2010年上海世博會是一次清潔能源技術的集中展示，其一是世博會的主要建筑都安裝了太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)，系統(tǒng)引進了最先進的太陽能半導體薄膜，儲藏陽光并轉(zhuǎn)化為電能．下列敘述不正確的是（　�。�
分析：A．太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)無污染；
B．光伏發(fā)電系統(tǒng)是將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔埽?br />C．太陽能電池板的材料主要是硅；
D．清潔能源是指在生產(chǎn)和使用過程、不產(chǎn)生有害物質(zhì)排放的能源．
解答：解：A．太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)無污染，符合低碳、綠色、科技的世博理念，故A正確；
B．光伏發(fā)電系統(tǒng)是光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿难b置，故B正確；
C．太陽能電池板的材料主要是硅單質(zhì)，故C錯誤；
D．核能、水力、風力、生物能（沼氣）、海潮能等無污染，都是清潔能源，故D正確．
故選C．
點評：本題考查新能源，難度不大，注意核能、水力、風力、生物能（沼氣）、海潮能等都是清潔能源．
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
4
4
，與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構型為
正四面體
正四面體
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學 來源： 題型：

2010年上海世博會場館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1
．
（2）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（3）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
4
4
，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為
正四面體
正四面體
．
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．（用氫化物分子式表示）
（6）下列說法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構與NaCl相同       B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As＞Ga                  D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學 來源： 題型：

2010年上海世博會主題是“城市，讓生活更美好”，下列有關世博會說法錯誤的是（　�。�

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2011?南京模擬）2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結(jié)構如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
．
（2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
4
4
，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為
正四面體
正四面體
．
（3）下列說法正確的是
BCDE
BCDE
（填字母）．
A．砷化鎵品胞結(jié)構與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負性：As＞Ga
D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
E．GaP與GaAs互為等電子體
（4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．
（5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2011?石景山區(qū)一模）2010年上海世博會的主題是“城市，讓生活更美好”．下列敘述中不正確的是（　�。�

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