A. | 500 mL1 mol/L MgCl2溶液中含有Cl-數(shù)目為0.5NA | |
B. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,33.6L SO3與48gO2所占的體積相等 | |
C. | 17 gNH3含有的電子個數(shù)為l0NA | |
D. | 1 mol O2與2 mol SO2一定條件下混合反應(yīng),可生成2 mol SO3 |
分析 A.n(MgCl2)=c•V,含有n(Cl-)=2n(MgCl2),N(Cl-)=n(Cl-)×NA;
B.n=$\frac{m}{M}$=$\frac{V}{{V}_{m}}$計算48gO2所占的體積;
C.1個NH3含10個電子;
D.2SO2+O2?2SO3,可逆反應(yīng)不能進(jìn)行到底.
解答 解:A.n(MgCl2)=1mol/L×0.5L=0.5mol,含有n(Cl-)=2n(MgCl2)=2×0.5mol=1mol,N(Cl-)=1mol×NAmol-1=NA,故A錯誤;
B.n(O2)=$\frac{48g}{32g/mol}$=1.5mol,標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積V=1.5mol×22.4L/mol=33.6L,故B正確;
C.17g NH3是1mol,1molNH3含10mol電子,所以含有的電子個數(shù)為l0NA,故C正確;
D.2SO2+O2?2SO3,可逆反應(yīng)不能進(jìn)行到底,因此生成的SO3小于2mol,故D錯誤;
故選BC.
點(diǎn)評 本題考查了阿伏伽德羅常數(shù)的有關(guān)計算,難度不大,其中B為易錯點(diǎn),容易犯經(jīng)驗(yàn)主義錯誤,注意以物質(zhì)的量為中心的公式的應(yīng)用.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 自然界中硅元素均以SiO2形式存在 | |
B. | 高純度晶體Si可用于制造光導(dǎo)纖維 | |
C. | 該反應(yīng)條件下C的還原性比Si強(qiáng) | |
D. | 生成4.48LCO時轉(zhuǎn)移電子數(shù)為0.4×6.02×1023 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 正反應(yīng)為吸熱反應(yīng) | B. | 平衡常數(shù):KA>KB | ||
C. | 反應(yīng)速率:vB>vC | D. | W點(diǎn)時,v正>v逆 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 電鍍鎳時,Ni為陰極,鍍件為陽極 | |
B. | 電鍍和化學(xué)鍍原理都是利用氧化還原反應(yīng) | |
C. | 化學(xué)鍍無需通電,對鍍件的導(dǎo)電性無特殊要求 | |
D. | 化學(xué)鍍中H2PO2-中P化合價為+1,有強(qiáng)還原性 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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