【題目】設(shè)NA表示阿伏伽德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是( )

A.3.9 g Na2O2所含的離子數(shù)為0.15 NA

B.標(biāo)準(zhǔn)狀況下，每有22.4 L Cl2溶于水，所得溶液中H+的數(shù)目為NA

C.20 g 氖氣中所含分子的數(shù)目為0.5 NA

D.0.2 mol CO2與足量的 Na2O2充分反應(yīng)，轉(zhuǎn)移的電子總數(shù)為0.4NA

【答案】A

【解析】

A.一個(gè)過(guò)氧化鈉中含有兩個(gè)鈉離子和一個(gè)過(guò)氧根離子，是0.05mol，含有離子的數(shù)目為0.15NA，A正確；

B.氯氣和水的反應(yīng)是可逆的，氯氣沒(méi)有全部生成鹽酸和次氯酸，故B錯(cuò)誤；

C.氖氣是單原子分子，故20 g 氖氣中所含分子的數(shù)目為NA，C錯(cuò)誤；

D. 過(guò)氧化鈉與二氧化碳反應(yīng)屬于自身氧化還原反應(yīng)，-1價(jià)的氧升高到0價(jià)，又降低到-2價(jià)；0.2 mol與足量的充分反應(yīng)，轉(zhuǎn)移的電子總數(shù)為0.2NA，D錯(cuò)誤；

答案選A。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】瑞德西韋是一種核苷類似物，具有抗病毒活性，對(duì)新型冠狀病毒病例展現(xiàn)出較好的療效。其結(jié)構(gòu)如圖所示：

回答下列問(wèn)題：

（1）該結(jié)構(gòu)基態(tài)P原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是________________，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為________________。

（2）瑞德西韋中位于第二周期元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)?/span>________________，分子中氮原子的雜化類型有________________。

（3）苯酚（）是合成瑞德西韋的原料之一，其熔點(diǎn)為43℃，苯酚的晶體類型是________________。苯酚與甲苯（）的相對(duì)分子質(zhì)量相近，但苯酚的熔、沸點(diǎn)高于甲苯，原因是________________。

（4）MgSO4是合成瑞德西韋的催化劑之一。MgSO4中，陰離子的空間構(gòu)型為________________。

（5）磷酸也是合成瑞德西韋的原料之一。直鏈的多磷酸鹽則是－種復(fù)雜磷酸鹽，如：焦磷酸鈉、三磷酸鈉等。焦磷酸根離子、三磷酸根離子如圖所示：

這類磷酸根離子的化學(xué)式可用通式表示為________________（用n代表P原子數(shù)）。

（6）合成瑞德西韋的原料之一的苯酚可通過(guò)如下途徑制得：電石（CaC2）→乙烯→苯→溴苯→苯酚。四方相碳化鈣（CaC2）晶體的晶跑結(jié)構(gòu)如圖所示．其晶胞參數(shù)分別為apm、apm、bpm，四方相碳化鈣晶體的密度為g·cm-3，[C≡C]2-中鍵長(zhǎng)為cpm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA．則m位置的鈣離子與P位置的碳原子之間的距離為________________pm（用不含a的計(jì)算表達(dá)式表示）。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】二氧化硅又稱硅石，是制備硅及含硅化合物的重要原料。部分轉(zhuǎn)化過(guò)程如圖所示，下列說(shuō)法正確的是

A.SiO2既能發(fā)生②反應(yīng)，又能發(fā)生③反應(yīng)，說(shuō)明SiO2屬于兩性氧化物

B.④反應(yīng)是水泥工業(yè)的化學(xué)反應(yīng)原理之一，⑤反應(yīng)可證明H2CO3酸性強(qiáng)于H2SiO3

C.①反應(yīng)的生成物除Si外還有CO2，硅膠可用作催化劑的載體

D.除了粗硅的制備和提純過(guò)程中涉及的反應(yīng)外，圖中所示其他反應(yīng)都是非氧化還原反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】《自然》雜志于2018年3月15日發(fā)布，中國(guó)留學(xué)生曹原用石墨烯實(shí)現(xiàn)了常溫超導(dǎo)。這一發(fā)現(xiàn)將在很多領(lǐng)域發(fā)生顛覆性的革命。鎵(Ga)、硒(Se)的單質(zhì)及某些化合物如砷化鎵等都是常用的半導(dǎo)體材料，超導(dǎo)和半導(dǎo)體材料都廣泛應(yīng)用于航空航天測(cè)控、光纖通訊等領(lǐng)域。請(qǐng)回答下列與碳、砷、鎵、硒有關(guān)的問(wèn)題。

(1)基態(tài)硒原子的核外價(jià)層電子排布式為___，與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有___種，SeO3的空間構(gòu)型是___。

