下面的排序不正確的是(    )

A.晶體熔點由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CI4

B．硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅       

C．熱穩(wěn)定性：HI＞HBr＞HCl＞HF

D. 晶格能由大到小: NaF> NaCl> NaBr>NaI

練習(xí)冊系列答案
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�
A、電負性的大�。篊l＞S＞Al＞MgB、硬度由大到�。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價鍵越強，硬度越大。形成共價鍵的原子半徑越小，共價鍵越強，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強，熔點越高。而金屬鍵強弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強，所以熔點由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強，所以D是正確的。答案選C。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價鍵越強，硬度越大。形成共價鍵的原子半徑越小，共價鍵越強，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強，熔點越高。而金屬鍵強弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強，所以熔點由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強，所以D是正確的。答案選C。

 

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