下列描述正確的是:
A. 系統(tǒng)命名:2—乙基丙烷
B.由分子式為C2H6O組成的物質(zhì)一定是純凈物
C.正丁烷和異丁烷互為同系物
D.互為同系物的物質(zhì),在組成和結(jié)構(gòu)上相似,所以化學(xué)性質(zhì)也相似
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
一定溫度下,在2 L的密閉容器中,X、Y、Z三種氣體的物質(zhì)的量隨時間變化的曲線如下圖所示:
下列描述正確的是( )。
A.反應(yīng)開始到10s,用Z表示的反應(yīng)速率為0.158 mol/(L•s)
B.反應(yīng)開始到10s,X的物質(zhì)的量濃度減少了0.79 mol/L
C.反應(yīng)開始到10s時,Y的轉(zhuǎn)化率為79.0 %
D.反應(yīng)的化學(xué)方程式為:X(g)+Y(g)=Z(g)
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題
(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計,到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為: ①SiO2 + 2C Si + 2CO ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是 (填序號)。
(2)反應(yīng)①和③屬于 。
A.化合反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是 。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012年江蘇省無錫市高一下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列描述正確的是:
A. 系統(tǒng)命名:2—乙基丙烷
B.由分子式為C2H6O組成的物質(zhì)一定是純凈物
C.正丁烷和異丁烷互為同系物
D.互為同系物的物質(zhì),在組成和結(jié)構(gòu)上相似,所以化學(xué)性質(zhì)也相似
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆江西省高一下學(xué)期期中考試?yán)砜苹瘜W(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
一定溫度下,在2 L的密閉容器中,X、Y、Z三種氣體的物質(zhì)的量隨時間變化的曲線如下圖所示:
下列描述正確的是( )。
A.反應(yīng)開始到10 s,用Z表示的反應(yīng)速率為0.158 mol/(L•s)
B.反應(yīng)開始到10 s,X的物質(zhì)的量濃度減少了0.79 mol/L
C.反應(yīng)開始到10 s時,Y的轉(zhuǎn)化率為79.0 %
D.反應(yīng)的化學(xué)方程式為:X(g)+Y(g)=Z(g)
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題
(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計,到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為: ①SiO2 + 2C Si + 2CO ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是 (填序號)。
(2)反應(yīng)①和③屬于 。
A.化合反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是 。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)
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