Question

元素A的單質(zhì)是一種重要的半導體材料；含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料--光導纖維；C與燒堿反應生成含A元素的化合物D．
（1）元素A是

 

（填元素名稱），A在元素周期表中的位置

 

；
（2）化合物C可與碳在電爐中加熱至1900℃可制得金剛砂，其反應方程式為：

 

；
（3）元素B與A同主族但原子半徑比A小，則B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為

 

；
（4）將C與純堿混合高溫熔融時也可反應生成D，同時還生成B的最高價氧化物E，將過量的E通入D的水溶液中可得到另一種A的化合物F．寫出上述過程中生成D和F的化學反應方程式：

 

；

 

．

Answer 1

考點：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應用

專題：

分析：含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導體材料，含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料--光導纖維，則A為Si，C為SiO₂，C與燒堿反應生成含A元素的化合物D為Na₂SiO₃，
（1）A為Si，主族元素周期數(shù)=電子層數(shù)、主族族序數(shù)=最外層電子數(shù)；
（2）金剛砂為碳化硅，則二氧化硅與碳反應得到SiC與CO；
（3）元素B與A同主族但原子半徑比A小，則A為碳元素；
（4）①將SiO₂與純堿混合高溫熔融時反應生成Na₂SiO₃與二氧化碳，則E為CO₂，將過量的CO₂通入Na₂SiO₃溶液中生成H₂SiO₃與碳酸氫鈉．

解答： 解：含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導體材料，含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料--光導纖維，則A為Si，C為SiO₂，C與燒堿反應生成含A元素的化合物D為Na₂SiO₃，
（1）A為硅元素，原子核外有3個電子層、最外層電子數(shù)為4，處于周期表中第三周期ⅣA族，
故答案為：硅；第三周期ⅣA族；
（2）金剛砂為碳化硅，則二氧化硅與碳反應得到SiC與CO，反應方程式為：SiO₂+3C

1900℃  .

SiC+2CO，
故答案為：SiO₂+3C

1900℃  .

SiC+2CO；
（3）元素B與A同主族但原子半徑比A小，則A為碳元素，原子結(jié)構(gòu)示意圖為，
故答案為：；
（4）將SiO₂與純堿混合高溫熔融時反應生成Na₂SiO₃與二氧化碳，反應方程式為：SiO₂+Na₂CO₃

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑，E為CO₂，將過量的CO₂通入Na₂SiO₃溶液中生成H₂SiO₃與碳酸氫鈉，反應方程式為：Na₂SiO₃+CO₂+H₂O=Na₂CO₃+H₂SiO₃↓，
故答案為：SiO₂+Na₂CO₃

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑；Na₂SiO₃+CO₂+H₂O=Na₂CO₃+H₂SiO₃↓．

點評：本題考查無機物推斷、元素化合物性質(zhì)，側(cè)重考查學生對知識的綜合應用，難度不大，注意對基礎(chǔ)知識的掌握．