Question

A、B、C、D、E、F均為短周期主族元素，且原子序數(shù)依次增大．已知A的一種核素的質量數(shù)等于其質子數(shù)；E原子最外層電子數(shù)為其電子層數(shù)的兩倍，C、E是同主族元素；B的第一電離能大于C的第一電離能；D離子在同周期離子中半徑最�。瓽的最外層電子排布圖為，其余各能層電子全充滿．
（1）畫出B原子的結構示意圖

 

，G⁺離子的電子排布式為

 

．
（2）C與E組成的一種化合物具有漂白性，該化合物分子中中心原子的VSEPR構型為

 

．
（3）D單質具有良好導熱性的原因是

 

．
（4）E、F的最高價氧化物對應的水化物的酸性強弱比較（填寫化學式）：

 

＞

 

．
（5）G單質的晶胞結構如圖所示，則一個晶胞中G的原子個數(shù)為

 

．
（6）A與B形成的10電子陽離子在重水中的水解離子方程式為

 

．

Answer 1

考點：位置結構性質的相互關系應用,晶胞的計算

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：A、B、C、D、E、F均為短周期主族元素，且原子序數(shù)依次增大．A的一種核素的質量數(shù)等于其質子數(shù)，則A為氫元素；C、E是同主族元素，結合原子序數(shù)可知，C處于第二周期、E處于第三周期，E原子最外層電子數(shù)為其電子層數(shù)的兩倍，最外層電子數(shù)為6，則C為氧元素、E為硫元素，故F為Cl；B的第一電離能大于C的第一電離能，則B為N元素；D離子在同周期離子中半徑最小，原子序數(shù)大于O，故D只能處于第三周期，則D為Al，G的最外層電子排布圖為，其余各能層電子全充滿，則G核外電子數(shù)為29，為Cu元素，據(jù)此解答．

解答： 解：A、B、C、D、E、F均為短周期主族元素，且原子序數(shù)依次增大．A的一種核素的質量數(shù)等于其質子數(shù)，則A為氫元素；C、E是同主族元素，結合原子序數(shù)可知，C處于第二周期、E處于第三周期，E原子最外層電子數(shù)為其電子層數(shù)的兩倍，最外層電子數(shù)為6，則C為氧元素、E為硫元素，故F為Cl；B的第一電離能大于C的第一電離能，則B為N元素；D離子在同周期離子中半徑最小，原子序數(shù)大于O，故D只能處于第三周期，則D為Al，G的最外層電子排布圖為，其余各能層電子全充滿，則G核外電子數(shù)為29，為Cu元素，
（1）B為N元素，其原子的結構示意圖為，Cu⁺離子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰，
故答案為：；1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰；
（2）O與S組成的一種化合物具有漂白性，該化合物為SO₂，分子中S原子價層電子對數(shù)=2+

6-2×2

2

=3，中心S原子的VSEPR構型為平面正三角形，
故答案為：平面正三角形；
（3）Al單質為金屬晶體，在熱的作用下，自由電子與金屬鋁離子頻繁碰撞，形成熱的傳導，其單質具有良好導熱性，
故答案為：在熱的作用下，自由電子與金屬鋁離子頻繁碰撞，形成熱的傳導；
（4）非金屬性Cl＞S，故最高價氧化物對應的水化物的酸性：HClO₄＞H₂SO₄，
故答案為：HClO₄＞H₂SO₄；
（5）Cu單質的晶胞為面心立方堆積，則一個晶胞中G的原子個數(shù)=8×

1

8

+6×

1

2

=4，
故答案為：4；
（6）H與N形成的10電子陽離子NH₄⁺，在重水中的水解離子方程式為：NH₄⁺+D₂O?NH₃?HDO+D⁺，
故答案為：NH₄⁺+D₂O?NH₃?HDO+D⁺．

點評：本題是對物質結構的考查，題目比較綜合，側重對主干知識的考查，難度中等，注意利用金屬鍵電子氣理論解釋金屬晶體的一些性質．