用Cr3＋摻雜的氮化鋁是理想的LED用熒光粉基質(zhì)材料，氮化鋁(其晶胞如圖所示)可由氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得。

（1）Cr3＋基態(tài)的核外電子排布式可表示為        。
（2）氮化鋁的化學(xué)式為        。
（3）氯化鋁易升華，其雙聚物Al2Cl6結(jié)構(gòu)如圖所示。在Al2Cl6中存在的化學(xué)鍵有      (填字母)。

a．離子鍵　　　   b．共價(jià)鍵　　　   c．配位鍵　　　   d．金屬鍵
（4）一定條件下用Al2O3和CCl4反應(yīng)制備AlCl3的反應(yīng)為：Al2O3＋3CCl4=2AlCl3＋3COCl2。其中，COCl2分子的空間構(gòu)型為        。一種與CCl4互為等電子體的離子的化學(xué)式為        。
（5）AlCl3在下述反應(yīng)中作催化劑。分子③中碳原子的雜化類型為        。
（1）1s22s22p63s23p63d3或[Ar]3d3(2分)
（2）AlN(2分)
（3）bc(2分)
（4）平面三角形(2分)　SO42-或PO43-或ClO4-或SiO44-或PCl4+(2分)
（5）sp2和sp3(2分)

試題分析：（2）氮原子在晶胞的頂點(diǎn)和內(nèi)部，共有8×1/8+1=2；鋁原子在晶胞的棱上和內(nèi)部，共有4×1/4+1=2；化學(xué)式為AlN；（3）氯最外層有7個(gè)電子已形成1個(gè)共用電子對(duì)達(dá)到8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，中間的氯與鋁原子形成了2個(gè)共價(jià)鍵，故其中之一為配位鍵，由氯原子提供孤電子對(duì)，鋁原子提供空軌道形成配位鍵；（4）COCl2分子中碳原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為（4+2）÷2=3，為sp2雜化，又有3個(gè)配位原子故為平面三角形；等電子體（原子數(shù)同，價(jià)電子數(shù)同）有SO42-或PO43-或ClO4-或SiO44-或PCl4+；（5）分子③中碳原子中形成雙鍵的為sp2雜化，全形成單鍵的為sp3雜化。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
根據(jù)元素周期表中第四周期元素的相關(guān)知識(shí)，回答下列問題：
（1）第四周期元素的基態(tài)原子的電子排布中4s軌道上只有1個(gè)電子的元素有_______種；
寫出Cu+的核外電子排布式_________。
（2）按電子排布，可將周期表里的元素劃分成五個(gè)區(qū)域，第四周期元素中屬于s區(qū)的元素有___________種，屬于d區(qū)的元素有________種。
（3）CaO晶胞如圖所示，CaO晶體中Ca2＋的配位數(shù)為________；CaO的焰色反應(yīng)為磚紅色，許多金屬或它們的化合物都可以發(fā)生焰色反應(yīng)，其原因是________。

（4）由疊氮化鉀(KN3)熱分解可得純，下列有關(guān)說法正確的是________（填選項(xiàng)字母）。
A．NaN3與KN3結(jié)構(gòu)類似，前者晶格能較小
B．晶體鉀的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，每個(gè)晶胞中分?jǐn)?個(gè)鉀原子
C．氮的第一電離能大于氧
D．氮?dú)獬叵潞芊�(wěn)定，是因?yàn)榈碾娯?fù)性小
（5）二氧化鈦(TiO2)是常用的、具有較高催化活性和穩(wěn)定性的光催化劑。O2在其催化作用下，可將CN－氧化成CNO－。CN－的電子式為________，CNO－的中心原子的雜化方式為____________。
（6）在CrCl3溶液中，一定條件下存在組成為（n和x均為正整數(shù)）的配離子，將其通過氫離子交換樹脂(R-H)，可發(fā)生離子交換反應(yīng)：
將含0.0015mol的溶液，與R-H完全交換后，中和生成的需濃度為
0.1200 mol/LNaOH溶液25.00 mL，則該配離子的化學(xué)式為____________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

