硅的元素符號為Si，單晶硅是制作電子集成電路的基礎材料用化學方法可制得高純度硅有關化學反應方程式為：①SiO2＋2C==Si＋2CO↑　②Si＋2C12======SiCl4�、跾iCl4＋2H2====Si＋4HCl其中①、③的反應類型屬于

[　　]

A．

復分解反應

B．

分解反應

C．

置換反

D．

化合反應

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

（1）以基態(tài)硅原子為例，如果電子排布式寫作ls22s22p63s13p3則違反了
能量最低
能量最低
原理，如寫作ls22s22p63s33p1則違反了
泡利
泡利
原理；
（2）已知H、C、Si三種元素的電負性依次為2.1、2.5、1.8，則CH4、SiH4中C、Si的化合價依次為
-4
-4
、
+4
+4
；
（3）在我們現(xiàn)今使用的元素周期表中，元素種類最多的族是
ⅢB
ⅢB
族，共
32
32
種元素；元素種類最多的周期是第
六
六
周期，共
32
32
種元素；
（4）熔點：F2
＜
＜
Cl2（填“＜”或“=”“或＞”，下同），沸點：HF
＞
＞
HCl，一定壓強下HF和HCl的混合氣體降溫時
HF
HF
（填HF或HCl）先液化；
（5）前三周期元素中，基態(tài)原子中未成對電子數(shù)與其所在周期序數(shù)相同的元素：
H、C、O、P
H、C、O、P
（用元素符號按原子序數(shù)由小到大排列）．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2009?山東）（化學-物質結構與性質）C和Si元素在化學中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
．
從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為
O＞C＞Si
O＞C＞Si
．
（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
，微粒間存在的作用力是
共價鍵
共價鍵
．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為
Mg
Mg
（填元素符號）．MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似．MO的熔點比CaO的高，其原因是
Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大
Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大
．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學式相似，但結構和性質有很大不同．CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π�。畯脑影霃酱笮〉慕嵌确治觯瑸楹蜟、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵
Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
．

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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

（2009?汕頭二模）不同元素的原子在分子內(nèi)吸引電子的能力大小可用數(shù)值表示，該數(shù)值稱為電負性．一般認為：如果兩個成鍵元素間的電負性差值大于1.7，原子之間通常形成離子鍵；如果兩個成鍵元素間的電負性差值小于1.7，通常形成共價鍵．下表是某些元素的電負性值：
元素符號 Li Be B C O F Na Al Si P S Cl
電負性值 0.98 1.57 2.04 2.55 3.44 3.98 0.93 1.61 1.90 2.19 2.58 3.16
觀察上述數(shù)據(jù)，回答下列問題：
（1）通過分析電負性值變化規(guī)律，確定Mg元素電負性值的最小范圍
0.93～1.57
0.93～1.57
；
（2）請歸納元素的電負性和金屬、非金屬的關系是
非金屬性越強，電負性越大，金屬性越強，電負性越小
非金屬性越強，電負性越大，金屬性越強，電負性越小
；
（3）COCl2俗稱光氣，分子中C原子以
sp2
sp2
雜化軌道方式與其它原子成鍵；分子結構中含有C-Cl鍵，其共用電子對偏向
Cl
Cl
（寫原子名稱）．
（4）氯和硅元素形成的化合物SiCl4為共價化合物，它與氨氣一起使用可用于海上軍事作戰(zhàn)起煙幕作用，試說明原因并寫出相應發(fā)生的化學反應方程式：
因為四氯化硅與水發(fā)生反應（強烈水解）產(chǎn)生大量的氯化氫氣體，氯化氫與氨氣化合產(chǎn)生大量的白煙，起隱蔽作用；SiCl4+4H2O═4HCl↑+H4SiO4，NH3+HCl=NH4Cl
因為四氯化硅與水發(fā)生反應（強烈水解）產(chǎn)生大量的氯化氫氣體，氯化氫與氨氣化合產(chǎn)生大量的白煙，起隱蔽作用；SiCl4+4H2O═4HCl↑+H4SiO4，NH3+HCl=NH4Cl
；
（5）從電負性角度，判斷AlCl3是離子化合物還是共價化合物？請說出理由（即寫出判斷的方法和結論）是：
Al元素和Cl元素的電負性差值為1.55＜1.7，所以形成共價鍵，為共價化合物
Al元素和Cl元素的電負性差值為1.55＜1.7，所以形成共價鍵，為共價化合物
；請設計一個實驗方案證明上述所得到的結論：
將氯化鋁加熱到熔融態(tài)，進行導電性實驗，如果不導電，說明是共價化合物
將氯化鋁加熱到熔融態(tài)，進行導電性實驗，如果不導電，說明是共價化合物
．

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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

C和Si元素在化學中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
．從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為
O＞C＞Si
O＞C＞Si
．
（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
，微粒間存在的作用力是
共價鍵
共價鍵
．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為
Mg
Mg
（填元素符號），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似，MO的熔點比CaO的高，其原因是
Ca2+的離子半徑大于Mg2+，MgO的晶格能大
Ca2+的離子半徑大于Mg2+，MgO的晶格能大
．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學式相似，但結構和性質有很大不同．CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π�。畯脑影霃酱笮〉慕嵌确治�，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健
Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
．
（5）有A、B、C三種物質，每個分子中都各有14個電子，其中A的分子屬于非極性分子，且只有非極性鍵；B的分子也屬于非極性分子，但既有非極性鍵，又有極性鍵；C的分子屬于極性分子．則可推出：A的電子式是
，B的結構式是
H-C≡C-H
H-C≡C-H
．
（6）已知Si-Si鍵能為176kJ/mol，Si-O鍵能為460kJ/mol，O=O鍵能為497.3kJ/mol．則可計算出1mol硅與足量氧氣反應時將放出
=-990.7
=-990.7
kJ的熱量．

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