現(xiàn)有A.B.C三種化合物,各取40g相混合,完全反應(yīng)后,得B18g,C49g,還有D生成。已知D的式量為106,F(xiàn)將22gA和11gB反應(yīng),能生成D ( )
A.1mol B.0.5mol C.0.275mol D.0.25mol
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素編號 | a | b | c | d | e | f | g | h | i |
原子半徑/nm | 0.037 | 0.064 | 0.073 | 0.070 | 0.088 | 0.102 | 0.143 | 0.152 | 0.186 |
最高化合價或 最低化合價 |
+1 | -1 | -2 | -3 | +3 | -2 | +3 | +1 | +1 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年湖北省八校高三第二次聯(lián)考理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
現(xiàn)有aA、bB、cC、dD、eE、gG六種短周期元素,a+b=c,a+c=d,a+d=e,d+e=g,B、C、E、G的單質(zhì)均有多種同素異形體,請回答下列問題:
Ⅰ.(1)C、D、E元素的第一電離能由大到小的關(guān)系為____________。(用相應(yīng)的元素符號表示)
(2)請比較C2A4、D2A4、G2A4三種化合物的沸點由高到低的順序為??? ____________________。(用化學(xué)式表示)
(3)有某種分子式為C4D4E8的物質(zhì)(該物質(zhì)中同種原子的化學(xué)環(huán)境完全相同,不含碳碳雙鍵)是一種威力極強的炸藥,則可推知其結(jié)構(gòu)簡式為____________。
Ⅱ.BG是一種耐磨材料,其與金剛石結(jié)構(gòu)相似,右圖為其結(jié)構(gòu)中的最小重復(fù)單元,它可由B的三溴化物和G的三溴化物于高溫下在氫氣的氛圍中合成。
(1)指出B的三溴化物中B的雜化方式為___________;G的三溴化物分子的結(jié)構(gòu)為_________型。
(2)寫出合成BG的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______________________________。
(3)已知晶體中B與G原子的最近距離為a pm,則該晶體的密度的表達式為__________g/cm3。(不需化簡)
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆黑龍江省高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
現(xiàn)有六種元素,其中A、B、C、D為短周期主族元素,E、F為第四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關(guān)信息,回答問題.
A原子核外電子分占3個不同能級,且每個能級上排布的電子數(shù)相同
B元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1
C原子p軌道上成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù),且與A同周期
D元素的族序數(shù)與周期數(shù)的差為4,且不與A元素在同一周期
E位于周期表中第七列
F元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個未成對電子
(1)A的基態(tài)原子最外層有 種不同運動狀態(tài)的電子,F(xiàn)位于 區(qū)。
(2)E2+的基態(tài)核外電子排布式為 ,AD4為 (填極性或非極性)分子。
(3)A、B、C三種元素的電負性由小到大的順序是 (用元素符號表示),B和C兩元素中,B的第一電離能較大的原因是 ,與AC2互為等電子體的分子的名稱為 。(只寫一種)
(4)BD3 中心原子的雜化方式為 ,其分子空間構(gòu)型為 。
(5)用晶體的x射線衍射法對F的測定得到以下結(jié)果:F的晶胞為面心立方最密堆積(如圖),又知該晶體的密度為ρg/cm3,晶胞中該原子的配位數(shù)為 ;F的原子半徑是 pm;(阿伏加德羅常數(shù)為NA)。
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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆河北省五校聯(lián)盟高三上學(xué)期調(diào)研考試理科綜合化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
【化學(xué)—選修5:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)
現(xiàn)有A、B、C、D、E原子序數(shù)依次增大的五種元素,它們位于元素周期表的前四周期。A元素原子的價層電子總數(shù)是內(nèi)層電子總數(shù)的2倍;C元素原子的L電子層中只有兩對成對電子;D元素與E元素在同周期相鄰的族,它們的原子序數(shù)相差3,且D元素的基態(tài)原子有4個未成對電子。請回答下列問題:
⑴A、B、C三種元素的名稱分別為 、 、 。
⑵用元素符號表示A、B、C三種元素的第一電離能由低到高的排序為 。
⑶E元素基態(tài)原子的核外電子排布式為 。
⑷A元素與氫元素能形成種類繁多的化合物,其中只含sp3雜化且相對分子質(zhì)量最小的分子的VSEPR空間構(gòu)型為 ;其中只含sp2雜化且相對分子質(zhì)量最小的化合物的結(jié)構(gòu)式為 ;其中同時含sp雜化、SP2雜化、sp3雜化且相對分子質(zhì)量最小的化合物的化學(xué)式為 。
⑸A元素的一種單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)如圖甲所示,D元素的一種單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)如圖乙所示。
圖甲中A原子的配位數(shù)與圖乙中D原子的配位數(shù)之比為 。
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