15.下列說法正確的是(  )
①S8分子中 S原子采用的軌道雜化方式sp3
②C2H4分子中只有以s軌道與sp2雜化軌道“頭碰頭”方式重疊而成的σ鍵
③SnBr2分子中Sn-Br的鍵角<120°
④H3O+中H-O-H鍵角比H2O中H-O-H鍵角大.
A.①②B.③④C.①②③D.①③④

分析 ①S8是一個環(huán)形分子,每個S與兩個其它S原子相連,S原子外層6個電子,兩對孤對電子,兩上σ鍵,所以S是sp3雜化;
②碳碳雙鍵中一個是σ鍵,還有一個是π鍵;
③首先判斷價層電子對數(shù)目和有無孤電子對,進(jìn)而判斷分子的空間構(gòu)型;
④先確定VSEPR模型,然后在確定中心原子的雜化軌道類型;一般來說,相互之間排斥力的大小為:孤電子對間的排斥力>孤電子對與成鍵電子對間的排斥力>成鍵電子對間的排斥力.

解答 解:①S8是一個環(huán)形分子,每個S與兩個其它S原子相連,S原子外層6個電子,兩對孤對電子,兩上σ鍵,所以S是sp3雜化,故正確;
②碳碳雙鍵中一個是σ鍵,還有一個是π鍵,所以不只是碳?xì)洇益I,故錯誤;
③SnBr2分子中,Sn原子的價層電子對數(shù)目是$\frac{4+2}{2}$=3,配位原子數(shù)為2,故Sn含有孤對電子,SnBr2空間構(gòu)型為V型,鍵角小于120°,故正確;
④H3O+價層電子對模型為四面體,氧原子采取sp3雜化,H2O中O原子有兩對孤對電子,H3O+中O原子有一對孤對電子,因?yàn)楣码娮訉﹂g的排斥力>孤電子對與成鍵電子對間的排斥力>成鍵電子對間的排斥力,導(dǎo)致H3O+中H-O-H鍵角比H2O中H-O-H鍵角大,故正確;
故選D.

點(diǎn)評 本題考查了分子或離子中原子軌道雜化類型的判斷,根據(jù)價層電子對互斥理論來分析解答是關(guān)鍵,注意SnBr2分子中心原子的雜化,題目難度中等.

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

5.下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是( 。
A.HClO的電子式:
B.中子數(shù)為20的氯原子:1720Cl
C.CCl4的電子式:
D.Cl-的結(jié)構(gòu)示意圖:

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

6.關(guān)于硅及其化合物的敘述中,不正確的是( 。
A.硅的單質(zhì)都可用作半導(dǎo)體材料B.石英可用來制造光導(dǎo)纖維
C.碳化硅可用作砂紙、砂輪的磨料D.水玻璃可作黏合劑及耐火材料

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

3.某學(xué)生用圖所示的裝置測定鎂的相對原子質(zhì)量:
(1)實(shí)驗(yàn)前必須對裝置進(jìn)行氣密性檢查,具體操作是:裝置中注入一定量的水,上下移動量氣管,使兩邊形成液面高度差,靜置,液面高度差不變,證明裝置氣密性良好;
(2)如果量氣管的最大測量體積為50mL(假設(shè)條件為標(biāo)準(zhǔn)狀況),則取金屬鎂條(設(shè)純度為100%)的質(zhì)量不超過0.053g;(精確到0.001)
(3)實(shí)驗(yàn)結(jié)束,在讀取數(shù)據(jù)前必須:a冷卻,使溫度恢復(fù)到原來狀態(tài);b調(diào)節(jié)量氣管,使量氣管與漏斗中的液面保持在同一水平;
(4)該學(xué)生實(shí)驗(yàn)時稱取鎂條0.051g(已除去氧化膜),實(shí)驗(yàn)結(jié)果收集到氣體48.00mL(已換算到標(biāo)準(zhǔn)狀況,其他實(shí)驗(yàn)操作均正確),根據(jù)實(shí)驗(yàn)測定,鎂的相對原子質(zhì)量為23.80;產(chǎn)生誤差的原因可能是裝置氣密性不良,可能漏氣或鎂條的氧化膜去除不盡(寫出一點(diǎn)).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

10.下列有關(guān)敘述正確的是(  )
A.只含有離子鍵的化合物才是離子化合物
B.硫酸銨晶體是含有離子鍵、極性鍵和配位鍵的分子晶體
C.由于I-I鍵的鍵能比F-F、Cl-Cl、Br-Br鍵的鍵能都小,所以在鹵素單質(zhì)中碘的熔點(diǎn)最低
D.在分子晶體中一定不存在離子鍵,而在離子晶體中可能存在共價鍵

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

20.V2O5 是一種新型光電材料.某課題組模擬生產(chǎn)V2O5工藝部分流程如下:
Ⅰ.配制偏釩酸鈉(NaVO3)溶液
(1)向V2O5 固體中緩慢滴加NaOH溶液,邊加熱邊攪拌至V2O5 固體完全溶解,反應(yīng)的離子方程式為V2O5+2OH-=2VO3-+H2O.
Ⅱ.沉釩
一定條件下向偏釩酸鈉溶液中加入氯化銨溶液,加熱、攪拌得到偏釩酸銨沉淀.如圖為部分因素對沉釩率的影響.

(2)為了提高沉釩率,應(yīng)調(diào)節(jié)溶液pH=8.0.已知偏釩酸銨微溶于冷水,可溶于熱水,結(jié)合圖中信息,生成偏釩酸銨沉淀的反應(yīng)是吸熱(填“吸熱”或“放熱”)反應(yīng).
(3)該課題組對影響沉釩率的其他因素(除溫度和pH)提出如下假設(shè).
假設(shè)一:氯化銨溶液的濃度
假設(shè)二:偏釩酸鈉溶液濃度

(4)結(jié)合上述最佳條件設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證假設(shè)一,寫出實(shí)驗(yàn)步驟與結(jié)論.
限選試劑:0.5mol/L的偏釩酸鈉溶液、1mol/L的氯化銨溶液、蒸餾水,常見實(shí)驗(yàn)儀器任選.(提示:沉釩率可用專用儀器測定并計(jì)算)
實(shí)驗(yàn)步驟與結(jié)論:
Ⅲ.熱分解
(5)偏釩酸銨灼燒產(chǎn)生五氧化二釩,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為2NH4VO3$\frac{\underline{\;△\;}}{\;}$2NH3↑+H2O↑+V2O5

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

7.一定條件下,發(fā)生可逆反應(yīng)4NH3(g)+5O2(g)?4NO(g)+6H2O(g)下列敘述中,不能做為此可逆反應(yīng)已經(jīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的標(biāo)志是( 。
A.NH3的消耗速率等于NO的生成速率
B.NH3的消耗速率等于NO的消耗速率
C.NH3的濃度和NO的濃度都不發(fā)生改變
D.密閉容器內(nèi)的壓強(qiáng)不發(fā)生改變

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

4.下列有關(guān)物質(zhì)用途的說法正確的是(  )
A.明礬可用作凈水劑B.甲醛可用作食品防腐劑
C.晶體硅可用于制造光導(dǎo)纖維D.鋁制容器可長期存放酸性食物

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

19.下列說法正確的是( 。
A.分子晶體中一定存在分子間作用力
B.分子中含有兩個氫原子的酸一定是二元酸
C.含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體
D.元素的金屬性越強(qiáng),失去的電子數(shù)就越多

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