【題目】高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料。

(1)硅元素位于周期表的__________周期_________族。下面有關(guān)硅材料的說法中正確的是________(填字母)。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,故在玻璃尖口點(diǎn)燃H2時(shí)出現(xiàn)黃色火焰

E. 鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(2)工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅。

已知:

請(qǐng)將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整:SiO2(s)+2C(s)═Si(s)+2CO(g) △H=_____________

(3)粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷(SiH4),硅烷分解生成高純硅.已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷,用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因:________________________________,Si元素的非金屬性弱于C元素,硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷。

(4)將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl3),進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅。

①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等雜質(zhì)對(duì)晶體硅的質(zhì)量有影響.根據(jù)下表數(shù)據(jù),可用_________________方法提純SiHCl3。

物質(zhì)

SiHCl3

SiCl4

AsCl3

沸點(diǎn)/℃

32.0

57.5

131.6

②用SiHCl3制備高純硅的反應(yīng)為SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g),不同溫度下,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比(反應(yīng)初始時(shí),各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比)的變化關(guān)系如圖所示。下列說法正確的是_____________________(填字母序號(hào))。

a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大

b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是

C.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,應(yīng)適當(dāng)升高溫度

③整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HC1和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式:____________________________________。

【答案】 3 ⅣA BCD +638.4kJ·mol-1 C和Si最外層電子數(shù)相同(或“是同主族元素”), C原子半徑小于Si(或“C原子電子層數(shù)少于Si”) 蒸餾(或分餾) a、c SiHCl3+3H2O===H2SiO3↓+H2↑+3HC1↑

【解析】(1)硅元素三個(gè)電子層,最外層4個(gè)電子,位于周期表的第三周期A族;

A、碳化硅屬于原子晶體,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定且熔點(diǎn)較高,但不可用于生產(chǎn)耐高溫水泥,故A錯(cuò)誤;B、氮化硅陶瓷是新型無機(jī)非金屬材料之一,氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承,故B正確;C、光導(dǎo)纖維是高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料,故C正確;D、普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,含有鈉元素,在玻璃尖口點(diǎn)燃H2時(shí)出現(xiàn)黃色火焰,故D正確;E、鹽酸不與硅反應(yīng),硅和氫氟酸反應(yīng),采用的是氫氟酸為拋光液拋光單晶硅,故E錯(cuò)誤。

故答案為:3;ⅣA;BCD;

(2)根據(jù)兩個(gè)反應(yīng)過程能量變化圖象可知:Si(s)+O2(s)=SiO2(s)△H=-859.4kJmol-1
2C(s)+O2(s)=2CO(g)△H=-221.0kJmol-1,用第二個(gè)方程式減去第一個(gè)方程式得出所需反應(yīng),SiO2(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g)△H=+638.4 kJmol-1,得到△H=+638.4kJmol-1

故答案為:+638.4 kJmol-1;

(3)硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷,是因?yàn)镃和Si為同主族元素,最外層電子數(shù)相同,C原子半徑小于Si,Si元素的非金屬性弱于C元素,所以硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷

故答案為:C和Si最外層電子數(shù)相同(或“是同主族元素”),C原子半徑小于Si(或“C原子電子層數(shù)少于Si”)

(4)①根據(jù)各物質(zhì)沸點(diǎn)的不同分離提純物質(zhì),可用蒸餾(或分餾)法;

故答案為:蒸餾(或分餾);

②a、隨著溫度的升高,SiHCl3的轉(zhuǎn)化率增大,平衡右移,則該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大,故a正確;b、增大一種反應(yīng)物的濃度,能提高其它反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率,而本身的轉(zhuǎn)化率反而降低,故橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是,故b錯(cuò)誤;c、隨著溫度的升高,SiHCl3的轉(zhuǎn)化率增大,平衡右移,故實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,應(yīng)適當(dāng)升高溫度,故c正確。故答案為:ac;

