A. | 核外電子質(zhì)量很小,在原子核外繞核作高速運(yùn)動(dòng) | |
B. | 核外電子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律與普通物體不同,不能用牛頓運(yùn)動(dòng)定律來(lái)解釋 | |
C. | 在電子云示意圖中,通常用小黑點(diǎn)來(lái)表示電子繞核作高速圓周運(yùn)動(dòng) | |
D. | 在電子云示意圖中,小黑點(diǎn)越密表示電子在核外空間單位體積內(nèi)電子出現(xiàn)的概率越大 |
分析 A.電子的質(zhì)量很小,在原子核外作高速運(yùn)動(dòng);
B.原子核外電子運(yùn)動(dòng)不規(guī)則;
C.在電子云示意圖中,通常用小黑點(diǎn)來(lái)表示電子在該點(diǎn)的出現(xiàn)幾率;
D.在電子云示意圖中,通常用小黑點(diǎn)來(lái)表示電子在該點(diǎn)的出現(xiàn)幾率,疏密表示出現(xiàn)幾率的多少.
解答 解:A.電子的質(zhì)量很小,是質(zhì)子質(zhì)量的$\frac{1}{1836}$,在原子核外作高速運(yùn)動(dòng),且運(yùn)動(dòng)不規(guī)則,故A正確;
B.原子核外電子運(yùn)動(dòng)不規(guī)則,所以不能用牛頓運(yùn)動(dòng)定律來(lái)解釋,故B正確;
C.在電子云示意圖中,通常用小黑點(diǎn)來(lái)表示電子在該點(diǎn)的出現(xiàn)幾率而不是表示電子繞核作高速圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡,故C錯(cuò)誤;
D.在電子云示意圖中,通常用小黑點(diǎn)來(lái)表示電子在該點(diǎn)的出現(xiàn)幾率,密的區(qū)域表示電子出現(xiàn)的幾率大、疏的區(qū)域表示電子出現(xiàn)的幾率小,故D正確;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)及電子云,知道電子云的含義是解本題關(guān)鍵,注意電子云不表示電子的運(yùn)動(dòng)軌跡,為易錯(cuò)點(diǎn).
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
溫度/℃ | 250 | 350 |
K | 2.041 | x |
c(CO) | c(H2) | c(CH3OH) | |
0min | 0.8mol•L-1 | 1.6mol•L-1 | 0 |
2min | 0.6mol•L-1 | y | 0.2mol•L-1 |
4min | 0.3mol•L-1 | 0.6mol•L-1 | 0.5mol•L-1 |
6min | 0.3mol•L-1 | 0.6mol•L-1 | 0.5mol•L-1 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | c和w都不同 | B. | c和w都相同 | C. | c相同,w不同 | D. | w相同,c不同 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 實(shí)驗(yàn)室用H2O2制氧氣 | B. | 工業(yè)上用氨氣制硝酸 | ||
C. | 實(shí)驗(yàn)室用濃HNO3制NO2氣體 | D. | 實(shí)驗(yàn)室用氯化銨制氨氣 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
選項(xiàng) | 規(guī)律 | 推論 |
A | 含Ag+離子的溶液中滴加氯化鋇溶液會(huì)產(chǎn)生白色沉淀 | 滴加氯化鋇溶液產(chǎn)生白色沉淀的溶液中不一定含有Ag+離子 |
B | 常溫下銅與濃硝酸可以制取NO2 | 常溫下鐵與濃硝酸也可以制取NO2 |
C | Fe(OH)3固體中滴加稀鹽酸生成氯化鐵和水 | Fe(OH)3固體中滴加氫碘酸生成碘化鐵和水 |
D | 銅片不溶于稀硫酸 | 銅片也不溶于稀硝酸 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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