【題目】下列說(shuō)法正確的是
A. H2O的沸點(diǎn)比H2S高,所以H2O比H2S更穩(wěn)定
B. 干冰和石英晶體中的化學(xué)鍵類型相同,熔化時(shí)需克服微粒間的作用力類型也相同
C. N2和CCl4中,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
D. NaHCO3受熱分解的過(guò)程中,只有離子鍵被破壞
【答案】C
【解析】A、沸點(diǎn)是物理性質(zhì),與分子間作用力有關(guān),熱穩(wěn)定性是化學(xué)性質(zhì),與元素非金屬性有關(guān),沸點(diǎn)與熱穩(wěn)定性沒有因果關(guān)系,A錯(cuò)誤;B、干冰是分子晶體,冰熔化需克服分子間作用力,石英是原子晶體,熔化需要克服共價(jià)鍵,故B錯(cuò)誤;C、N2的電子式為,CCl4電子式為,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故C正確;D、NaHCO3受熱分解生成碳酸鈉、水、CO2,既破壞了離子鍵也破壞了共價(jià)鍵,故D錯(cuò)誤。選C。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】設(shè)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,下列敘述中正確的是( )
A.常溫常壓下,48gO3含有的氧原子數(shù)為3NA
B.24g金屬鎂變?yōu)殒V離子時(shí)失去的電子數(shù)為NA
C.4℃時(shí)9mL水和標(biāo)準(zhǔn)狀況下11.2L氮?dú)夂邢嗤脑訑?shù)
D.同溫同壓下,NA個(gè)NO與NA個(gè)N2和O2的混合氣體的體積不相等
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖是學(xué)校實(shí)驗(yàn)室從化學(xué)試劑商店買回的硫酸試劑標(biāo)簽上的部分內(nèi)容.據(jù)此下列說(shuō)法正確的是( )
A.該硫酸試劑的物質(zhì)的量濃度為18.4 mol/L
B.稀釋該硫酸時(shí)應(yīng)把水倒入硫酸中,邊倒邊攪拌
C.50 mL該H2SO4中加入足量的銅片并加熱,被還原的H2SO4的物質(zhì)的量為0.46 mol
D.標(biāo)準(zhǔn)狀況下2.7 g Al與足量的該硫酸反應(yīng)可得到H2 3.36 L
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】下列敘述中錯(cuò)誤的是( )
A. 隨著電子層數(shù)增多,堿金屬的原子半徑逐漸增大
B. 堿金屬元素在自然界中都是以化合態(tài)存在的
C. 堿金屬單質(zhì)的熔沸點(diǎn)隨著核電荷數(shù)的增大而降低
D. 堿金屬具有強(qiáng)還原性,它們的離子具有強(qiáng)氧化性
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】乙烷中混有乙烯,欲除乙烯得到純凈的乙烷,可依次將其通過(guò)下列哪組試劑的洗氣瓶( )
A. 濃H2SO4,溴水 B. 溴水,濃H2SO4
C. 酸性高錳酸鉀溶液,濃H2SO4 D. 濃H2SO4,酸性高錳酸鉀溶液
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】膠體區(qū)別于其它分散系的本質(zhì)特征是
A. 膠體粒子不能透過(guò)半透膜 B. 膠體粒子帶電荷
C. 膠體能夠發(fā)生丁達(dá)爾現(xiàn)象 D. 膠體粒子直徑在 1-100nm 之間
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】電解CuSO4溶液時(shí),若要達(dá)到如下三個(gè)要求:①陽(yáng)極質(zhì)量減;②陰極質(zhì)量增加;③電解質(zhì)溶液中Cu2+濃度不變。則選用的電極是( )
A.純銅作陽(yáng)極,含鋅、銀的銅合金作陰極
B.鐵作陽(yáng)極,銅作陰極
C.石墨作陽(yáng)極,鉑作陰極
D.含鋅、銀的銅合金作陽(yáng)極,純銅作陰極
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】X元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的化學(xué)式為 H2XO3,則它對(duì)應(yīng)的氣態(tài)氫化物的化學(xué)
式為( )
A. HX B. H2X C. XH3 D. XH4
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】對(duì)于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和日常生活中與化學(xué)有關(guān)的問(wèn)題,下列認(rèn)識(shí)不正確的是
A.含有氯化鈉融雪劑的使用會(huì)加快橋梁的腐蝕
B.鋁合金的大量使用是因?yàn)槿藗兡苡媒固康冗原劑從氧化鋁中獲取鋁
C.光纜在信息產(chǎn)業(yè)中有廣泛應(yīng)用,制造光纜的主要材料是二氧化硅
D.高溫結(jié)構(gòu)陶瓷氮化硅(Si3N4)具有較高的硬度和耐磨性,可用于制造汽車發(fā)動(dòng)機(jī)
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