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【題目】鎵是制作高性能半導體的重要原料。工業(yè)上常從鋅礦冶煉的廢渣中回收鎵。已知某鋅礦渣主要含Zn、SiPb、Fe、Ga的氧化物,利用該礦渣制鎵的工藝流程如下:

已知:①鎵在元素周期表中位于第四周期第ⅢA族,化學性質與鋁相似。

lg2=0.3 lg3=0.48

③部分物質的Ksp如下表所示。

物質

Zn(OH)2

Ga(OH)3

Fe(OH)2

Fe(OH)3

Ksp

1.6×1017

2.7×1031

8×1016

2.8×1039

(1)為了提高酸浸速率,除適當增加硫酸濃度外,應采取的措施有__________________(寫出兩條)。濾渣1的主要成分是硫酸鉛及_________________(寫化學式)。

(2)加入H2O2的目的是(用離子方程式表示)______________________

(3)室溫條件下,若浸出液中各陽離子的濃度均為0.01mo/L,當溶液中某種離子濃度小于1×10-5mol/L時即認為該離子已完全除去,則pH應調節(jié)的范圍為___________________

(4)操作D包括:_______________過濾、洗滌、干燥。

(5)電解法制備金屬鎵。用惰性電極電解NaGaO2溶液即可制得金屬鎵,寫出陰極電極反應式________________________。

【答案】升高溫度、粉碎、攪拌等 SiO2 2Fe2++H2O2+2H+=2Fe3++2H2O 5.48<pH<6.6 蒸發(fā)濃縮、冷卻結晶 GaO2-+2H2O+3e-=Ga+4OH-

【解析】

某鋅礦渣主要含Zn、Si、PbFe、Ga的氧化物,加入硫酸,經過濾,得到濾渣Ⅰ為SiO2、PbSO4,浸出液含有Zn、FeGa的離子,加入過氧化氫,可氧化亞鐵離子生成鐵離子,調節(jié)溶液pH生成Fe(OH)3、Ga(OH)3沉淀,濾液含有硫酸鋅,經蒸發(fā)濃縮、冷卻結晶可得到硫酸鋅晶體,濾渣2含有Fe(OH)3Ga(OH)3,加入過量的氫氧化鈉,可生成NaGaO2溶液,過濾得到有Fe(OH)3,分解可生成氧化鐵,電解NaGaO2溶液,可制備Ga,以此解答該題。

(1)為了提高酸浸速率,除適當增加硫酸濃度外,應采取的措施有將礦物質粉碎、升高溫度、攪拌等;由以上分析可知濾渣1SiO2、PbSO4;

(2)在濾液中加入H2O2的目的是氧化Fe2+,調節(jié)溶液pH沉淀Fe3+,反應的離子方程式為:2Fe2++H2O2+2H+=2Fe3++2H2O

(3)調pH的目的是使Fe3+、Ga3+沉淀完全而Zn2+不沉淀,Ga(OH)3完全沉淀時,c(OH-)=mol/L=3×10-9mol/L,則此時溶液的pH=5.48;如生成Zn(OH)2,則c(OH-)=mol/L=4×10-8mol/L,則此時溶液的pH=6.6,故應調節(jié)pH范圍為5.48<pH<6.6;

(4)操作D得到晶體,涉及操作為:蒸發(fā)濃縮,冷卻結晶過濾、洗滌、干燥;

(5)①陰極上GaO2-發(fā)生還原反應生成Ga,電極方程式為GaO2-+2H2O+3e-=Ga+4OH-。

練習冊系列答案
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【題目】在一定條件下,將4molNH34molO2混合于固定容積為2L的密閉容器中,發(fā)生反應:4NH3(g)+5O2(g)=4X(g)+6H2O(g)2min后該反應達到平衡,生成3molH2O。則:

(1)X的化學式為___。

(2)O2的轉化率為___(O2轉化率=已反應的O2的量/O2的總量×100%)

(3)0~2min內,v(NH3)=___mol·L-1·min-1。

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(1)A中試劑為_________________。

(2)實驗前,先將鋁鎂合金在稀酸中浸泡片刻,其目的是__________________________。

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(2)沉淀2的化學式為_______

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X氣體

Y試劑

Z試劑

A.

NO2

H2O

H2O

B.

CO2

H2O

H2O

C.

HCl

飽和食鹽水

D.

NO2 O2

H2O

H2O

A.AB.BC.CD.D

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