物質(zhì)的結(jié)構(gòu)是決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素。請(qǐng)回答下列問題：
(1)基態(tài)Ni原子核外電子排布式為____________；第二周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是_______________。
(2)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，Ni2+和Fe2+的離子半徑分為0.069nm和0.078nm，則熔點(diǎn)NiO____________FeO(填“＜”或“＞”)；NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為____________。
(3)肼可用作火箭燃料，燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是：N2O4+2N2H4＝3N2+4H2O，若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂，形成的鍵有________mol。
(4)金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示．該合金化學(xué)式為        ；

(5)丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni2+：在稀氨水介質(zhì)中，丁二酮肟Ni2+反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖2所示：

①該結(jié)構(gòu)中，碳碳之間共價(jià)鍵是σ鍵，碳氮之間共價(jià)鍵是        ，氮鎳之間形成化學(xué)鍵是     ；
②該結(jié)構(gòu)中，氧氫之間除共價(jià)鍵外還可存在    ；
③該結(jié)構(gòu)中，碳原子雜化軌道有            

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號(hào)元素，它們的原子序數(shù)依次遞增。已知B、D兩種元素原子的最外層電子數(shù)是最內(nèi)層電子數(shù)的兩倍，而C元素原子的最外層電子數(shù)等于B元素原子的核外電子數(shù)，E的價(jià)電子數(shù)為1．回答下列問題。
（1）畫出C元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖       。
（2）在1mol DC2中，有    mol D—C鍵。
（3）在化合物BC2的晶體中，每個(gè)BC2分子周圍與它距離最近的BC2分子有   個(gè)。
（4）原子序數(shù)介于B、C之間的元素X和B、C都可與A形成10e-的化合物。則X、B、C的第一電離能順序是      （填元素符號(hào)），三種10e-的化合物中沸點(diǎn)最低的   。
（5）已知高溫下C和E元素形成的晶體呈立方體結(jié)構(gòu)，晶體中元素C的化合價(jià)部分為0價(jià)，部分為－2價(jià)。如下圖所示為C和E元素形成的晶體的一個(gè)晶胞(晶體中最小的重復(fù)單元)，則下列說法中正確的是            。

A．該晶體化學(xué)式為EC2（KO2），每個(gè)晶胞含有個(gè)4個(gè)E＋和4個(gè)C2-
B．晶體中每個(gè)E＋周圍有8個(gè)C2-，每個(gè)C2-周圍有8個(gè)E＋
C．晶體中與每個(gè)E＋距離最近的E＋有8個(gè)
D．晶體中，0價(jià)C與－2價(jià)C的數(shù)目比為3:1
E．C2-與N2互為等電子體

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E、F均為短周期主族元素，且原子序數(shù)依次增大。已知A的一種核素的質(zhì)量數(shù)等于其質(zhì)子數(shù)；E原子最外層電子數(shù)為其電子層數(shù)的兩倍，C、E是同主族元素；B的第一電離能大于C的第一電離能；D離子在同周期離子中半徑最小。G的最外層電子排布圖為，其余各能層電子全充滿。
（1）畫出B原子的結(jié)構(gòu)示意圖____，G+離子的電子排布式為_____。
（2）C與E組成的一種化合物具有漂白性，該化合物分子中中心原子的VSEPR構(gòu)型為   。
（3）D單質(zhì)具有良好導(dǎo)熱性的原因是____。
（4）E、F的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性強(qiáng)弱比較（填寫化學(xué)式）：_____＞_____。
（5）G單質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則一個(gè)晶胞中G的原子個(gè)數(shù)為_____。

（6）A與B形成的10電子陽(yáng)離子在重水中的水解離子方程式為____。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Ⅰ.下列說法中正確的是       。
A．SO2和O3、PO43-和ClO4-互為等電子體
B．甲烷分子失去一個(gè)H＋，形成CH3-，其碳原子的雜化類型發(fā)生了改變
C．Ti原子的核外電子排布式為[Ar]3d34s2
D．CS2、H2O、C2H2都是直線形分子
E．CH4、BCl3、CO2都是含有極性鍵的非極性分子
Ⅱ.立方氮化硼是一種自然界不存在的人工合成超硬材料，硬度僅次于金剛石，是超硬材料領(lǐng)域的最重要成就之一。請(qǐng)回答下列問題：
(1)在第二周期，原子的第一電離能一般隨核電荷數(shù)的增大而逐漸       ，比較下列原子的第一電離能：Be       B，N       O(填“＞”“<”)，其原因是               。
(2)如圖為立方氮化硼的晶胞，則氮化硼的化學(xué)式為       ，該晶體中B原子填充N原子的       空隙。若該晶胞的邊長(zhǎng)為a cm，那么該晶體的密度為       g/cm3(只要求列出算式)。