(2)化合物[EMIM][AlCl4]具有很高的應(yīng)用價(jià)值，EMIM+結(jié)構(gòu)如圖所示。

①EMIM+離子中各元素電負(fù)性由大到小的順序是___。

②EMIM+離子中碳原子的雜化軌道類型為___。

③大π鍵可用符號(hào)π表示，其中m、n分別代表參與形成大π鍵的原子數(shù)和電子數(shù)，則EMIM+離子中的大π鍵應(yīng)表示___。

(3)石墨烯中部分碳原子被氧化后，轉(zhuǎn)化為氧化石墨烯如圖所示，轉(zhuǎn)化后1號(hào)C原子與相鄰C原子間鍵能變小，原因是___。

(4)GaAs為原子晶體，密度為ρgcm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，Ga和As的原子半徑分別為apm和bpm，GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為A，則阿伏加德羅常數(shù)的值為NA=___。(用字母表示)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】有以下物質(zhì)：①石墨；②氯化氫氣體；③酒精；④氨水；⑤二氧化碳；⑥碳酸氫鈉固體；⑦氯化鐵溶液；⑧純醋酸；⑨氧化鈉固體；⑩鋁。

（1）屬于非電解質(zhì)的是______________；屬于強(qiáng)電解質(zhì)的是__________；屬于弱電解質(zhì)的是___________。（用序號(hào)填空）

（2）寫(xiě)出物質(zhì)⑥溶于水溶液顯堿性的原因_______（用離子方程式和簡(jiǎn)要文字說(shuō)明作答）

（3）寫(xiě)出物質(zhì)⑥和⑧在水中反應(yīng)的離子方程式：_____________。

（4）配制溶液⑦時(shí)通常將⑦先溶于___________，然后再加水稀釋，通過(guò)增加溶液中_______的濃度以防止其發(fā)生水解。

（5）濃度、體積相同的②和⑧的溶液，加入相同形狀且足量的Zn粒，反應(yīng)速率快的是___（用序號(hào)填空）；pH值、體積相同的②和⑧的溶液時(shí)，產(chǎn)生氣體的量多的是________。（用序號(hào)填空）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列事實(shí)不能用勒夏特列原理解釋的是

A.Cl2 +H2OHCl+HClO光照新制的氯水時(shí)，顏色變淺，溶液的酸性增強(qiáng)

B.CO2（aq） CO2（g）打開(kāi)可樂(lè)瓶，有大量氣泡從溶液中冒出

C.I2(g)+H2(g) 2HI(g）的平衡體系，加壓后顏色變深

D.2NO2（g）N2O4（aq）加壓后顏色先變深后變淺

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】聯(lián)氨(N2H4)常溫下為無(wú)色液體，可用作火箭燃料。下列說(shuō)法不正確的是

①2O2(g)＋N2(g)=N2O4(l) ΔH1

②N2(g)＋2H2(g)= N2H4(l) ΔH2

③O2(g)＋2H2(g)=2H2O(g) ΔH3

④2 N2H4(l)＋N2O4(l)=3N2(g)＋4H2O(g) ΔH4=1048.9 kJ·mol-1

A.ΔH4﹦2ΔH32ΔH2ΔH1

B.O2(g)＋2H2(g)2H2O(l) ΔH5，ΔH5＞ΔH3

C.1 mol O2(g)和 2 mol H2(g)具有的總能量高于 2 mol H2O(g)

D.聯(lián)氨和 N2O4 作火箭推進(jìn)劑的原因之一是反應(yīng)放出大量的熱且產(chǎn)物無(wú)污染

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】有關(guān)如圖所示原電池的敘述，正確的是(鹽橋中裝有含瓊膠的 KCl 飽和溶液)

A.正極反應(yīng)為 Zn－ 2e－ == Zn2＋

B.取出鹽橋后，檢流計(jì)依然發(fā)生偏轉(zhuǎn)

C.反應(yīng)中，鹽橋中的 K＋會(huì)移向 CuSO4 溶液

D.電子從負(fù)極流向正極，再經(jīng)鹽橋流回負(fù)極

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】科學(xué)家發(fā)現(xiàn)對(duì)冶金硅進(jìn)行電解精煉提純可降低高純硅制備成本。相關(guān)電解槽裝置如左圖，用Cu－Si合金作硅源，在950℃利用三層液熔鹽進(jìn)行電解精煉，并利用某CH4燃料電池（右圖）作為電源。有關(guān)說(shuō)法不正確的是

A. 電極c與a相連，d與b相連

B. 左側(cè)電解槽中：Si 優(yōu)先于Cu被還原，Cu優(yōu)先于Si被氧化

C. 三層液熔鹽的作用是增大電解反應(yīng)面積，提高硅沉積效率

D. 相同時(shí)間下，通入CH4、O2的體積不同，會(huì)影響硅提純速率

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同步練習(xí)冊(cè)答案