Question

下列各組物質(zhì)的熔沸點(diǎn)按由低到高的順序排列正確的是（　　）

• A、冰、干冰、氯化鈉、金剛石
• B、汞、鈉、燒堿、二氧化硅
• C、NaCl、KCl、CsCl
• D、H₂O、H₂S、H₂Se、H₂Te

Answer 1

考點(diǎn)：晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A．熔沸點(diǎn)；原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，分子晶體中有氫鍵的大于沒(méi)有氫鍵的；
B．熔沸點(diǎn)；原子晶體＞離子晶體，金屬晶體差別較大，根據(jù)常見(jiàn)金屬的物理狀態(tài)分析；
C．離子晶體的半徑越小，所帶電荷越多，熔沸點(diǎn)越高；
D．結(jié)構(gòu)和組成相似的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，有氫鍵的熔沸點(diǎn)變高．

解答： 解：A．熔沸點(diǎn)；原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，分子晶體中有氫鍵的大于沒(méi)有氫鍵的，所以熔沸點(diǎn)按由低到高的順序排列為：干冰、冰、氯化鈉、金剛石，故A錯(cuò)誤；
B．熔沸點(diǎn)；原子晶體＞離子晶體，金屬晶體差別較大，根據(jù)常見(jiàn)金屬的物理狀態(tài)分析，Hg常溫下為液態(tài)，Na為固態(tài)，所以熔沸點(diǎn)按由低到高的順序排列為：汞、鈉、燒堿、二氧化硅，故B正確；
C．離子晶體的半徑越小，所帶電荷越多，熔沸點(diǎn)越高，NaCl、KCl、CsCl中微粒半徑依次增大，所以NaCl、KCl、CsCl熔點(diǎn)依次減小，故C錯(cuò)誤；
D．結(jié)構(gòu)和組成相似的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，有氫鍵的熔沸點(diǎn)變高，水中有氫鍵所以水的熔沸點(diǎn)最高，所以熔沸點(diǎn)按由低到高的順序排列為：H₂S、H₂Se、H₂Te、H₂O，故D錯(cuò)誤；
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查不同類型晶體的熔沸點(diǎn)比較，明確不同類型晶體的熔沸點(diǎn)比較方法是解答本題的關(guān)鍵，注意水中含有氫鍵即可解答，題目難度不大．