下列物質(zhì)中,均直接由原子構(gòu)成的是:①干冰晶體;②二氧化硅;③水蒸氣;④金剛石;⑤單晶硅;⑥白磷;⑦硫磺;⑧液氨;⑨鈉和氖晶體
A.②④⑤B.②③④⑤⑨C.②③④⑤D.②④⑤⑥⑦⑨
A

試題分析:①干冰晶體屬于分子晶體,由二氧化碳分子構(gòu)成的;②二氧化硅是原子晶體,由C、O原子直接構(gòu)成的;③水蒸氣是以水分子構(gòu)成構(gòu)成的;④金剛石屬于原子晶體,由C原子直接構(gòu)成的;⑤單晶硅屬于原子晶體,由Si原子直接構(gòu)成的;⑥白磷屬于分子晶體,由P4分子構(gòu)成的;⑦硫磺分子晶體,由分子構(gòu)成的;⑧液氨可以形成分子晶體,由分子構(gòu)成的;⑨鈉屬于金屬晶體,由金屬陽(yáng)離子Na+和自由電子構(gòu)成構(gòu)成的;氖晶體屬于分子晶體,是單原子分子,由氖原子構(gòu)成的,是以由原子直接構(gòu)成的物質(zhì)有②④⑤,答案選A。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

電子表、電子計(jì)算器、電腦顯示器都運(yùn)用了液晶材料顯示圖像和文字。有關(guān)其顯示原理的敘述中,正確的是   (  )。
A.施加電場(chǎng)時(shí),液晶分子沿垂直于電場(chǎng)方向排列
B.移去電場(chǎng)后,液晶分子恢復(fù)到原來(lái)狀態(tài)
C.施加電場(chǎng)后,液晶分子恢復(fù)到原來(lái)狀態(tài)
D.移去電場(chǎng)后,液晶分子沿電場(chǎng)方向排列

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

天然氣既是重要的能源,也是重要的化工原料,其主要成分是甲烷。
(1)甲烷在一定條件下可生成:
A.碳正離子(CH3-)         B.碳負(fù)離子(CH3-
C.甲基(—CH3)                D.碳烯(
①四種微粒中,鍵角為120°的是________。(填序號(hào))
②與碳負(fù)離子(CH3-)互為等電子體的一種分子的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)________________________________________________________。
(2)海底富藏大量的可燃冰(甲烷的水合物),關(guān)于可燃冰的說(shuō)法中正確的是________。
A.甲烷分子與水分子均是極性分子
B.可燃冰中甲烷分子與水分子間以氫鍵相結(jié)合
C.可燃冰屬于原子晶體
D.甲烷分子與水分子中的σ鍵均是s—sp3電子云重疊而成的
(3)在高溫下,甲烷可還原CuO得到Cu2O。
①Cu的核外電子排布式為_(kāi)___________。
②Cu2O晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。其中“△”代表的離子符號(hào)為_(kāi)_______。

(4)一定條件下,甲烷與水蒸氣可生成H2和CO。則所生成的氣體中σ鍵總數(shù)與π鍵總數(shù)之比為_(kāi)_______。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列各項(xiàng)所述的數(shù)字不是6的是
A.在NaCl晶體中,與一個(gè)Na+ 最近的且距離相等的Cl- 的個(gè)數(shù)
B.在金剛石晶體中,最小的環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù)
C.在二氧化硅晶體中,最小的環(huán)上的原子個(gè)數(shù)
D.在石墨晶體的層狀結(jié)構(gòu)中,最小的環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

NaF、NaI、和MgO均為離子晶體,有關(guān)數(shù)據(jù)如下表:
物 質(zhì)
① NaF
② NaI
③ MgO
離子電荷數(shù)
1
1
2
鍵長(zhǎng)(10-10m)
2.31
3.18
2.10
 
試判斷,這三種化合物熔點(diǎn)由高到低的順序是
A.③>①>②      B.③>②>①      C.①>②>③      D.②>①>③

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

物質(zhì)的熔沸點(diǎn)高低能用鍵能大小解釋的是
A.Na > KB.O2> N2C.H2O > H2SD.SiO2 > CO2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。
(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,
則該氧化物的化學(xué)式為         。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

X、Y、Z、U為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素,X、Y、Z三種元素位于同一周期,其中基態(tài)Y原子的2p軌道處于半充滿狀態(tài),Y和Z的單質(zhì)可以通過(guò)分離液態(tài)空氣的方法大量制得,且XZ2與Y2Z互為等電子體。含U的化合物的焰色為紫色。試回答下列問(wèn)題:
(1)U單質(zhì)的原子堆積方式為_(kāi)_________________,Y的價(jià)電子排布式為_(kāi)_________________。
(2)化合物甲由Z、U兩元素組成,其晶胞如圖所示。

①甲的化學(xué)式為_(kāi)___________。
②下列有關(guān)該晶體的說(shuō)法中正確的是________(選填選項(xiàng)字母)。
A.每個(gè)晶胞中含有14個(gè)U+ 和13個(gè)Z2-
B.晶體中每個(gè)U+ 周圍距離最近的U+ 有6個(gè)
C.該晶體屬于離子晶體
③甲的密度為a g·cm-3,則晶胞的體積是_____________ m3(只要求列出計(jì)算式,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示)。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

(1)已知短周期元素X的電離能數(shù)據(jù)如下(kJ·mol-1):
電離能
I1
I2
I3
I4
X
577
1817
2745
11578
由X的電離能數(shù)據(jù)判斷,X通常顯       價(jià)。
(2)單質(zhì)硼有無(wú)定形和晶體兩種,參考下表數(shù)據(jù)回答:

①晶體硼的晶體類型屬于__________晶體,理由是_____________________________。

②已知晶體硼的結(jié)構(gòu)單元是由硼原子組成的正二十面體(如下圖),其中有20個(gè)等邊三角形的面和一定數(shù)目的頂角,每個(gè)頂角各有一個(gè)硼原子。通過(guò)觀察圖形及推算,得出此基本結(jié)構(gòu)單元是由__________個(gè)硼原子構(gòu)成的,其中B—B鍵的鍵角為_(kāi)___________。

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