SiHCl3和H2O劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),分析它們化合價(jià)的變化可知,SiHCl3→H2SiO3+HCl,其中Si元素化合價(jià)升高, Cl元素化合價(jià)不變。氧化還原反應(yīng),有化合價(jià)的升高,必有化合價(jià)的降低,則H元素的化合價(jià)必定降低,氧元素為-2價(jià),不能降,所以另一種物質(zhì)是H2。

故答案為:SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】下列說法不正確的是

A.和酸反應(yīng)時(shí)Zn能失2e,Nae,所以Zn的金屬性強(qiáng)于Na

B.金屬性:Rb>K>Na>Li

C.在鈉、鉀、銣三種單質(zhì)中,銣的熔點(diǎn)最低

D.硝酸銣?zhǔn)请x子化合物,易溶于水

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】有一混合物的水溶液,只可能含有以下離子中的若干種:K+NH4+、Cl-、Mg2+、Ba2+CO32-、SO42-,現(xiàn)取三份100mL該溶液進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn):(1)第一份加入AgNO3溶液有沉淀產(chǎn)生;(2)第二份加足最NaOH溶液加熱后,收集到氣體0.04 mol(3)第三份加足量BaCl2溶液后,干燥后得到沉淀6.27g經(jīng)足量鹽酸洗滌、干燥后,沉淀質(zhì)量為2.33g。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn),下列推測(cè)正確的是

K+一定存在100mL溶液中含0.01molCO32-;Cl-可能存在 Ba2+一定不存在;Mg2+可能存在

A. ②③④ B. ③④⑤ C. ①②③ D. ①③④

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】如圖所示,U形管內(nèi)盛有100mL的溶液,按要求回答下列問題:
(1)打開K2 , 閉合K1 , 若所盛溶液為CuSO4溶液:則A為極,B極的電極反應(yīng)式為 . 若所盛溶液為KCl溶液:則B極的電極反應(yīng)式為 , K+移向極(填A(yù)、B)
(2)打開K1 , 閉合K2 , 若所盛溶液為滴有酚酞的NaCl溶液,則: ①A電極附近可觀察到的現(xiàn)象是 . 總反應(yīng)化學(xué)方程式是
②反應(yīng)一段時(shí)間后打開K2 , 若忽略溶液的體積變化和氣體的溶解,B極產(chǎn)生氣體的體積(標(biāo)準(zhǔn)狀況)為11.2mL,將溶液充分混合,溶液的pH約為 . 若要使電解質(zhì)溶液恢復(fù)到原狀態(tài),需向U形管內(nèi)加入或通入一定量的
(3)如要用電解方法精煉粗銅,打開K1 , 閉合K2 , 電解液選用CuSO4溶液,則A電極的材料應(yīng)換成是 , 反應(yīng)一段時(shí)間后電解質(zhì)溶液中Cu2+濃度(填“增大”、“減小”、“不變”).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】常溫下,已知:Ksp(AgCl)=1.8×10-10,Ksp(Ag2CrO4)=l.1×10-12以及Ksp[Cu(OH)2] =2×10-20。下列說法錯(cuò)誤的是

A. 常溫下AgCl飽和溶液和Ag2CrO4飽和溶液的物質(zhì)的量濃度比較:c(AgCl)<c(Ag2CrO4)

B. 常溫下,在0.010molL-1AgNO3溶液中,AgClAg2CrO4分別能達(dá)到的最大物質(zhì)的量濃度比較:c(AgCl)<c(Ag2CrO4)

C. CuSO4溶液里c(Cu2+)=0.02 molL-1,如要生成Cu(OH)2沉淀,應(yīng)調(diào)整溶液的pH,使之大于5

D. 要使0.2molL-1 CuSO4溶液中Cu2+沉淀較為完全(使Cu2+濃度降至原來的千分之一),則應(yīng)向溶液里加入NaOH溶液,使溶液PH6

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某研究小組為了探究一種無機(jī)礦物鹽X(僅含四種元素)的組成和性質(zhì),設(shè)計(jì)并完成如下實(shí)驗(yàn):