(3)立方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似，但其熔點(diǎn)比金剛石的低，試分析其原因：                                               。
(4)立方氮化硼由六方氮化硼在高溫高壓下制備，六方氮化硼又稱“白石墨”，結(jié)構(gòu)和許多性質(zhì)與石墨相似，六方氮化硼中N原子的雜化軌道類型為       ，請(qǐng)畫出六方氮化硼的平面結(jié)構(gòu)示意圖(用“○”代表N原子，用“●”代表B原子，每種原子不少于7個(gè))。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列對(duì)一些實(shí)驗(yàn)事實(shí)的理論解釋正確的是(　　)。
選項(xiàng)
實(shí)驗(yàn)事實(shí)
理論解釋
A
氮原子的第一電離能大于氧原子
氮原子2p能級(jí)半充滿
B
CO2為直線形分子
CO2分子中C—O是極性鍵
C
金剛石的熔點(diǎn)低于石墨
金剛石是分子晶體，石墨是原子晶體
D
HF的沸點(diǎn)高于HCl
HF的相對(duì)分子質(zhì)量小于HCl
 

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

現(xiàn)有aA、bB、cC、dD、eE、gG六種短周期元素，a+b=c，a+c=d，a+d=e，d+e=g，B、C、E、G的單質(zhì)均有多種同素異形體，請(qǐng)回答下列問題：
Ⅰ．（1）C、D、E元素的第一電離能由大到小的關(guān)系為____________。（用相應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（2）請(qǐng)比較C2A4、D2A4、G2A4三種化合物的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?nbsp;   ____________________。（用化學(xué)式表示）
（3）有某種分子式為C4D4E8的物質(zhì)（該物質(zhì)中同種原子的化學(xué)環(huán)境完全相同，不含碳碳雙鍵）是一種威力極強(qiáng)的炸藥，則可推知其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為____________。
Ⅱ．BG是一種耐磨材料，其與金剛石結(jié)構(gòu)相似，右圖為其結(jié)構(gòu)中的最小重復(fù)單元，它可由B的三溴化物和G的三溴化物于高溫下在氫氣的氛圍中合成。

（1）指出B的三溴化物中B的雜化方式為___________；G的三溴化物分子的結(jié)構(gòu)為_________型。
（2）寫出合成BG的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______________________________。
（3）已知晶體中B與G原子的最近距離為a pm，則該晶體的密度的表達(dá)式為__________g/cm3。（不需化簡(jiǎn)）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D是元素周期表中前36號(hào)元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。A原子L層的成對(duì)電子數(shù)和未成對(duì)電子數(shù)相等,B原子的最外層p軌道的電子為半充滿結(jié)構(gòu),C是地殼中含量最多的元素。D是第四周期元素,其原子核外最外層電子數(shù)與氫原子相同,其余各層電子均充滿。請(qǐng)回答下列問題:
(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序是       (用對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示);基態(tài)D原子的電子排布式為               。
(2)A的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物分子中,其中心原子采取       雜化;B的空間構(gòu)型為       (用文字描述)。
(3)1 mol AB-中含有的π鍵個(gè)數(shù)為       。
(4)如圖是金屬Ca和D所形成的某種合金的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,則該合金中Ca和D的原子個(gè)數(shù)比是       。

(5)鑭鎳合金與上述合金都具有相同類型的晶胞結(jié)構(gòu)XYn,它們有很強(qiáng)的儲(chǔ)氫能力。已知鑭鎳合金LaNin晶胞體積為9.0×10-23 cm3,儲(chǔ)氫后形成LaNinH4.5合金(氫進(jìn)入晶胞空隙,體積不變),則LaNin中n=       (填數(shù)值);氫在合金中的密度為       。

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