下列關(guān)于晶體的說法一定正確的是( )
A.分子晶體中都存在共價(jià)鍵
B.CaTiO3晶體中每個(gè)Ti4+和12個(gè)O2-相緊鄰
C.SiO2晶體中每個(gè)硅原子與兩個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
D.金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
用溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的濃硫酸和溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為18%的稀硫酸配制500 g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為28%的硫酸,需要濃硫酸和稀硫酸的質(zhì)量分別為( )
A.62.5 g 437.5 g B.71.4 g 428.6 g
C.437.5 g 62.5 g D.428.6 g 71.4 g
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列敘述中,正確的是( )
A.在一個(gè)基態(tài)多電子的原子中,可以有兩個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子
B.在一個(gè)基態(tài)多電子的原子中,不可能有兩個(gè)能量完全相同的電子
C.在一個(gè)基態(tài)多電子的原子中,M層上的電子能量肯定比L層上的電子能量高
D.如果某一基態(tài)3p能級上僅有2個(gè)電子,它們自旋方向必然相反
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
H2O與H2S結(jié)構(gòu)相似,都是V形的極性分子,但是H2O的沸點(diǎn)是100℃,H2S的沸點(diǎn)是-60.7℃。引起這種差異的主要原因是( )
A.范德華力 B.共價(jià)鍵
C.氫鍵 D.相對分子質(zhì)量
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列關(guān)于晶體的說法中,正確的是( )
A.在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子 B.在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子
C.原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高 D.分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
原子序數(shù)小于18的八種連號元素,它們的單質(zhì)熔點(diǎn)隨原子序數(shù)增大而變化的趨勢如圖所示,圖中X元素應(yīng)屬于( )
A.ⅢA族 B.ⅣA族
C.ⅤA族 D.ⅥA族
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對電子,A+比B-少一個(gè)電子層,B原子得一個(gè)電子后3p軌道全滿;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4,其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A與D離子數(shù)之比為2∶1。請回答下列問題:
(1)A單質(zhì)、B單質(zhì)、化合物R的熔點(diǎn)大小順序?yàn)橄铝械腳_______(填序號)。
①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì)
③B單質(zhì)>R>A單質(zhì) ④A單質(zhì)>R>B單質(zhì)
(2)在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是______雜化,其固體時(shí)的晶體類型為________。
(3)寫出D原子的核外電子排布式:______________________________。C的氫化物比D的氫化物在水中的溶解度大得多的可能原因是__________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
以下每個(gè)選項(xiàng)中的兩組物質(zhì)都能反應(yīng),且能放出同一種氣體的是( )
A.銅與稀硫酸,銅與濃硫酸
B.鐵與稀硫酸,鐵與濃硫酸
C.硫化鈉與稀硫酸,亞硫酸鈉與稀硫酸
D.硫化鈉與稀硫酸,硫化鈉與稀鹽酸
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
某元素X,其原子的電子層數(shù)為(n-1),最外層電子數(shù)為(2n-1)。下列有關(guān)元素X的說法中正確的是( )
A.X可能是金屬元素
B.由X形成的含氧酸均為強(qiáng)酸
C.X不能形成化學(xué)式為KXO4的含氧酸鹽
D.元素X的氣態(tài)氫化物一定極易溶于水
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