2+2CCl4═SiCl4+2COCl2Cr2O3+3CCl4═2CrCl3+3COCl2
請(qǐng)回答下列問題:
(1)Cr2O3、CrCl3中Cr均為+3價(jià),寫出Cr3+的基態(tài)電子排布式
1s22s22p63s23p63d3
1s22s22p63s23p63d3
;
(2)CCl4分子中C原子采取
sp3
sp3
雜化成鍵.
(3)COCl2俗稱光氣,分子中C原子采取sp2雜化成鍵.光氣分子的結(jié)構(gòu)式是
,其中碳氧原子之間共價(jià)鍵是
c
c
(填序號(hào)):
a.2個(gè)σ鍵      b.2個(gè)π鍵      c.1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵
(4)CaO晶胞如圖所示,CaO晶體中Ca2+的配位數(shù)為
6
6
.CaO晶體和NaCl晶體中離子排列方式相同,其晶格能分別為:CaO-3 401kJ?mol-1、NaCl-786kJ?mol-1.導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是
CaO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl晶體中離子的電荷
CaO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl晶體中離子的電荷

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

如圖所示是中學(xué)化學(xué)中常見的一些單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系,其中部分反應(yīng)中涉及的水未列出.已知A、B、F是人類生存或日常生活中必不可少的物質(zhì),I、J均具有漂白性,但兩者混合后的產(chǎn)物均不具有漂白性.M為紅色固體單質(zhì),L中兩種元素的質(zhì)量之比為1:4.

請(qǐng)回答下列問題:
(1)寫出化合物E的電子式:
;反應(yīng)③在工業(yè)上的用途是
冶煉鈉
冶煉鈉
;
(2)寫出反應(yīng)①的離子方程式:
SO2+ClO-+H2O═SO42-+Cl-+2H+
SO2+ClO-+H2O═SO42-+Cl-+2H+
;
(3)L的化學(xué)式為
Cu2S
Cu2S

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示是電子工業(yè)中某原料的生產(chǎn)流程.其中反應(yīng)②③你可能不熟悉,其目的是為了提純B;物質(zhì)A~H均由短周期元素構(gòu)成;G是五原子分子;A~D均是單質(zhì)且元素原子的最外層電子數(shù)目的關(guān)系為C>A=B>D;H極易溶于水,且其水溶液是一種強(qiáng)酸.
請(qǐng)回答下列問題:
(1)H的電子式
 
;固體E的晶體類型
 
;G的化學(xué)式為
 

(2)③所屬的反應(yīng)類型是
 

(3)反應(yīng)①的化學(xué)方程式為
 

(4)F在工業(yè)上有多種用途,寫出其中一種用途的化學(xué)方程式
 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012年蘇教版高中化學(xué)選修2 4.2 材料組成的優(yōu)化練習(xí)卷(解析版) 題型:推斷題

如圖所示是電子工業(yè)中某原料的生產(chǎn)流程。其中反應(yīng)②③你可能不熟悉,其目的是為了提純B;物質(zhì)A~H均由短周期元素構(gòu)成;G是五原子分子;A~D均是單質(zhì)且元素原子的最外層電子數(shù)目的關(guān)系為C>A=B>D;H極易溶于水,且其水溶液是一種強(qiáng)酸。

請(qǐng)回答下列問題:

(1)H的電子式________;G的化學(xué)式為________。

(2)③所屬的反應(yīng)類型是________。

(3)反應(yīng)①的化學(xué)方程式為_______________________________________。

(4)F在工業(yè)上有多種用途,寫出其中一種用途的化學(xué)方程式:_____________________。

 

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