通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱池可用于估算化學反應的反應熱（△H），化學反應的△H等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。
請回答下列問題：   
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“>”   或“<”）。 SiC____Si；SiCl4____SiO2。   
(2)工業(yè)上高純硅可通過下列反應制�。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g) 該反應的反應熱
△H=___________kJ/mol。
(1)＞；＜  
(2)+236
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

下列說法正確的是（　�。�
A、一定溫度下，反應Mg（1）+Cl2（g）=MgCl2（1）的△H＜0，△S＜0
B、101 kPa時，硫的標準燃燒熱與硫完全燃燒時物質(zhì)的量有關
C、通常人們把拆開1 mol氣態(tài)物質(zhì)中某種共價鍵需要吸收的能量看成該共價鍵的鍵能
化學鍵 H-H Cl-Cl H-Cl
鍵能 436kJ．mol-1 243kJ．mol-1 431kJ．mol-1
則 
1
2
H2（g）+
1
2
Cl2（g）=HCl（g）△H=-183kJ?mol-1
D、已知：N2（g）+2O2（g）=2NO2（g）△H=+68kJ?mol-1
2C（s）+O2（g）=2CO（g）△H=-221kJ?mol-1
C（s）+O2（g）=CO2（g）△H=-393.5kJ?mol-1
則4CO（g）+2NO2（g）=4NO2（g）+N2（g）△H=+1200kJ?mol-1

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科目：高中化學 來源： 題型：

通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱，也可用于估算化學反應的反應熱(ΔH)，化學反應的ΔH等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si-O

Si-Cl

H-H

H-Cl

Si-Si

Si-C

鍵能kJ·mol

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題：

(1)比較下列物質(zhì)的熔點高低(填“＞”或“＜”)SiC__________Si。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應制�。�

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應的反應熱ΔH=____________kJ/mol。

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科目：高中化學 來源：2014屆福建省高二第一次月考化學試卷（解析版） 題型：選擇題

通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能�，F(xiàn)給出化學鍵的鍵能(見下表)：

化學鍵

H—H

Cl—Cl

Cl—H

鍵能/(kJ·mol－1)

436

243

431

請計算H2(g)＋Cl2(g)===2HCl(g)的反應熱(　　)

A．＋862 kJ·mol－1                      B．＋679 kJ·mol－1

C．－183 kJ·mol－1                      D．＋183 kJ·mol－1

 

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科目：高中化學 來源：2012年人教版高中化學必修二2.1 化學能與熱能練習卷（解析版） 題型：填空題

通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱，也可用于估算化學反應的反應熱（ΔH），化學反應的反應熱等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

請回答下列問題：

（1）已知Si、SiC、SiO2熔化時必須斷裂所含化學鍵， 比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“>”或“<”）：

SiC_____Si，Si _____ SiO2

（2）工業(yè)上高純硅可通過下列反應制�。� SiCl4(g)+2H2 (g) Si(s)+4HCl(g)， 則2 mol H2生成高純硅需_____ （填“吸收”或“放出”）能量_____ kJ。

 

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科目：高中化學 來源：2010年鄭州市高二下學期期末考試化學試題 題型：填空題

（8分）通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱，也可用于估算化學反應的反應熱（△H），化學反應的△H等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol—1

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題：

（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“＞”或“＜”

SiC      Si；    SiCl4        SiO2

（2）右圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（3）工業(yè)上高純硅可通過下列反應制取：

SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)  該反應的反應熱△H =              kJ/mol.

 

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