氟化物 | G的氟化物 | Q的氟化物 |
熔點(diǎn)/K | 993 | 1539 |
分析 原子序數(shù)依次增大的X、Y、Z、G、Q、R六種主族元素,核電荷數(shù)均小于36.由X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,且所有原子共平面,可知?dú)浠餅橐蚁瑒tX為C元素;Z的L層上有2個(gè)未成對(duì)電子,L層電子排布為2s22p4,則Z為O元素,結(jié)合原子序數(shù)可知Y為N;Q原子s能級(jí)與p能級(jí)電子數(shù)相等,則Q的電子排布為1s22s22p63s2,則Q為Mg元素,R單質(zhì)是制造各種計(jì)算機(jī)、微電子產(chǎn)品的核心材料,R為Si,結(jié)合G的原子序數(shù)及形成氟化物可知G為Na,以此來(lái)解答.
解答 解:由上述分析可知,X為C,Y為N,Z為O,G為Na,Q為Mg,R為Si,
(1)C的電子排布為1s22s22p2,共有6種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,有1s、2s、2p共3種不同能級(jí)的電子,故答案為:6;3;
(2)非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大,但N的2p電子半滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃<O<N,故答案為:C<O<N;
(3)Z與R能形成化合物甲為SiO2,1個(gè)Si的周?chē)?個(gè)Si-O鍵,1mol甲中含4mol化學(xué)鍵,故答案為:4;
(4)由表格數(shù)據(jù)可知,Q的氟化物熔點(diǎn)高,造成熔點(diǎn)差異的原因?yàn)镹aF與MgF2為離子晶體,Mg2+的半徑比Na+的半徑小,電荷數(shù)高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高,故答案為:NaF與MgF2為離子晶體,Mg2+的半徑比Na+的半徑小,電荷數(shù)高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高.
點(diǎn)評(píng) 本題考查原子結(jié)構(gòu)與元素周期律,為高頻考點(diǎn),把握原子序數(shù)、電子排布規(guī)律來(lái)推斷元素為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,注意規(guī)律性知識(shí)的應(yīng)用,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 0.9mol/L | B. | 1.8mol/L | C. | 2.1mol/L | D. | 1.2mol/L |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
溫度(℃) | 15.0 | 20.0 | 25.0 | 30.0 | 35.0 |
平衡總壓強(qiáng)(kPa) | 5.7 | 8.3 | 12.0 | 17.1 | 24.0 |
平衡氣體總濃度 (×10-3mol/L) | 2.4 | 3.4 | 4.8 | 6.8 | 9.4 |
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