Question

2．A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大，已知：
①E的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；
②D原子價(jià)電子（外圍電子）排布為msⁿmpⁿ；
③B原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；
④A、C原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4．
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子的電子排布式是1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹；
（2）在[E（NH₃）₄]²⁺離子中，E²⁺的空軌道接受NH₃分子提供的孤對(duì)電子形成配位鍵，該配合物離子的結(jié)構(gòu)式可表示為；
（3）A與D形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是b；
a．穩(wěn)定性：甲＞乙  沸點(diǎn)：甲＞乙       b．穩(wěn)定性：甲＞乙  沸點(diǎn)：甲＜乙
c．穩(wěn)定性：甲＜乙  沸點(diǎn)：甲＜乙       b．穩(wěn)定性：甲＜乙  沸點(diǎn)：甲＞乙
（4）A的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，其中分子中的δ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為3：2；
（5）五種元素中，電負(fù)性最大的元素與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于原子晶體．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次遞增，E的原子序數(shù)為29，則E為Cu元素，其余的均為短周期主族元素；A、C原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，A原子的核外電子排布為1s²2s²2p²，故A為C元素，C原子的核外電子排布為1s²2s²2p⁴，則C為O元素，D原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ，n=2，故為第ⅣA族元素，其原子序數(shù)大于O元素，小于Cu元素，故D為Si元素，B原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)，B原子有2個(gè)電子層，原子序數(shù)介于C元素與O元素之間，故B為N元素，以此解答該題．

解答 解：A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次遞增，E的原子序數(shù)為29，則E為Cu元素，其余的均為短周期主族元素；A、C原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，A原子的核外電子排布為1s²2s²2p²，故A為C元素，C原子的核外電子排布為1s²2s²2p⁴，則C為O元素，D原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ，n=2，故為第ⅣA族元素，其原子序數(shù)大于O元素，小于Cu元素，故D為Si元素，B原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)，B原子有2個(gè)電子層，原子序數(shù)介于C元素與O元素之間，故B為N元素，
（1）Cu原子的核外電子排布式是1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹，故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹；
（2）Cu²⁺能與NH₃形成配合物離子，NH₃含有孤電子對(duì)，提供孤對(duì)電子，Cu²⁺含有空軌道，接受孤對(duì)電子，配合物離子[Cu（NH₃）₄]²⁺中的配位鍵為，
故答案為：孤對(duì)電子；；
（3）Q形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物甲為CH₄，Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物乙為SiH₄，CH₄、SiH₄結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，非金屬性C＞Si，故穩(wěn)定性CH₄＞SiH₄，沸點(diǎn)CH₄＜SiH₄，故答案為：b；
（4）A的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，應(yīng)為H-C≡C-H，含有3個(gè)δ鍵，2個(gè)π鍵，二者比值為3：2，故答案為：3：2；
（5）五種元素中，電負(fù)性最大的元素為O，與最小的兩種非金屬元素Si形成的化合物為二氧化硅，為原子晶體，故答案為：原子．

點(diǎn)評(píng) 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用，為高頻考點(diǎn)，側(cè)重于學(xué)生的分析能力的考查，涉及核外電子排布規(guī)律、電離能、電負(fù)性、元素周期律應(yīng)用等，注意理解掌握同主族第一電離能異常情況．