另取21.6gX在惰性氣流中加熱至完全分解,得到12.8g固體1和0.2mol氣體甲。

(1)畫出白色沉淀1中金屬元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖_____________,寫出氣體甲的電子式_______

(2)X的化學(xué)式是______________,在惰性氣流中加熱X至完全分解的化學(xué)反應(yīng)方程式為______________________________________。

(3)白色沉淀2在空氣中變成紅褐色沉淀的原因是_______(用化學(xué)反應(yīng)方程式表示)。

(4)一定條件下,氣體甲魚固體1中的某種成分可能發(fā)生氧化還原反應(yīng),寫出一個(gè)有氣體生成的可能的化學(xué)反應(yīng)方程式______________________________,并設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案驗(yàn)證該反應(yīng)的產(chǎn)物___________________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】現(xiàn)用金屬鈉和空氣制備純度較高的Na2O2,可利用的裝置如下:

請(qǐng)回答下列問題:

(1)若規(guī)定氣體的流動(dòng)方向?yàn)閺淖蟮接遥瑒t組合實(shí)驗(yàn)裝置時(shí)各儀器的連接順序是:空氣→Ⅳ→________________________(填“Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ”,儀器不能重復(fù)使用)。

(2)裝置Ⅳ中盛放的藥品是___________,其作用是____________________。

(3)裝置Ⅱ的作用是_________________________________________。

(4)加熱裝置Ⅰ時(shí)發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為___________________________

(5)下列對(duì)于過氧化鈉的敘述中,正確的是___________

A.過氧化鈉能與酸反應(yīng)生成鹽和水,所以過氧化鈉是堿性氧化物

B.將過量Na2O2投入紫色石蕊試液中,溶液變藍(lán)

C.過氧化鈉與水反應(yīng)時(shí),過氧化鈉是氧化劑,水是還原劑

D.過氧化鈉與二氧化碳反應(yīng)時(shí),過氧化鈉既是氧化劑又是還原劑

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】下列有關(guān)材料的說法錯(cuò)誤的是

A.大理石的主要成分是碳酸鈣B.海邊的鐵制品比較容易生銹

C.光導(dǎo)纖維的主要成分是硅D.鋁合金質(zhì)輕、抗腐蝕性強(qiáng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某實(shí)驗(yàn)小組設(shè)計(jì)了如下裝置對(duì)焦炭還原二氧化硅的氣體產(chǎn)物的成分進(jìn)行探究。

已知:PdCl2溶液可用于檢驗(yàn)CO,反應(yīng)的化學(xué)方程式為CO + PdCl2 + H2O = CO2 + 2HCl + Pd↓

(產(chǎn)生黑色金屬鈀粉末,使溶液變渾濁)。

1)實(shí)驗(yàn)時(shí)要通入足夠長(zhǎng)時(shí)間的N2,其原因是_ 。

2)裝置B的作用是_ 。

3)裝置CD中所盛試劑分別為_ ___ 、_ ___,若裝置C、D中溶液均變渾濁,且經(jīng)檢測(cè)兩氣體產(chǎn)物的物質(zhì)的量相等,則該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_ 。

4)該裝置的缺點(diǎn)是_ 。

5)資料表明,上述反應(yīng)在焦炭過量時(shí)會(huì)生成副產(chǎn)物SiC。取18 g SiO28.4 g焦炭充分反應(yīng)后收集到標(biāo)準(zhǔn)狀況下的氣體1344 L,假定氣體產(chǎn)物只有CO,固體產(chǎn)物只有SiSiC,則SiSiC的物質(zhì)的量之比為_ 。

6)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明碳酸的酸性比硅酸的強(qiáng):_

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