堿金屬鹵化物是典型的離子晶體,它們的晶格能與成正比(d0是晶體中最鄰近的帶有異性電荷離子的核間距)。下面說法錯誤的是( )
晶格能/kJ·mol-1 | 離子半徑/pm | |
① | LiF LiCl LiBr LiI 1 031 845 807 752 | Li+ Na+ K+ 60 95 133 |
② | NaF NaCl NaBr NaI 915777 740 693 | F- Cl- Br- I- 136 181 195 216 |
③ | KF KCl KBr KI 812 708 676 641 |
A.晶格能的大小與離子半徑成正比
B.陽離子相同、陰離子不同的離子晶體,陰離子半徑越大,晶格能越小
C.陽離子不同、陰離子相同的離子晶體,陽離子半徑越小,晶格能越大
D.金屬鹵化物晶體中,晶格能越小,還原性越強(qiáng)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
(1)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為________,微粒間存在的作用力是________。
(2)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為________(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,MO的熔點比CaO的高,其原因是_____________。
(3)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π鍵_________
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________________________________________________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
金屬能導(dǎo)電的原因是( )
A.金屬晶體中金屬陽離子與自由電子間的相互作用較弱
B.金屬晶體中的自由電子在外加電場作用下發(fā)生定向移動
C.金屬晶體中的金屬陽離子在外加電場作用下可發(fā)生定向移動
D.金屬晶體在外加電場作用下可失去電子
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
在氯化鈉晶體中,與每個Na+等距離且最近的幾個Cl-所圍成的空間(幾何)構(gòu)型為( )
A.十二面體 B.正八面體
C.正六面體 D.正四面體
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
金屬晶體的形成是因為晶體中存在( )
A.金屬陰離子間的相互作用
B.金屬原子間的相互作用
C.金屬陽離子與自由電子間的相互作用
D.金屬原子與自由電子間的相互作用
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
將金屬晶體的密堆積方式、對應(yīng)的晶胞、配位數(shù)及其實例進(jìn)行連線。
密堆積方式 對應(yīng)的晶胞 配位數(shù) 實例
A1型 體心立方 8 Zn
A2型 六方 12 Ag
A3型 面心立方 12 Fe
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列各物質(zhì)中,按熔點由高到低的順序排列正確的是( )
A.CH4>SiH4>GeH4>SnH4
B.KCl>NaCl>MgCl2>MgO
C.Rb>K>Na>Li
D.金剛石>SiO2>NaCl>鈉
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下面有關(guān)金屬的敘述正確的是( )
A.金屬受外力作用時常常發(fā)生變形而不易折斷,是由于金屬離子之間有較強(qiáng)的作用
B.通常情況下,金屬中的自由電子會發(fā)生定向移動,而形成電流
C.金屬是借助金屬離子的運(yùn)動,把能量從溫度高的部分傳到溫度低的部分
D.金屬的導(dǎo)電性隨溫度的升高而降低
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