下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是( )
A.CH4>SiH4>GeH4
B.KCl>NaCl>MgCl2>MgO
C.Rb>K>Na>Li
D.石墨>金剛石>SiO2>MgO
【答案】分析:不同晶體的熔點(diǎn):一般為原子晶體>離子晶體>金屬晶體>分子晶體;相同晶體從影響晶體熔沸點(diǎn)高低的因素分析.
解答:解:A.分子結(jié)構(gòu)相似,且都為分子晶體,分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子之間作用力越大,熔點(diǎn)越高,則有
CH4<SiH4<GeH4,故A錯(cuò)誤;
B.離子晶體的晶格能大小取決于離子半徑的電荷的因素,離子半徑越小,電荷越多,晶格能越大,離子晶體的熔點(diǎn)越高,
則有KCl<NaCl<MgCl2<MgO,故B錯(cuò)誤;
C.堿金屬?gòu)纳系较,原子半徑逐漸增大,金屬鍵鍵能逐漸減小,金屬晶體的熔點(diǎn)逐漸降低,則有Rb<K<Na<Li,故C錯(cuò)誤;
D.石墨與金剛石都為原子晶體,二者熔點(diǎn)最大,石墨中C-C鍵比金剛石中C-C鍵長(zhǎng)小,則鍵能大,所以熔點(diǎn)石墨>金剛石,
SiO2也為原子晶體,Si-O鍵能大于C-C,則熔點(diǎn)金剛石>SiO2,MgO為離子晶體,熔點(diǎn)較原子晶體低,故D正確.
故選D.
點(diǎn)評(píng):本題考查晶體熔點(diǎn)的比較,題目難度不大,注意把握影響不同晶體熔沸點(diǎn)高低的因素,學(xué)習(xí)中注重相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累.
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下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是( 。

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下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是( )

A.CH4>GeH4>SnH4 B.KCl>NaCl>MgCl2>MgO

C.Rb>K>Na>Li D.石墨>金剛石>SiO2>MgO

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下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列的是(   )

A.H2Te > H2Se > H2S > H2OB.KCl>NaCl>LiCl>HCl
C.Sr>Ba>Ca>BeD.金剛石>SiC>晶體硅

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆廣西省高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列的是(   )

A.H2Te > H2Se > H2S > H2O                  B.KCl>NaCl>LiCl>HCl

C.Sr>Ba>Ca>Be                        D.金剛石>SiC>晶體硅

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2010年廣西桂林中學(xué)高三8月月考化學(xué)試題 題型:選擇題

下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是

A.CH4>SiH4>GeH4  B.KCl>NaCl>MgCl2>MgO

C.Rb>K>Na>Li   D.石墨>金剛石>SiO2>Mg Cl2

 

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