Question

【題目】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料或用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:

A1	Si	P
Ga	Ge	As

回答下列問(wèn)題:

（1）六種元素中，非金屬性最強(qiáng)的元素是:________.寫(xiě)出As原子的最外層的電子排布式_________,As原子核外有_____個(gè)未成對(duì)電子。

（2）根據(jù)元素周期律，可判斷原子半徑Ga_____As。(選填“>”、“<”或“=”)。寫(xiě)出鋁的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的電離方程式:________________

（3）NH3的分子構(gòu)型是_______。GaF3的熔點(diǎn)高于1000°C,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9°C,可能的原因是_______.寫(xiě)出C2H2的電子式為:_________

（4）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因___________

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔點(diǎn)/°C	-49.5	26	146
沸點(diǎn)/°C	83.1	186	約400

Answer 1

【答案】 P 4s24p3 3 ＞ H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH– 三角錐形 GaF3 是離子晶體， GaCl3是分子晶體 GeCl4、 GeBr4、 GeI4的熔沸點(diǎn)依次上升。因?yàn)槠浣M成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，都是分子晶體，隨分子量增大，范德華力增大，熔沸點(diǎn)上升

【解析】(1)同一主族，從上到下，非金屬性減弱；同一周期，從左向右，非金屬性增強(qiáng)，非金屬性最強(qiáng)的是P元素；As為ⅤA族33號(hào)元素，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p3，因此最外層的電子排布式為4s24p3，有3個(gè)未成對(duì)電子，故答案為：P；4s24p3；3；

(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故半徑Ga大于As，鋁的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物——氫氧化鋁的電離方程式為H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH–，故答案為：＞；H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH–；

(3)NH3中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+=4，所以原子雜化方式是sp3，由于有一對(duì)孤對(duì)電子對(duì)，分子空間構(gòu)型為三角錐形；GaF3 是離子晶體，GaCl3是分子晶體，使得GaF3 的熔點(diǎn)不GaCl3高很多；C2H2的電子式為，故答案為：三角錐形；GaF3 是離子晶體， GaCl3是分子晶體；；

(4)根據(jù)表格數(shù)據(jù)，GeCl4、 GeBr4、 GeI4的組成和結(jié)構(gòu)相似，都是分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，范德華力增大，熔沸點(diǎn)上升，故答案為：GeCl4、 GeBr4、 GeI4的熔沸點(diǎn)依次上升。因?yàn)槠浣M成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，都是分子晶體，隨分子量增大，范德華力增大，熔沸點(diǎn)上升。