Question

[化學(xué)——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)�；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為____     ，該能層具有的原子軌道數(shù)為____      、電子數(shù)為           。
（2）硅主要以硅酸鹽、____             等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以              相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)____         個(gè)原子。
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH₄）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄C1在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為___                     。
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是         。
②SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是____                              。
（6）在硅酸鹽中，SiO₄^4－四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為               。Si與O的原子數(shù)之比為                。

Answer 1

（1）M   9   4
（2）二氧化硅
（3）共價(jià)鍵   3
（4）Mg₂Si+4NH₄Cl=SiH₄+4NH₃+2MgCl₂
（5）①C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂。導(dǎo)致長鏈硅烷難形成。
②C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而，Si—H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵
（6）sp³    1：3     SiO₃^2-

解析試題分析：⑴根據(jù)硅的原子序數(shù)為14，其基態(tài)原子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p²，則電子占據(jù)的最高能層符號為M（第三層），該能層具有的原子軌道數(shù)為9，電子數(shù)為4。
⑵硅主要以硅酸鹽、二氧化硅等化合物的形式存在于地殼中。
⑶單質(zhì)硅屬于原子晶體，其中原子與原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，有6個(gè)位于面心，故在面心位置貢獻(xiàn)3個(gè)原子。
⑷Mg₂Si和NH₄C1反應(yīng)制備SiH₄，據(jù)原子守恒生成物還有NH₃和MgCl₂，最后根據(jù)觀察法將其配平。
⑸①由于非金屬性C＞Si，又據(jù)表中C－C鍵和C－H鍵的鍵能比Si－Si 、Si－H的鍵能大，故形成的烷烴比硅烷穩(wěn)定，同時(shí)也導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成，故硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多。
②由于C－H鍵的鍵能大于C－O鍵，說明C－H鍵比C－O鍵穩(wěn)定，而Si－H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si－O鍵，所以Si－H鍵不穩(wěn)定更傾向于生成更穩(wěn)定的Si－O鍵，故SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物。
⑹根據(jù)“SiO₄^4－的四面體”結(jié)構(gòu)，可知其Si原子的雜化形式為sp³；Si與O的原子數(shù)之比為1：（2+2×）＝1：3（注意：每個(gè)結(jié)構(gòu)單元中有2個(gè)氧原子與其它2個(gè)結(jié)構(gòu)單元共用）。
考點(diǎn)：考查核外電子的排布原理、晶體中原子數(shù)的計(jì)算、鍵能與分子穩(wěn)定性的分析判斷等